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Fターム[4G047JC03]の内容

重金属無機化合物 (11,210) | 超電導材料の組成 (443) | Cuを含む酸化物 (362) | RE−AE−Cu−O +α* α≠RE,AE (29)

Fターム[4G047JC03]に分類される特許

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【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 (もっと読む)


【課題】 バルク体全体の臨界電流密度の向上および制御により疑似永久磁石等の性能を大幅に改善でき、また、現存の加速器により実施可能で、しかも、複数のバルク体の臨界電流密度のばらつきを抑制してアンジュレータの性能向上も図れるバルク超伝導体の臨界電流密度制御方法、及びアンジュレータ用バルク超伝導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 バルク状の第二種超伝導体に対し、エネルギーが前記バルク体を透過可能な大きさで、かつ、柱状欠損の生成閾値よりも低い粒子ビームを照射して臨界電流密度の制御を行った。 (もっと読む)


【課題】基板の表面粗さに起因する超電導特性の低下を抑制し、かつ、生産効率の良い、Re系酸化物超電導線材を提供すること。
【解決手段】基板11の直上にMOD法により第1中間層12を形成し、第1中間層12の上にMOD法により酸化セリウムからなる第2中間層13を形成し、第2中間層13の直上にMOD法によりReBaCuOからなる超電導層14を形成する。これにより、第1中間層12、第2中間層13及び超電導層14を全てMOD法により作製するので、速い製造速度で、かつ、低い設備コストで、Re系酸化物超電導線材10を作製できる。第1中間層12の塗布工程時に、基板11の凹凸面11aの凹凸が溶液によって平滑化されるので、基板11の表面を電解研磨などによって平滑化しなくても済む。さらに、中間層を多層構造としているので、クラックの発生を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、酸素富化過程を含む酸化物超電導バルク材料の製造方法において、十分に高い超電導特性を得ることのできる酸化物超電導バルク材料の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶状のRE1+xBa2-xCu3y(REはY又は希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素、−0.1≦x≦0.1、6.8≦y≦7.2)中にRE2BaCuO5が微細分散した酸化物超電導バルク材料の製造方法であって、溶融状態から徐冷中に結晶成長させた酸化物超電導バルク材料の酸素量を酸素富化過程において富化する前に、1000K以上、1250K以下の温度で前記結晶成長させた酸化物超電導バルク材料を熱処理する酸素富化前熱処理過程を有することを特徴とする酸化物超電導バルク材料の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】噴霧された液滴をさらに微細化させて特定元素の偏析や結晶の粗大化を抑制するに際して、装置内の温度の上昇を抑制することにより温度雰囲気を安定的に制御し、さらに二酸化炭素による汚染を阻止して、安定した品質の多元系無機化合物粉末(前駆体粉末)を提供することができる粉末作製方法を提供する。
【解決手段】原料溶液を噴霧して液滴とする原料溶液噴霧工程と、噴霧された液滴に対して燃焼を伴わない衝撃波を照射する衝撃波照射工程と、燃焼を伴わない衝撃波が照射された液滴を乾燥させて、粉末状の多元系無機化合物を作製する多元系無機化合物作製工程とを有している粉末作製方法。燃焼を伴わない衝撃波が音波である粉末作製方法。 (もっと読む)


【課題】結晶化熱処理の昇温過程において水蒸気分圧を制御するとともに、酸化物超電導体中に磁束ピンニング点を導入する。
【解決手段】配向NiーW基板1上にGdZr層及びCeO層を形成した複合基板上に、Y、Ba、Cu及びDyの金属有機酸塩をDy/Y=0.1のモル比で含む原料溶液を塗布し、仮焼熱処理を施し、次いで、50Torr未満の圧力下で室温から結晶化温度730℃までの昇温過程と結晶化熱処理温度における恒温過程により結晶化熱処理を施した。昇温過程は、500℃で水蒸気分圧1.05vol%で炉内に導入され、690℃まで水蒸気分圧を4.2vol%に連続的に増加させることにより、磁束ピンニング点を均一に分散させることができ、このYBCO酸化物超電導体は100A/cm−widthのIc値及びJc,min/Jc,max=0.8(1T)の磁場印加角度依存性を示した。 (もっと読む)


【課題】低温磁場中で高臨界電流密度を有すると共に、77Kの自己磁場中においても、高臨界電流密度を維持することができるBi2223酸化物超電導体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Bi、Pb、Sr、Ln、Ca、Cu、OからなるBi2223酸化物超電導体であって、Lnは、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれた1種以上であり、SrとLnとの組成比が以下の組成比である。
Sr:Ln=(1−x):x (但し、0.002≦x≦0.015)
前記Bi2223酸化物超電導体は、Bi2223酸化物超電導体を構成する元素を含む材料を溶液中でイオン化する工程と、高温雰囲気に溶液を噴射して溶媒除去と熱分解反応を行うことにより、酸化物超電導体を構成する原子を含む粉末を製造する工程とを備えるBi2223酸化物超電導体の製造方法により製造される。 (もっと読む)


【課題】高温超伝導体(HTS)、特に被覆導体として知られる高温超伝導体、及び該被覆導体の形状の自由度を改善することを可能にする被覆導体の製造プロセスを提供する。
【解決手段】第1の予め製造されたテープ形状の被覆導体1の最上層上に第2の基板2層を備え、第1の予め製造された被覆導体のHTS層を、中立軸位置の領域とするステップと、第2の基板層で覆われた第1の予め製造された被覆導体をその長手方向軸の周りに曲げて、内側の基板層と外側の基板層との間に挟まれたHTS層を備えた、本質的に丸い断面を備えた被覆導体を得るステップと、を含む方法 (もっと読む)


【課題】本発明は、大きな強度を有し、熱はけ性の良好な酸化物超電導バルク体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、REBaCu7−X(REはYを含む希土類元素(La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luの1種または2種以上)を示す。)なる組成の酸化物超電導バルク体3を製造するに際し、酸化物超電導バルク体3を構成する元素の原料粉末を加圧成形して圧密する際、原料混合粉末中に、溶融凝固法に伴う加熱温度において溶融しない貴金属を主成分とし、且つ、直径が0.1〜1.0mm、長さが1〜20mmの短尺線状の補強体4を複数本混合して圧密し、目的の形状の前駆体1を得た後、この前駆体1に対し、溶融凝固法を適用して結晶成長させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】超電導層中に磁束ピンニング点を微細分散させることにより、磁場印加角度依存性に優れたY系酸化物超電導線材を得る。
【解決手段】2軸配向性を有する高配向性金属基板11上に、MOD法によるCe―Zr―O酸化物からなる拡散防止層12a及びRFスパッタ法によるCeO酸化物からなる反応防止層12bを順次積層した2層構造の中間層12並びにTFA―MOD法によるYBaCuからなる第1の超電導層13a及びTFA―MOD法によるY(Ce、Zr)BaCuからなる第2の超電導層13bを順次積層した2層構造の超電導層13を形成し、第2の超電導層13b中に微細に分散したBaCeO、BaZrO不純物粒子とこの粒子近傍の無配向領域が磁束ピンニング点を形成することにより、Y系酸化物超電導線材10の磁場印加角度依存性を著しく向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】磁場下における臨界電流特性の向上とともに、無磁場下における臨界電流密度の低下を抑制し、良好な臨界電流特性を有する酸化物超電導導体とその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る酸化物超電導導体1は、基体2と、該基体の一方の面上に形成された酸化物超電導層5とを備え、該酸化物超電導層はRE123系の超電導材料からなり、不純物を含まない第一超電導膜3と不純物を含む第二超電導膜4との積層体であって、前記積層体は、前記第一超電導膜と前記第二超電導膜との界面を少なくとも備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ピンニングセンターが効果的に導入されることにより、超電導特性の向上する酸化物超電導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板12と、この基板12上に形成され、結晶粒の<001>方向が前記基板に略垂直に配向し、隣接する結晶粒同士の(100)面が互いに0度以上4度以下または86度以上90度以下の傾角をなすよう配向する高い結晶性の酸化物超電導膜14を備え、酸化物超電導膜14が基板に略平行に積層される複数の高密度磁場捕捉層14a、cと、高密度磁場捕捉層14a、c間に挟まれる低密度磁場捕捉層14bとで形成される積層構造を有し、高密度磁場捕捉層14a、cの基板12に水平な断面における平均粒界幅が80nm以下であり、かつ、この平均粒界幅が低密度磁場捕捉層14bの基板12に水平な断面における平均粒界幅よりも小さいことを特徴とする酸化物超電導体10およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】 Bi2223超電導線材の臨界電流値を向上するために、Bi2223超電導相組織の配向性を向上させ、非超電導相を微細にすることができる前駆体粉末を提供する。
【解決手段】 スプレードライ法、フリーズドライ法、噴霧熱分解法等の液相法によって作製されたBi、Sr、Ca、Cuを含む複合酸化物粉末と金属Pb粉末が混合された粉末を超電導線材用前駆体粉末として用いBi2223超電導線材を製造する。本発明の前駆体粉末は、従来技術の前駆体粉末にくらべ、部分溶融温度が低下する。そのため非超電導相であるアルカリ土類酸化物の粗大化を抑える。 (もっと読む)


【課題】高いジョセフソンプラズマ周波数と高い臨界電流の双方を有する酸化物超伝導体を提供する。
【解決手段】[R(M)]Cu結晶構造(ただし、R:希土類元素、M:アルカリ土類金属とする)を有する酸化物超伝導体であって、その結晶が針状であることを特徴とし、その製造方法は、下記化学式1で表される原子組成を有する前駆体の粉末の圧粉成形体を熱処理することで針状に結晶成長させることを特徴とする。(化1)R2.85CuTe(R:希土類元素。M:アルカリ土類金属。a、b、c:原子比。x:酸素量) (もっと読む)


【課題】超電導体中に磁束ピンニング点を微細分散させることにより、磁場印加角度依存性に優れたRe系酸化物超電導線材を得る。
【解決手段】複合基板の中間層上に、Ba濃度を低減したRe系超電導体を構成する金属元素を含む有機金属錯体溶液とBaと親和性の大きいZr、Ce、Sn又はTiから選択された少なくとも1種以上の金属を含む有機金属錯体溶液からなる混合溶液中を塗布後、焼成して、人工的にZr含有酸化物粒(磁束ピンニング点)を微細分散させることにより、Jcの磁場印加角度依存性(Jc,min/Jc,max)を著しく向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】環境汚染が少なく、超伝導薄膜線材に迅速に付着し、多様な曲率の変形力にも超伝導薄膜線材の超伝導特性の低下を防止し、工程コストおよび時間を節約することができる、金属コーティング層を用いた超伝導薄膜線材およびその接合方法の提供。
【解決手段】超伝導薄膜線材、安定化材および接合防止基板をアルコールで洗浄する第1段階と、前記超伝導薄膜線材および前記安定化材の一面にそれぞれ金属コーティング層で薄くコートする第2段階と、前記超伝導薄膜線材と前記安定化材とを金属コーティング層のある一面で互いに接合させる第3段階と、前記安定化材の外側に前記接合防止基板を配置した後、ボビンに一定の張力で互いに密着するように巻線する第4段階と、前記超伝導薄膜線材と前記安定化材とが金属コーティング層で拡散接合するように熱処理する第5段階とを含んでなる、金属コーティング層を用いた超伝導薄膜線材の接合方法を提供する。 (もっと読む)


添加剤を含有する硝酸塩前駆体水溶液から、臨界電流密度(J)値が1MA/cmを超える100〜800nmのReBCO膜を作製した。硝酸バリウムの結晶化を抑制するために、ポリエチレングリコール(PEG)およびスクロースなどの添加剤を選択した。これにより、より高濃度の溶液が得られ、亀裂のないより厚い単層が得られる。さらに水溶性粘度調整剤(例えば、ポリビニルアルコール(PVA)またはセルロース誘導体)を使用することで、厚さを増大させ、セラミック表面の濡れを可能にした。熱処理中に高温の水蒸気が存在すると、膜は損傷するが、低温における水蒸気の役割についてはまだ調査中である。
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【課題】複数のLn系超電導体の原料溶液を混合することによって得られる混合超電導体膜の格子定数を調整することができ、基板上に厚膜を形成したときにc軸配向粒子を高い比率で含み、高い特性を示す酸化物超電導体を提供することにある。
【解決手段】主成分が一般式LnBa2Cu37-x(ここで、LnはGd,Tb,Dy,Ho,Er,TmおよびYからなる群より選択される2種以上であり、各々の元素の含有率は10〜90モル%である)で表され、モル比で銅の10-2〜10-6のフッ素を含む酸化物超電導体。 (もっと読む)


【課題】残留フッ素量が低く、膜厚が厚く、しかも高い超電導特性を示す酸化物超電導体を提供する。
【解決手段】基板上に、イットリウムおよびランタノイド族(ただしセリウム、プラセオジウム、プロメシウム、ルテニウムを除く)からなる群より選択される少なくとも1種の金属Mと、バリウムと、銅とを含む酸化物の膜として形成され、平均膜厚が350nm以上、平均残留炭素量が3×1019atoms/cc以上、残留フッ素量が5×1017〜1×1019atoms/ccであり、前記膜を膜表面または基板との界面から厚さ10nm毎に複数の領域に区分して分析したとき、互いに隣接する2つの領域における銅、フッ素、酸素または炭素の原子比が1/5倍から5倍の範囲内である酸化物超電導体。 (もっと読む)


【課題】従来の方法によって製造された酸化物超電導体はクラックが発生し磁場特性が悪い欠点があった。
【解決手段】本発明においては、RE−Ba−Cu−O系(REは希土類元素を示す)の酸化物超電導体の前駆体とセラミックス基板の間に、互いに離間して配列とされている面積が略300平方mm2以下の多数の板状前駆体溶融バルクを中間層として介挿し、上記前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体形成する。 (もっと読む)


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