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Fターム[4G047AB01]の内容

重金属無機化合物 (11,210) | 製造及び処理(亜鉛化合物) (466) | 乾式製造法 (80)

Fターム[4G047AB01]に分類される特許

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【課題】 酸化物半導体膜を用いたTFTでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】TFT101は、基板としての絶縁性基板10上のゲート電極11、ゲート電極11上のゲート絶縁膜12、ゲート絶縁膜12上の酸化物半導体膜13、及び、酸化物半導体膜13上のソース・ドレイン電極14を有する。そして、TFT101の特徴は、酸化物半導体膜13のソース・ドレイン電極14が重ならない部分に、フッ素及び塩素の少なくとも一方を含む表面層15が存在することである。 (もっと読む)


【課題】複雑で設計の自由度が高く、粒子構造に応じた機能を発現可能な階層構造の粒子集合体、及び、該粒子集合体を簡便かつ安価な方法で製造可能とする階層構造の粒子集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の階層構造の粒子集合体は、基板と、該基板上に形成したテンプレートと、該テンプレート上に形成されたナノ構造体とを備える階層構造の粒子集合体であり、前記テンプレートは、球状粒子が規則的に配列された球状粒子層が前記基板側から前記ナノ構造体側に向けて少なくとも2層積層されて形成され、前記球状粒子の粒径サイズは、前記球状粒子層間で異なり、前記基板側から前記ナノ構造体側に向けて小さく、前記ナノ構造体は、前記テンプレートの最表層を形成する前記球状粒子層における個々の前記球状粒子上に配され、前記球状粒子の粒径サイズよりも小さな粒径のナノ粒子で形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Euが光学的に活性化したZnO:Eu膜に十分な水素が存在する状態が得られるようにする。
【解決手段】第1工程S101で、基板101の上にEuがドープされたZnOからなる薄膜102を形成する。次に、第2工程S102で、水素が存在する雰囲気の加熱により薄膜102の中に水素が含まれた状態として薄膜102のEuを活性化する。例えば、第1工程では、H2Oガスを導入するスパッタ法で、薄膜102を形成すればよい。この場合、Euを含有するZnOからなるターゲットを用いた電子サイクロトロン共鳴スパッタ法を用いればよい。 (もっと読む)


【課題】帯電静電防止を目的としたフィラー用途、更には透明導電膜形成のための導電ペースト原料などの用途に好適な均質で高導電性の酸化亜鉛粉末を安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】亜鉛を加熱して得られる亜鉛含有蒸気と、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、あるいは沃化アルミニウムのうち、少なくとも1種類以上を加熱して得られるハロゲン化アルミニウム含有蒸気とを流動し、それぞれの流動方向が90度以上の角度で前記亜鉛含有蒸気と前記ハロゲン化アルミニウム含有蒸気を合流させることによって混合する混合工程と、該混合工程で混合された混合蒸気を酸化性ガスと接触させることによって酸化させる酸化工程とを備えた導電性酸化亜鉛粉末の製造方法であって、前記亜鉛含有蒸気と前記ハロゲン化アルミニウム含有蒸気とが合流開始してから酸化性ガスと接触するまでの時間が3.0〜10.0ミリ秒以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】鉄鋼ダスト中に含まれる亜鉛の揮発率を向上させることができる鉄鋼ダスト還元焙焼用原料ペレット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の鉄鋼ダスト還元焙焼用原料ペレットは、鉄鋼ダストを還元焙焼する粗酸化亜鉛の製造工程において用いられ、鉄鋼ダストと、炭素質還元剤と、前記鉄鋼ダストと前記炭素質還元剤とを付着しうるバインダーと、からなり、前記鉄鋼ダストの表面に、前記炭素質還元剤が前記バインダーを介して付着していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】希少金属を使用せず、安価であり、優れた機械的強度とともに、良好な化学的耐久性を有する透明導電性基板、これを用いた電子デバイスおよびタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明導電性基板1は、絶縁性を有する透明基板12と、前記透明基板12上に形成された酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物を低原子価金属/亜鉛の原子数比で0.02〜0.1の割合となるようにドープし、比抵抗が、2.0×10-3Ω・cm以下である透明導電膜13とを少なくとも備え、前記透明導電膜13は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積(PLD)法またはエレクトロンビーム(EB)蒸着法にて成膜される。 (もっと読む)


【課題】安定放電可能な酸化物焼結体ターゲット、および低抵抗かつ可視光域から近赤外域の広範囲で高い透過率を有する透明導電膜を提供する。
【解決手段】亜鉛、元素L(Lはアルミニウムおよび/またはガリウム)、スカンジウム並びに酸素から成る複合酸化物焼結体であって、原子比が、
L/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.001〜0.100
スカンジウム/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.001〜0.100
である酸化物焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜し、原子比が
L/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.002〜0.100
スカンジウム/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.002〜0.100
である透明導電膜を得て、それを受光素子に使用する。 (もっと読む)


【課題】従来の酸化亜鉛を主成分とするn型酸化物半導体と比較して、より高い熱電変換特性を発揮すると共に、高い耐熱性を有する酸化亜鉛を主成分とするn型酸化物半導体(n型熱電変換素子)を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする基部11の表面を、基部を構成する酸化亜鉛の再酸化を抑制するように、金属酸化物からなる被膜部12で覆っており、該金属酸化物を周期律表の4A族、5A族、6A族の遷移金属元素、および4B族の典型金属元素のうち、価数が4価、5価、あるいは6価のいずれかである金属元素の金属酸化物とする。 (もっと読む)


【課題】 低抵抗で高透過性の透明導電膜積層体及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明導電膜(I)上に、透明導電膜(II)が積層された透明導電膜積層体において、透明導電膜(I)は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる1種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−2.18×[Al]+1.74≦[Ga]≦−1.92×[Al]+6.10で示される範囲内である。透明導電膜(II)は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる1種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−[Al]+0.30≦[Ga]≦−2.68×[Al]+1.74で示される範囲内である。但し、[Al]は、Al/(Zn+Al)の原子数比(%)で表したアルミニウム含有量であり、一方、[Ga]は、Ga/(Zn+Ga)の原子数比(%)で表したガリウム含有量である。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛透明導電膜中の酸素欠損を制御することで耐湿性を改善した透明導電膜付基板を提供する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも透光性基板と、酸化亜鉛層とを備える透明導電膜付基板であって、酸化亜鉛層のラマンスペクトルピーク強度比をE(high)/A(LO)>2.0としたことを特徴とする、透明導電膜付基板。本発明によれば、酸化亜鉛層を備える透明導電膜付基板の耐湿性を著しく改善することができるため、当該基板を備えた薄膜光電変換装置は、例えばシート抵抗変化率が小さいなど、優れた耐環境信頼性を発現できる。 (もっと読む)


【課題】太陽電池や平面発光体の基板材料に関するものであり、高い光散乱性と透過特性をあわせもつ透光性基板を提供する。
【解決手段】少なくとも、ガラス基板と、該ガラス基板上に形成した凹凸形成層からなる凹凸基板であって、
該凹凸形成層表面の凹凸形状は、複数のドーム状突起またはボウル状窪みが分布したものであり、ドーム状突起またはボウル状窪みの平均サイズは50〜1800nmで、凹凸形成層は実質的に直径100nm以上の粒子を含まず、頂点傾斜角が20°以上60°未満、中間点傾斜角が30°以上70°未満、かつ頂点傾斜角と中間点傾斜角の差が10°以上であることを特徴とする凹凸基板。 (もっと読む)


【課題】低膨張、高強度であり、且つ低温で固相反応し得る耐火性フィラー粉末およびその製造方法を創案することにより、封着材料の低廉化を図るとともに、封着部位の破損及び未反応の原料に起因する封着不良を防止すること。
【解決手段】本発明の耐火性フィラー粉末は、主結晶相がウイレマイト及びガーナイトであることを特徴とし、ウイレマイトとガーナイトの割合が、モル比で99:1〜70:30であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】圧力センサとその製造方法において、従来よりも微小な領域の圧力を測定できるようにすること。
【解決手段】チャンネルとしてグラフェン層3を備えたトランジスタTRと、トランジスタTRのゲート5上に片方の端部が接続された圧電材料を含むナノワイヤ8とを有する圧電センサ10による。 (もっと読む)


【課題】薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、p型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とp型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をZn:O=1+N:1(ただし、N>0)としたことを特徴とする、光電変換装置。 (もっと読む)


【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約200nm未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも2つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー(LOHN)及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー(COHN)を含む。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で短時間に低コストでかつ高密度の無機化合物バルク体を得ることのできる無機化合物バルク体の製造方法、無機化合物バルク体並びに半導体抵抗素子材を提供する。
【解決手段】密閉容器と密閉容器内に向けて衝撃波を供給する衝撃波発生手段と、を用意する。密閉容器内に固化対象の無機化合物粉末部と、金属粉末部と、を隣接配置し、衝撃波発生手段により金属粉末部側から密閉容器内に向けて衝撃波を供給し、その際の衝撃波発生手段の衝撃エネルギーにより金属粉末部を介して無機化合物粉末を瞬時圧縮溶融し、徐冷固化することで、クラックのない高密度の無機化合物バルク体を得る。 (もっと読む)


【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 (もっと読む)


【課題】簡易なプロセスにより、内部にポアなどの欠陥が少ない高品質な焼結体(酸化物セラミックス)を形成することが可能な酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る酸化物セラミックスの製造方法は、Mg、Zn、Alからなる群から選択される少なくとも一種の金属元素を含む酸化物セラミックスの製造方法である。当該製造方法には、コア部材18の表面上に、気相合成法を用いて金属元素の酸化物微粒子堆積層を堆積させて微粒子堆積体19を形成する工程と、上記微粒子堆積体19を加熱する工程とを備える。上記酸化物セラミックスはスピネル(透光性スピネルセラミックス20)であることが好ましく、上記加熱する工程の後に微粒子堆積体19を緻密化する工程を備えることがさらに好ましい。 (もっと読む)


【課題】結晶性に優れ、基板に対して配向成長したp型ZnOナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたP(リン)を含有するZnOターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のc面に配向成長したリンを含有するp型ZnOナノ構造体が形成される。特に圧力及び温度を適宜選択することにより、p型ZnOナノ構造体として、p型ZnOナノワイヤやp型ZnOナノシートを形成することができる。該ZnOナノ構造体は、紫外線センサなどの半導体デバイスとして好適に使用できる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、従来技術における問題を解決する中空のナノチューブ構造の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明のナノチューブの製造方法は、以下のステップを備える。基板1を準備する。前記基板1上に先ずシード層11を形成させてから、水熱法によって相対的に低い温度下で前記シード層11上に所定のサイズを有するナノワイヤを成長させる。前記ナノワイヤの表面に外部被覆層を形成させる。前記外部被覆層の先端に選択エッチングを施して、前記ナノワイヤの先端を露出させる。前記ナノワイヤ全体を取り除いて、中空状の前記外部被覆層を残して、数個のナノチューブ3’を形成させる。前記製造方法は、ナノチューブの製造工程を簡素化し、ナノチューブのサイズの精度及び素子の光電特性を高める。 (もっと読む)


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