【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ１００ｎｍ未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で０．５〜１．５ａｔ％である、高誘電率セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Ｍｎ、Ｍｇを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子９が、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０５原子％／ｎｍ以上である第１結晶群の結晶粒子９ａと、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０３原子％／ｎｍ以下である第２結晶群の結晶粒子９ｂとを有しており、第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａおよび前記第２の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が０．１５〜０．４０μｍであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａの面積をａ、第２の結晶群を構成する結晶粒子９ｂの面積をｂとしたときに、ｂ／（ａ＋ｂ）が０．４〜０．７である。 （もっと読む）

【課題】Pbを使用することなく、キュリー温度を正の方向へシフトすることができ、室温における抵抗率を大幅に低下させた半導体磁器組成物を得る製造方法、及び複雑な熱処理を行うことなく、比較的大きな厚みのある形状の材料においても、材料内部にまで均一な特性を付与することができる半導体磁器組成物の製造方法の提供。
【解決手段】組成式を[(Bi_0.5Na_0.5)_x(Ba_1-yR_y)_1-x]TiO₃(但し、RはLa、Dy、Eu、Gd、Yの少なくとも一種)と表し、前記x、yが、0<x≦0.14、0.002<y≦0.02を満足する半導体磁器組成物の製造方法において、焼結を酸素濃度1%以下の不活性ガス雰囲気で行うことにより、室温における抵抗率を大幅に低下させかつ材料内部にまで均一な特性を付与する。 （もっと読む）

【課題】セラミックスとセラミックスとの接合体およびその製造方法を提供する。さらには、セラミックスと透光性を有するセラミックスとの接合体、特にジルコニア焼結体と透光性セラミックスとの接合体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニア焼結体が接合材を介さずに透光性セラミックスに接合してなるセラミックス接合体である。このようなセラミックス接合体は、透光性セラミックスとジルコニア焼結体を焼成することにより、ジルコニア焼結体を収縮させて透光性セラミックスとジルコニア焼結体とを接合させる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い温度で使用可能であり、加えて従来よりも高い誘電率を有する誘電体組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式：Ｍ（１）_１−ｘＭ（２）_ｘＭ（３）_１−ｙＭ（４）_ｙＯ_{２＋ｘ―ｙ}Ｎ_{１―ｘ＋ｙ}で示される組成であることを特徴とする誘電体組成物（但し、Ｍ（１）元素はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄから選ばれる1種以上の元素であり、Ｍ（２）元素はＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（３）元素はＴｉ，Ｚｒから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（４）元素はＶ，Ｎｂ，Ｔａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｏ元素とＮ元素は酸素と窒素である。）により上記課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】燃焼再生において生じる熱応力を低減することが可能なハニカムフィルタを提供する。
【解決手段】ハニカムフィルタ１００は、隔壁１２０により仕切られた複数の流路１１０を有し、複数の流路１１０が複数の流路１１０ａと複数の流路１１０ｂとを有しており、複数の流路１１０ｂにおける一の流路１１０ｂと他の流路１１０ｂとが互いに隣接しており、流路１１０ｂの断面が長辺１５０ａと短辺１５０ｂとを有しており、流路１１０ａの辺１４０のそれぞれが、流路１１０ｂの長辺１５０ａと対向しており、流路１１０ｂの短辺１５０ｂのそれぞれが、隣接する流路１１０ｂの短辺１５０ｂと対向しており、隣接する流路１１０ｂ同士を仕切る隔壁１２０ｂの厚みが、流路１１０ａと流路１１０ｂとを仕切る隔壁１２０ａの厚みよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 圧電特性を保持するとともに、還元雰囲気中での焼成においても高い絶縁抵抗率を有する圧電セラミックスおよび積層型圧電素子を提供する。
【解決手段】 組成式（Ｂａ_１−ｘ、Ｃａ_ｘ）_ｊ（Ｌｉ_ｙ、Ｍｎ_ｚ、Ｔｉ_{１−ｙ−ｚ}）Ｏ_{３（２／３＋ｊ／３−ｙ／２−ｚ／３）}（ただし、０．００５≦ｘ＜０．１００、０＜ｙ≦０．０２０、０≦ｚ≦０．００３、１．０００≦ｊ≦１．０４０）で表される主成分に対して、副成分としてＡｌを１．０００ｍｏｌ％以下（０を含まず）、含有することを特徴とする圧電セラミックス。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体４を作製する工程とを有し、緩衝粉３を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体４の膨張により緩衝粉３による焼結体が割れる粉末とする。 （もっと読む）

【課題】本発明では、活性表面を比較的容易に露出させることが可能な、導電性マイエナイト化合物を含む部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性マイエナイト化合物を含む部材の製造方法であって、（１）マイエナイト化合物の粉末を準備する工程と、（２）前記マイエナイト化合物の粉末を含む被処理体を焼成して、導電性マイエナイト化合物を含む部材を得る工程であって、前記部材の表面に、アルミニウム炭化物を含む層を生成させる工程と、（３）前記アルミニウム炭化物を含む層を除去する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】 透光性が良好なＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＬａＡｌＯ３の粉末を４０℃／分以上の昇温速度で１６００℃以上１８００℃以下の焼結温度に加熱した後、前記焼結温度に３分以上４５分以下の時間保持して焼結する焼結工程をＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法。ＬａＡｌＯ３の粉末を１６００℃以上１８００℃以下の焼結温度に加熱して焼結して焼結体を得る焼結工程、前記焼結体を９００℃以上１３００℃以下の温度でアニールするアニール工程を有するＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高屈折率低分散の光学特性を有する透光性セラミックスの製造方法およびその製造方法により得られた透光性セラミックスからなる光学素子を提供する。
【解決手段】 Ｌａ_ｘＡｌ_{（２−ｘ）}Ｏ_３（ｘは０．７５≦ｘ≦０．８０を表す。）から成る結晶粒子の成形体を１６５０℃以上１８００℃以下で焼結する工程を有する透光性セラミックスの製造方法。前記製造方法により得られた透光性セラミックスからなる光学素子。前記透光性セラミックスの屈折率が２．００以上、アッべ数が３５以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる光メディアの干渉層をＤＣスパッタリングにより製造可能なスパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなり、比抵抗が０．００１Ωｃｍ〜１Ωｃｍである光メディア用スパッタリングターゲットを提供する。また、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなる組成を有する原料粉体を不活性雰囲気中または真空中で焼成する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】組成式ＴｉＯ_ｘ（１．４≦ｘ≦１．８）で表されるチタン酸化物と同等の性能を持ち、安価で、取り扱い時に微粉が発生しないチタン酸化物系の焼結蒸着材料を提供する。
【解決手段】前記蒸着材料は、組成式ＴｉＯ_ｘ（１．４≦ｘ≦１．８）で表されるチタン酸化物からなる主成分と、ガーネット構造をとる化合物と、を含む焼結体とする。あるいは、組成式ＴｉＯ_ｘ（１．４≦ｘ≦１．８）で表されるチタン酸化物からなる主成分と、酸化イットリウムと、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及び酸化イッテルビウムから選択される少なくとも一種と、を含む焼結体とする。前記ガーネット構造をとる化合物は、希土類アルミニウムガーネットが好ましい。前記酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及び酸化イッテルビウムから選択される少なくとも一種は、酸化アルミニウムであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】セラミックス製転動体における焼結粒子が微細で、かつ焼結粒子が偏析するのを抑え、耐久性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】φ１ｍｍ以下のジルコニア系ビーズとともにビーズミル混合機に、平均粒度が１〜０．５μｍのジルコニア粒子または安定化ジルコニア原料粉末と、平均粒度が１〜０．５μｍのアルミナ原料粉末とを、アルミナ原料粉末が原料混合粉末全量の５〜５０質量％の割合となるように投入して粉砕混合し、粒度累積分布曲線においてｄ９０が０．３０μｍ以下、出現比率の最も大きい粒子径が０．１５μｍ以下、かつ、粒度頻度分布幅が０．０６μｍ以下である混合粉末を得る混合工程と、前記混合工程で得られた混合粉体を転動体の形状に成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形体を焼結する焼結工程とを経て転動体を作製する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力を有し、しかも該吸着力が面内で均一であり機械的強度に優れ、残留吸着力の低い静電チャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化イットリウムアルミニウム結晶相（Ａ）又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムでない希土類元素で置換してなる結晶相（Ｂ）と、イットリウムを除く希土類元素−アルミニウム酸化物結晶相（Ｃ）とを含む複合酸化物焼結体を含み、Ｘ線回折プロファイルに基づき所定の式で算出される結晶相（Ｃ）の含有率が０．０５％以上１０％以下である静電チャック及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 室温抵抗率が小さく且つ経時変化率が小さい半導体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体磁器組成物の製造方法であって、前記半導体磁器組成物の組成は、組成式(Bi_0.5A_0.5)_W(Ba_1-XR_X)_1-W](Ti_1-YＭ_Y)O₃
で表され、かつ前記半導体磁器組成物の全体を100mol%としてCaを５mol％超30mol%以下含むものであり、BaCO₃相とTiO₂相の少なくとも一方を含む仮焼粉を製造する工程と、前記仮焼粉を成形して焼結する工程を有することを特徴とする半導体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い出力でも安定してスパッタリング可能で、割れの少ないＢｉＴｉ系酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＢｉとＴｉとを含む金属酸化物相を含むＢｉＴｉ系酸化物スパッタリングターゲットであって、熱伝導率が、１．４Ｗ／ｍｋ以上である。また、このスパッタリングターゲットの製造方法としては、Ｂｉの酸化物とＴｉの酸化物とを粉砕混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を仮焼して仮焼粉とする工程と、該仮焼粉に酸化硼素を１〜９ｍｏｌ％（硼素換算で０．４〜３．６ａｔ％）添加したものを解砕混合して添加仮焼粉とする工程と、該添加仮焼粉を真空または不活性ガス雰囲気中で圧力を加えながら加熱して焼結させる工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性（寿命特性）に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】（Ｂａ_1-x-y，Ｃａ_x，Ｓｒ_y）（Ｔｉ_1-a，Ｇｅ_a）Ｏ₃で表わされ、０≦ｘ≦０．２０，０≦ｙ≦０．４０，０．００１≦ａ≦０．２０を満たすペロブスカイト化合物を主成分とし、このぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有させる。
また、（Ｂａ_1-x-y，Ｃａ_x，Ｓｒ_y）（Ｔｉ_1-a，Ｇｅ_a）Ｏ₃で表されるぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対し、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を、各元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有させる。 （もっと読む）

【課題】強化ガラス基板からなるハードディスクよりも衝撃に強く剛性が高いハードディスクを形成することが可能な基板を提供する。
【解決手段】基板１０は、スピネルからなる、ハードディスク用の基板１０である。基板１０のヤング率は１５０ＧＰａ以上３５０ＧＰａ以下であることが好ましい。また、前記基板の一方の主表面１０ａの平均粗さＲａの値が０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である。基板１０を構成するスピネルの組成としてはたとえばＭｇＯ・ｎＡｌ２Ｏ３（１≦ｎ≦３）が挙げられる。 （もっと読む）