【課題】本発明は、酸化物超電導層を用いたコイル構造であっても接続部分のない閉回路を実現でき、従来技術では不可能とされていた２０〜７７Ｋの温度領域での永久電流モードの超電導コイルを提供することが可能な技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導コイルは、リング状の金属製の基材と該基材の上方に設けられたリング状の中間層とリング状の酸化物超電導層を備えた酸化物超電導リング積層体が、複数、厚さ方向に積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｉｃとｎ値を独立に制御することが可能で、Ｉｃ、ｎ値ともに大きな値を有するテープ状高温超電導線とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の芯線が配置されて構成されているテープ状高温超電導線の製造方法であって、所望のｎ値に対応して、芯線の数を増加させると共に、過剰な一次焼結の進行を防止してＩｃを増加させるように、一次焼結時間を調整する。また、所望のｎ値に対応して、芯線の数を増加させると共に、一次焼結後における単相度に対応して、一次焼結後の圧延工程における圧延圧下率を調整する。そして、芯線の数を、１５０本以上に増加させる。これらの製造方法を用いて製造され、ビスマス系高温超電導線であるテープ状高温超電導線。 （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と配向性を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】０．６〜数μｍ程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、塗布熱分解法における仮焼成工程の前に、ＫｒＣｌ紫外エキシマランプ光を１５ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で照射することにより、仮焼成工程で得られる仮焼成膜の元素分布の均一性が著しく向上し、その後の本焼成工程を経て、大きい膜厚と配向性をもつ超電導膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】ＲＥＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-x相中にＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材で、パルス着磁法で繰り返し着磁しても、強い磁場で、対称的に均一な磁場を有する超伝導バルク磁石にできる酸化物超伝導バルク磁石部材を提供する。
【解決手段】ＲＥＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-x（ＲＥは、希土類元素又はそれらの組み合わせ。ｘは、酸素欠損量であり、０＜ｘ≦０．２である。）相中にＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相が分散した酸化物バルク体を組み合わせた酸化物超伝導バルク磁石部材であって、前記酸化物バルク体が、複数で入れ子に配置され、前記入れ子に配置された各酸化物バルク体間に、０．０１ｍｍ以上０．４９ｍｍ以下の隙間を有し、前記隙間の少なくとも一部に樹脂、グリース又は半田を有することを特徴とする酸化物超伝導バルク磁石部材である。 （もっと読む）

【課題】良好な配向性を維持したまま高い強度を有する膜形成用配向基板および超電導線材を提供する。
【解決手段】膜形成用配向基板５Ａは、無配向で非磁性の第１の金属層１と、その第１の金属層１に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第２の金属層２とを備えている。第１の金属層１は第２の金属層２より高い強度を有している。 （もっと読む）

【課題】室温超伝導体を開発するための有力な方策は、これまでとは異なる視点から材料
を見つめ、新たな超伝導化合物を見出し、超伝導化合物の系を拡げていくことである。
【解決手段】化学式[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ＋２{1−（ｘ＋２ｙ)
}ｅ⁻] (Ａはケージに包接された、ＯＨ⁻、Ｏ⁻又はＯ_２⁻のいずれか１種以上、０≦
ｘ＋２ｙ≦０．５)で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物であることを特徴
とする化合物超伝導体。化学式が[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ] (Ａは
ケージに包接された、ＯＨ⁻、Ｏ⁻又はＯ_２⁻のいずれか１種以上、０≦ｘ≦１、ｙ＝１
−ｘ) で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物を磁性イオンが含有されない方
法で調製し、該化合物のケージに包接されたＯ^２−及びＡの合計（ｘ＋２ｙ）の５０原子
％以上を電子で置換することにより作成できる。 （もっと読む）

【課題】 着磁性能に優れた酸化物超伝導磁石材料及び良好に着磁された酸化物超伝導磁石システムを提供する。
【解決手段】 補強リング１００の内周面の突起部１０１まで超伝導体２００をはめ込むことにより固定するとともに、沸騰した冷媒を速やかに超伝導体間の隙間から外へ放出するためには、補強リング１００の側面に円形の開口部(穴)１０２をギャップに対応する位置に多数設ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トップシード溶融凝固法においてファセットの成長が失敗した試料を再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる方法の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、トップシード溶融凝固法によってファセットが生成しないか、ファセットが生成したとしても前駆体中心部で生成停止した状態の未発達ファセット状態の試料に対し、結晶成長のための処理を複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する段階降温等温処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）