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Fターム[4G031GA01]の内容

酸化物セラミックスの組成 (18,827) | 製法 (3,951) | 原料粉末の製造、処理 (472)

Fターム[4G031GA01]に分類される特許

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【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ100nm未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が50nm以上100nm未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、1000℃以上1200℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で0.5〜1.5at%である、高誘電率セラミックスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】分散性及び低温での焼結性に優れたジルコニア複合微粒子を大量かつ安価に製造することが可能なジルコニア複合微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のジルコニア複合微粒子の製造方法は、ジルコニア微粒子の分散平均粒子径が20nm以下でありかつ希土類元素イオンおよび/またはアルカリ土類金属イオンを含むジルコニア酸性分散液に、炭酸アルカリ溶液を添加して中和沈殿物を生成し、次いで、この中和沈殿物を乾燥し、この乾燥した中和沈殿物を400℃以上かつ600℃以下の温度にて熱処理し、次いで、洗浄し、炭酸アルカリ成分を除去する。 (もっと読む)


【課題】
研磨剤またはジルコニアセラミックスの焼結用原料として適するジルコニア粉末を提供する。
【解決手段】
フッ化リチウムの含有量が1〜200ppmであり、結晶子径が50nm以上であり、比表面積が10m/g以下であることを特徴とするジルコニア粉末は、粗大で硬い凝集粒子が含まれず、研磨剤並びに焼結用原料として好適な粉末となる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ペロブスカイト粉末、その製造方法及びそれを利用した積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、表面に硫化物及び硫黄を含む塩で構成された群から選択された一つ以上の被膜層が形成されたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を利用したペロブスカイト粉末を合成する際に、硫化物及び硫黄を含む塩で構成された群から選択された一つ以上の被膜層を形成することにより、粒子の粒成長を抑制した高結晶性微粒のペロブスカイト粉末を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、高い比誘電率を有する強誘電体を提供すること。
【解決手段】格子定数が下記式(1):
1≦(a/a)×100≦80 (1)
(式(1)中、aは第一強誘電材料の格子定数であり、aは第二強誘電材料の格子定数であり、a>aである。)
で表される条件を満たす第一強誘電材料および第二強誘電材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、前記第一強誘電材料および前記第二強誘電材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造強誘電体。 (もっと読む)


【課題】本発明は、粉砕用ジルコニア焼結体を一旦粉砕・溶解して得られるリサイクルジルコニア粉末を用いてジルコニア焼結体を得ることで、資源を有効に利用できるとともに、ジルコニア焼結体の強度、靭性を向上させることにある。
【解決手段】本発明は、粉砕用ジルコニア焼結体を用いてリサイクルジルコニア粉末を製造する方法において、(1)粉砕用ジルコニア焼結体を、粉砕してジルコニア粒子とする工程、(2)粉砕工程で得られたジルコニア粒子を、酸で溶解する工程、(3)溶解工程で得られた溶解液を、水で希釈する工程、(4)希釈工程で得られた希釈液を、共沈法、加水分解法、水熱合成法または噴霧乾燥法によりジルコニア粉末前駆体を調製する工程、(5)前駆体調製工程で得られた前駆体を、乾燥・仮焼してリサイクルジルコニア粉末とする工程、を用いることを特徴とするリサイクルジルコニア粉末の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物(ABO)を含有し、化合物100モルに対して、各酸化物換算で、RA(RAはDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.6〜2.5モル、RB(RBはHoおよび/またはY)を0.2〜1.0モル、RC(RCはYbおよび/またはLu)を0.1〜1.0モル含有し、Mg酸化物を、Mg換算で0.8〜2.0モル、Si化合物をSi換算で1.2〜3.0モル含有し、RAの含有量(α)、RBの含有量(β)およびRCの含有量(γ)が、1.2≦α/β≦5.0、0.5≦β/γ≦10.0である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが5.0μm以下の電子部品に適用することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ガーネット型イオン伝導性酸化物において、伝導度の低下をできるだけ抑えると共に、焼成エネルギーをより低減する。
【解決手段】ガーネット型イオン伝導性酸化物は、Liと、Laと、Zrとを含み、Laと異なる元素でありアルカリ土類金属及びランタノイド元素のうち少なくとも1種以上の元素Aと、Zrと異なる元素であり酸素と6配位をとることが可能な遷移元素及び第12族〜第15族に属する典型元素のうち少なくとも1種以上の元素Bとを含む。また、基本組成LiXLa3-YSrYZr2-ZNbZ12(式中、Xは、(La3-YSrY)の平均価数をa、(Zr2-ZNbZ)の平均価数をbとしたとき、X=24−3×a−2×bを満たし、且つ0<Y≦1.0,0<Z≦1.0)を満たす)で表されるものとしてもよい。 (もっと読む)


【課題】 共振周波数が大きく外れることなく、共振動作の最中に発生した熱を、表面から効率よく放熱することができる誘電体共振子を提供する。
【解決手段】 一方主面と、前記一方主面に平行な他方主面と、前記一方主面および前記他方主面に対して垂直な周面とを備え、前記一方主面および前記他方主面の少なくともいずれか一方に開口を有する、前記一方主面に垂直な方向に延びた複数の孔が設けられているとともに、複数の前記孔が、前記一方主面および前記他方主面に垂直な所定軸に対してn回対称(nは2以上の整数)となるように配置されていることを特徴とする誘電体共振子を提供する。 (もっと読む)


【課題】Pbを使用することなく、キュリー温度を正の方向へシフトすることができ、室温における抵抗率を大幅に低下させた半導体磁器組成物を得る製造方法、及び複雑な熱処理を行うことなく、比較的大きな厚みのある形状の材料においても、材料内部にまで均一な特性を付与することができる半導体磁器組成物の製造方法の提供。
【解決手段】組成式を[(Bi0.5Na0.5)x(Ba1-yRy)1-x]TiO3(但し、RはLa、Dy、Eu、Gd、Yの少なくとも一種)と表し、前記x、yが、0<x≦0.14、0.002<y≦0.02を満足する半導体磁器組成物の製造方法において、焼結を酸素濃度1%以下の不活性ガス雰囲気で行うことにより、室温における抵抗率を大幅に低下させかつ材料内部にまで均一な特性を付与する。 (もっと読む)


【課題】 材料に希土類を含むことなく38〜44の比誘電率を有する誘電体セラミックスを安価に作製することができ、誘電特性として、Qf値が高く、かつ広範囲な温度域における共振周波数の温度係数τfが小さく、かつ低温域(−40〜25℃)および高温域(25〜85℃)で共振周波数の温度係数τfの差(Δτf)の小さい誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタを提供する。
【解決手段】 組成式を、αZrO・βTiO・γMgO・δNbと表したとき、モル比α,β,γおよびδが、0.3200≦α≦0.5700,0.2800≦β≦0.5300,0.0101≦γ≦0.0774,0.0199≦δ≦0.1526,α+β+γ+δ=1および0.5<γ/δ≦1を満足
し、前記組成式の成分100質量%に対して、CaをCaO換算で0.01質量%を超え0.3質量%以下含む誘電体セラミックスである。 (もっと読む)


【課題】 圧電特性を保持するとともに、還元雰囲気中での焼成においても高い絶縁抵抗率を有する圧電セラミックスおよび積層型圧電素子を提供する。
【解決手段】 組成式(Ba1−x、Ca(Li、Mn、Ti1−y−z)O3(2/3+j/3−y/2−z/3)(ただし、0.005≦x<0.100、0<y≦0.020、0≦z≦0.003、1.000≦j≦1.040)で表される主成分に対して、副成分としてAlを1.000mol%以下(0を含まず)、含有することを特徴とする圧電セラミックス。 (もっと読む)


【課題】非鉛系でありながら安価で実用価値のある圧電部品を容易に得ることがきる圧電磁器組成物及び圧電部品を実現する。
【解決手段】圧電磁器組成物は、一般式{(1−x)(Bi,Na)TiO・xBa(Cu,Nb)O}で表わされる複合酸化物を主成分として含有し、前記xが、0.02≦x≦0.08(好ましくは、0.0475≦x≦0.055)である。MnOが、主成分100モル部に対し、0.98モル部以下の範囲で含有されているのが好ましい。また、Ba(Cu,Nb)Oを組成式{Ba(Cu(1+Z)/3Nb2/3)O(9+Z)/3}で表した場合、zが0.10〜0.15であるのが好ましい。この圧電磁器組成物を使用して圧電セラミック素体1を製造し、圧電部品を得る。 (もっと読む)


【課題】クラックの発生を抑制することができるセラミックス膜の製造方法、及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属錯体を含むセラミックス膜形成用組成物を塗布してセラミックス前駆体膜を形成する塗布工程と、セラミックス前駆体膜を加熱により結晶化させてセラミックス膜を形成する結晶化工程と、を具備し、結晶化工程における膜厚の収縮率が27%以上45%以下となるようにする。 (もっと読む)


【課題】本発明では、活性表面を比較的容易に露出させることが可能な、導電性マイエナイト化合物を含む部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性マイエナイト化合物を含む部材の製造方法であって、(1)マイエナイト化合物の粉末を準備する工程と、(2)前記マイエナイト化合物の粉末を含む被処理体を焼成して、導電性マイエナイト化合物を含む部材を得る工程であって、前記部材の表面に、アルミニウム炭化物を含む層を生成させる工程と、(3)前記アルミニウム炭化物を含む層を除去する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。 (もっと読む)


【課題】 Znを含むBaTiO系のPTC素子用焼結体においてジャンプ特性に優れたPTC素子用焼結体、その製造方法、及びこのPTC素子用焼結体を用いたPTC素子、発熱モジュールを提供する。
【解決手段】 Ba、Tiを必須とするペロブスカイト系のPTC素子用焼結体であって、Znを焼結体全体に対して酸化物換算でZnO:0.0001−0.0030mol%含み、平均結晶粒径が10μm以上100μm以下であり、室温抵抗率Rrが1×10Ω・cm以下、抵抗温度係数αが0.5%/℃以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光記録媒体保護膜形成用として、割れやInの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物スパッタリングターゲットが、ZrO,InおよびZnOを含有し、ZrO相の周囲がInとZnとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。さらに、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Zr:A%,InおよびZn:残とされており、これらの成分組成が、0<A≦47.6、0.22≦In(原子比)/Zn(原子比)≦4.68、の関係を満たすことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 高屈折率低分散の光学特性を有する透光性セラミックスの製造方法およびその製造方法により得られた透光性セラミックスからなる光学素子を提供する。
【解決手段】 LaAl(2−x)(xは0.75≦x≦0.80を表す。)から成る結晶粒子の成形体を1650℃以上1800℃以下で焼結する工程を有する透光性セラミックスの製造方法。前記製造方法により得られた透光性セラミックスからなる光学素子。前記透光性セラミックスの屈折率が2.00以上、アッべ数が35以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 透光性が良好なLaAlO3セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】 LaAlO3の粉末を40℃/分以上の昇温速度で1600℃以上1800℃以下の焼結温度に加熱した後、前記焼結温度に3分以上45分以下の時間保持して焼結する焼結工程をLaAlO3セラミックスの製造方法。LaAlO3の粉末を1600℃以上1800℃以下の焼結温度に加熱して焼結して焼結体を得る焼結工程、前記焼結体を900℃以上1300℃以下の温度でアニールするアニール工程を有するLaAlO3セラミックスの製造方法。 (もっと読む)


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