【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック粒子の内部がＡＢＯ３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つであり、ＢはＺｒ）を主成分として含有し、このセラミック粒子の表層部が、Ｂａ及びＴｉとＡＢＯ３が固溶した領域を有することにより、誘電率を下げることなく高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を得た。この、誘電体磁器組成物を積層し焼成することにより、誘電率と高温負荷寿命を両立させた電子部品を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ１００ｎｍ未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で０．５〜１．５ａｔ％である、高誘電率セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】圧電多層アクチュエータへの利用に適した圧電材料の提供。
【解決手段】分子式Ｐ_{１−ｃ−ｄ}Ｄ_ｃＺ_ｄ（ただし、０＜ｃ≦０．１５かつ０≦ｄ≦０．５）を有する材料を含む圧電材料であって、Ｐが化合物Ｐｂ（Ｚｒ_１−ｙＴｉ_ｙ）Ｏ_３（ただし、０．５０≦１−ｙ≦０．６０）を表し、Ｚがペロブスカイト型構造の付加的成分を表し、Ｄが一般式［（Ｍ_１Ｏ）_１−ｐ（Ｍ_２Ｏ）_ｐ］_ａ［Ｎｂ_２Ｏ_５］_１−ａ（ただし２／３＜ａ＜１かつ０＜ｐ＜１）（このとき、Ｍ_１はＢａ_１−ｔＳｒ_ｔ、ただし０≦ｔ≦１、を表し、Ｍ_２はストロンチウムあるいはカルシウムを表す）を表し、材料Ｄがクリオライト型の構造を含む。これにより、ＰＺＴホスト格子のＢサイトのドーピングを達成することができる。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜５．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含有する。セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、このような誘電体組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶安定性が高く、かつ電気伝導性の高い部分安定化ジルコニア磁器の製造方法を提供すること。
【解決手段】ジルコニアとイットリアとからな部分安定化ジルコニア磁器１の製造方法である。その製造にあたっては、複合物作製工程と熱処理工程と粉砕工程と成形工程と焼成工程を行う。複合物作製工程においては、水酸化ジルコニウムにイットリア微粒子粉末又はイットリウム塩類を均一分散させた複合物を作製する。熱処理工程においては複合物に対して熱処理を行うことによりジルコニアを得る。粉砕工程においてはジルコニアを粉砕してセラミック粉末を得る。成形工程においてはセラミック粉末を成形して成形体を得る。焼成工程においては成形体を焼成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が厚み１μｍ未満と薄層化されながら高い電界強度が付与されても、寿命特性が良好な積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_1-x/100Ｃａ_x/100）_ｍＴｉＯ_３（２≦ｘ≦２０）で表わされる化合物を主成分とし、ａＭｇ−ｂＳｉ−ｃＭｎ−ｄＲ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種。ａ、ｂ、ｃおよびｄ［モル部］は、前記主成分１００モル部に対して、それぞれ、０．１＜ａ≦２０．０、０．５＜ｂ≦２０．０、０．１＜ｃ≦１０．０、および１．０＜ｄ≦３０．０である。）を副成分として含むものを用いる。この誘電体セラミックを焼成して得られた焼結体における結晶粒子の平均粒径は２０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】高い圧電性能と高いキュリー温度を両立した圧電セラミックスを提供する。また、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】本発明の圧電セラミックスは、一般式（１）：ｘＢａＴｉＯ_３−ｙＢｉＦｅＯ_３−ｚＢｉ（Ｍ_０．５Ｔｉ_０．５）Ｏ_３（式中、ＭはＭｇおよびＮｉから選択される少なくとも１種の元素であり、ｘは０．４０≦ｘ≦０．８０、ｙは０≦ｙ≦０．３０、ｚは０．０５≦ｚ≦０．６０の範囲の数値を表わす。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなり、擬立方晶の表記で（１１１）面に配向していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低背化により厚みが薄くなっても、実装時の衝撃により割れが生じないような高い抗折強度有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】前記積層体の組成が、主成分としてＢａ、ＴｉおよびＺｒを含むぺロブスカイト型化合物を含み、前記積層体を溶解したときの、Ｂａを１００モル部としたときの、Ｚｒの含有モル部が１０以上４０以下であり、かつ、前記誘電体セラミック層の断面を観察したとき、結晶粒子中心においてＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）モル比が０．００５以下である結晶粒子Ａの個数割合をＴＡ、結晶粒子中心においてＴｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）モル比が０．００５以下である結晶粒子Ｂの個数割合をＴＢ、とするとき、ＴＢが０．１以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、粉砕用ジルコニア焼結体を一旦粉砕・溶解して得られるリサイクルジルコニア粉末を用いてジルコニア焼結体を得ることで、資源を有効に利用できるとともに、ジルコニア焼結体の強度、靭性を向上させることにある。
【解決手段】本発明は、粉砕用ジルコニア焼結体を用いてリサイクルジルコニア粉末を製造する方法において、（１）粉砕用ジルコニア焼結体を、粉砕してジルコニア粒子とする工程、（２）粉砕工程で得られたジルコニア粒子を、酸で溶解する工程、（３）溶解工程で得られた溶解液を、水で希釈する工程、（４）希釈工程で得られた希釈液を、共沈法、加水分解法、水熱合成法または噴霧乾燥法によりジルコニア粉末前駆体を調製する工程、（５）前駆体調製工程で得られた前駆体を、乾燥・仮焼してリサイクルジルコニア粉末とする工程、を用いることを特徴とするリサイクルジルコニア粉末の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の温度変化率の小さい誘電体磁器とそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子９ａと酸化イッテルビウムの結晶粒子９ｂとを有するとともに、チタン１００モルに対してマグネシウムをＭｇＯ換算で０．５〜３．０モル含有してなり、Ｘ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対する酸化イッテルビウムの面指数（２２２）の回折強度が０．５〜３．０％である。 （もっと読む）

【課題】本発明は圧電素子、インクジェットプリントヘッド及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例による圧電素子は、圧電素子用圧電体組成物１００重量部に対し、９０重量部以上１００重量部未満のＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３を含む圧電セラミックパウダーと、０重量部超過１０重量部以下のガラスフリットとを含み、ガラスフリット１００重量部に１０から２０重量部のＺｎＯを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．６〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、１．２≦α／β≦５．０、０．５≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】特に靭性に優れた薄肉で且つ大版の固体酸化物形燃料電池用の固体電解質シートを提供すること。
【解決手段】本発明に係る固体酸化物形燃料電池用固体電解質シートは、立方晶ジルコニア主体の結晶構造を有し、アルミナを０．０１〜４質量％含有し、ビッカース圧子圧入法により求められる破壊靭性値の平均値が１．６ＭＰａ・ｍ0.5以上であり、且つジルコニア粒子が、安定化剤としてスカンジウム、および／またはイッテルビウムの酸化物を含む安定化ジルコニアからなり、破壊靭性値の変動係数が３０％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 圧電特性を保持するとともに、還元雰囲気中での焼成においても高い絶縁抵抗率を有する圧電セラミックスおよび積層型圧電素子を提供する。
【解決手段】 組成式（Ｂａ_１−ｘ、Ｃａ_ｘ）_ｊ（Ｌｉ_ｙ、Ｍｎ_ｚ、Ｔｉ_{１−ｙ−ｚ}）Ｏ_{３（２／３＋ｊ／３−ｙ／２−ｚ／３）}（ただし、０．００５≦ｘ＜０．１００、０＜ｙ≦０．０２０、０≦ｚ≦０．００３、１．０００≦ｊ≦１．０４０）で表される主成分に対して、副成分としてＡｌを１．０００ｍｏｌ％以下（０を含まず）、含有することを特徴とする圧電セラミックス。 （もっと読む）

【課題】従来と同程度の所望の変位量を維持することができ、高湿環境下で使用しても絶縁抵抗値の低下が少ない圧電／電歪素子を提供すること。
【解決手段】ＰＮＮ−ＰＺＴ系三成分固溶系組成物を主成分として含有する圧電／電歪セラミック組成物からなる圧電／電歪体３０と、電極（１０，１０’）と、を備える圧電／電歪素子１であって、ＰＮＮ−ＰＺＴ系三成分固溶系組成物が下記組成式で表される圧電／電歪素子１。
（Ｐｂ_１−ｘＳｒ_ｘ）_α｛（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）_ａ（Ｎｉ_β／３Ｎｂ_２／３）_ｂ（Ａｌ_γ／２Ｎｂ_１／２）_ｃ｝Ｏ_３
（組成式中、０．００５≦ｘ≦０．０３、０．４５≦ｙ≦０．５４、０．５８≦ａ≦０．９１、０．０７≦ｂ≦０．３６、０．０２≦ｃ≦０．０８、０．９７≦α≦１．０３、０．９７≦β≦１．０３、０．９７≦γ≦１．０３である（但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１．０００である）。） （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制することができるセラミックス膜の製造方法、及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属錯体を含むセラミックス膜形成用組成物を塗布してセラミックス前駆体膜を形成する塗布工程と、セラミックス前駆体膜を加熱により結晶化させてセラミックス膜を形成する結晶化工程と、を具備し、結晶化工程における膜厚の収縮率が２７％以上４５％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３ で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】複数の誘電体粒子と、誘電体粒子間に存在する粒界と、を有する誘電体磁器組成物であって、誘電体粒子が、固溶体粒子（２１）により構成され、粒界（３１，３２）にＳｉが均一に存在する。誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ａ（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_２＋ａで表される化合物を含有し、副成分として、ＲＥ元素（Ｙ、ＤｙおよびＨｏから選ばれる１つ以上）の酸化物、と、Ｍｎの酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、を含有し、組成式中のｘ、ｙおよびａが、０≦ｘ≦０．０８、０．００５≦ｙ≦０．０８、０．９９５≦ａ≦１．０１５であり、Ｍｎに対するＲＥ元素のモル比が、３≦ＲＥ／Ｍｎ≦６であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムからなる主成分を含有し、前記チタン酸バリウム１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を１．００〜２．５０モルと、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１〜０．２０モルと、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１つの酸化物を０．０３〜０．１５モルと、Ｒ１の酸化物（Ｒ１は、Ｙ、およびＨｏからなる群から選ばれる少なくとも１つである）を０．２０〜１．５０モルと、Ｒ２の酸化物（Ｒ２は、Ｅｕ、ＧｄおよびＴｂからなる群から選ばれる少なくとも１つである）を０．２０〜１．５０モルと、Ｓｉおよび／またはＢの酸化物を０．３０〜１．５０モルと、を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】優れた高温負荷寿命および容量温度特性を有する電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体層を有する電子部品であって、前記誘電体層は、ＡがＡサイトの元素、Ｂ１がＢサイトの元素、Ｏが酸素元素をそれぞれ示す場合に、一般式がＡＢ１Ｏ_３で表わされ、Ａ／Ｂ１のモル比がγで表わされる主成分と、少なくともＡ元素とＢ１元素とを含有し、Ａ／Ｂ１のモル比αが前記γよりも小さい第１複合酸化物と、少なくともＡ元素とＢ１元素とを含有し、Ａ／Ｂ１のモル比βが前記γよりも大きい第２複合酸化物と、を有する電子部品。 （もっと読む）