常伝導金属で取り囲まれた超電導芯線を含んでなる２つの超伝導体、特に二ホウ化マグネシウム超伝導体、の間の接続構造を製作する方法であって、マグネシウムとホウ素とからなる物質混合物にマグネシウムの溶融温度を低下させる物質を添加し、前記芯線の露出端部を前記物質混合物と接触させて、該物質混合物を前記低下させられた溶融温度に相当する反応温度においてその場で反応させて二ホウ化マグネシウムを生成させる方法である。 （もっと読む）

【課題】２バンド超伝導体を代表とする多バンド超伝導体において、ドメイン構造をとることが困難であり、ドメイン壁を薄くするために、ドメイン壁の生成エネルギーを大きくするとドメイン壁が作りづらいという問題があった。ドメイン壁を超伝導体内に発生せしめて、磁束のピン止めの向上と、ドメイン壁を使った情報処理技術を提供することを目的とする。
【解決手段】バンド間位相差の２πの周期で変動するポテンシャルと、π以下で変動するポテンシャルを拮抗せしめ、それによって、多バンド超伝導体の中に、時間対称性の破れを生じさせ、ドメイン壁の薄いドメイン構造を有する多バンド超伝導体を実現する。 （もっと読む）

【課題】ＭｇとＢとの反応における不均一を抑制し、線材の長尺化が可能で、超電導性能が高いＭｇＢ_２超電導線材を提供する。
【解決手段】二ホウ化マグネシウムを含む超電導コア部と、この超電導コア部を覆う安定化層とを含む超電導線材であって、前記超電導コア部が、二ホウ化マグネシウム粉末の焼結領域である外周部と、マグネシウム粉末及びホウ素粉末を混合して反応させた反応領域である中心部とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｇＢ_２を良好な結晶配向性を維持しつつ成膜させることで、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な超電導導体を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、安定してＭｇＢ_２の結晶配向を制御し、高い超電導特性を有するＭｇＢ_２超電導導体の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体１０は、金属基材１１と、金属基材１１上に、イオンビームアシスト（ＩＢＡＤ）法により形成された３回対称ＭｇＯ（１１１）層１３と、ＭｇＢ_２層１４とが積層された積層体よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来の概念では想起し得なかった構造を持つ超電導デバイスを提供するものである。
【解決手段】
本発明の超電導素子は、導電性材料からなる導電部材と、この表面を被覆する絶縁性材料からなる被覆層と、この被覆層中に埋め込まれている超導電性材料からなる多数のナノ細線からなり、前記ナノ細線の一端が前記導電部材に電気的に接続され、他端が前記被覆層中に埋没されてなることを特徴とする。
本発明は、前記の超電導素子において、前記ナノ細線が、幹より多数の枝が分岐されてなる樹木状であることを特徴とし、前記の超電導素子において、前記超導電性材料がＭｇＢ_２であり、絶縁性材料がＭｇＯであることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、充填ワイヤにおいて超伝導材料として使用することができる、特定の品質の二ホウ化マグネシウムの製造および使用に関する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、毒性元素を用いないで超電導現象を発現させることが可能な鉄系超電導物質を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の鉄系超電導物質は、以下の式１を満たすように、ＦｅＴｅ合金にＳをドープした組成よりなることを特徴とする。
＜式１＞
Ｆｅ（Ｔｅ_１−ｘＳ_ｘ）_ｙ （０＜ｘ＜１， ０．８＜ｙ＜＝１）
本発明は、鉄系超電導物質において、正方晶のＰｂＯ構造（空間群Ｐ４／ｎｍｍ）を取ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度Ｊ_ｃを実質的に増加させる超伝導線材を作製する方法を提供する。
【解決手段】超伝導線材を作製する方法であって、延伸中間要素が、変形ステップで初期要素から形成され、最終反応熱処理により、超伝導フィラメントが形成される方法は、最後の反応熱処理に先立って、変形ステップに続く１つ以上の高圧高密度化ステップにおいて中間要素中のフィラメントの密度が高められ、前記高密度化ステップでは、軸長Ｌを有する中間要素の一部分上に高圧Ｐ≧１００ＭＰａがつくり出され、延伸中間要素の軸に対して垂直な少なくとも４つの硬表面へ同時に作用されることを特徴とする。このことが、臨界電流密度Ｊ_ｃを実質的に増加させ、これによって、異方性因子Γはほとんど影響を受けることなく、ほぼ等方性の線材またはテープの生産が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 多層カーボンナノチューブと少なくとも同程度の高温で超伝導状態となることができる超伝導膜構造及びその作製方法の提供。
【解決手段】超伝導膜構造は、基板上に複数の単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ膜が形成されてなる超伝導膜構造であって、前記単層カーボンナノチューブが、前記単層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型単層カーボンナノチューブである。 （もっと読む）

超伝導体構造物は、基板の表面に沿って、基板内にチャネルを形成することと、基板のチャネル内に材料を堆積させることであって、材料は、超伝導体材料および超伝導体材料の前駆体のうちの１つを含む、ことと、単一の凝集構造物として形成される細長い超伝導体ワイヤを形成するように基板のチャネル内で物質を熱処理することとによって製造される。基板は、チャネル内に形成された超伝導体ワイヤを有する複数のチャネルをさらに含み得る。さらに、互いに対して異なる空間位置に配列された個別の超伝導体ワイヤの束を含むケーブルが形成される。
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【課題】ペロブスカイト型銅酸化物に代わる新しい化合物組成からなる超伝導体を見出す
こと。
【解決手段】化学式Ａ（ＴＭ）_２Ｐｎ_２［ただし、Ａは、１族元素、２族元素又は３族元
素（Ｓｃ，Ｙ及び希土類金属元素）から選ばれる少なくとも１種、ＴＭは、Ｆｅ，Ｒｕ，
Ｏｓ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの遷移金属元素から選ばれる少なくとも１種、Ｐｎは、１５族元
素（プニコゲン元素）から選ばれる少なくとも１種である。］で表され、（ＴＭ）Ｐｎ層
とＡ元素からなる金属層とが交互に重なる無限層結晶構造を有する化合物からなることを
特徴とする超伝導体。 （もっと読む）

【課題】
in−situ法を用いたＣｕ／Ｆｅ複合シースＭｇＢ₂線材の長尺化と高いＪｃを両立させる中間熱処理条件を提供する。
【解決手段】
Ｃｕ／Ｆｅ複合シースＭｇＢ₂線材におけるＣｕとＦｅのシース厚み比を、Ｃｕが１に対してＦｅを１.５以上にした複合シース材を用い、その複合材にＭｇとＢを充填して構成される線材を、加工工程の途中で５００〜５４０℃の中間熱処理を行いつつ伸線加工する。これにより、高Ｊｃ化と長尺化を両立したin−situ法Ｃｕ／Ｆｅ複合シースＭｇＢ₂線材を作製できる。 （もっと読む）

【課題】Ｔｃが高く、ピンニング力の大きい超伝導体を提供する。
【解決手段】ＭｇＢ₂からなる超伝導物質層と、ＭｇＢ₂及びＮｉからなるメッシュ状の混合層とを交互に積層し、磁場を印加した場合に、内部に侵入する量子化磁束の間隔と混合層とが一致するように膜厚を調製することにより、量子化磁束によって生じるローレンツ力を効率良くピンニングし、なおかつ、ピンニングセンター層を含まない超伝導体と同等の超伝導転移温度を保持する。 （もっと読む）

【課題】既存のＣＴＦＦ法による超伝導芯線材の製造方法を改良して、高い臨界電流及び磁気場特性を有する長線化されたＭｇＢ_２超伝導芯線材を安価に得る。
【解決手段】ＭｇＢ_２超伝導芯線材の製造方法は、帯状の金属被覆材を連続的に供給し、U字管状に成形する段階；ＭｇＢ_２超伝導体粉末を上記U字管状の被覆材の内部に充填する段階；上記超伝導体粉末の充填された被覆材をO字状の管材に成形した後、上記O字状の管材の継ぎ目を溶接する段階；上記溶接された管材を圧延または引抜きする段階及び安定化材の機能を付与するために上記管材の表面に伝導性物質をメッキする段階を含んで構成される。継ぎ目を溶接することにより超伝導体粉末の変質することなく伝導体のメッキが可能になることにより、安定化材を管材の内部に挿入する工程や管材成形工程が必要なくなる。 （もっと読む）

【課題】Ａｒガス含有量を低減した超電導線材、その製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】超電導線のコア部とするための原料粉末５０と、真空環境下で前記原料粉末５０が充填された管体１２と、を有する。管体１２は真空封止されている。前記コア部は、前記管体に真空封止され状態で管体とともに線引き加工され超電導線材となる。金属製の充填用管体１１は、安定化層として機能する外側管２０と、遮断層として機能する内側管３０とを重ねて構成される二重構造の管となっている。 （もっと読む）

【課題】超伝導ワイヤにおける永続性ジョイントを形成する方法を提供する。
【解決手段】低抵抗率ジョイント（１３６、１５０、１６４、１６６、１７０）を用いてワイヤ（１１６、１１８、１５２、１５４）を連結するための方法を提供する。より具体的には、２ホウ化マグネシウムフィラメント（１２０、１２６、１５６）などの超伝導性フィラメントを有する１つまたは複数のワイヤ（１１６、１１８、１５２、１５４）を連結する方法（１０４、１４０）を提供する。ワイヤ（１１６、１１８、１５２、１５４）は、医用撮像用途などの用途向けの所望の長さを有するワイヤ（１１６、１１８、１５２、１５４）が形成されるように低抵抗率ジョイント（１３６、１５０、１６４、１６６、１７０）によって連結させる。 （もっと読む）

【課題】熱電変換材料、着色顔料、超伝導材料などの幅広い分野での応用が期待されている、２種類以上の金属を含む複合金属硫化物の、均一で、純度が高い製造方法の提供。
【解決手段】アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属などの金属群から選ばれる少なくとも２種を含む複合金属硫化物の製造方法であり、複合金属硫化物を形成する金属の塩を、ヒドロキシ酸を加えたグリコール溶液中に溶解し、加熱してゲル化又は粉末化させた後、焼成することでオキシ炭酸塩若しくは複合金属酸化物又はこれらを含む混合物を製造し、次にこれらを、硫黄化合物を含むガス雰囲気下で処理する複合金属硫化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単独添加したＭｇＢ_２超電導体あるいはベンゼン等の芳香族炭化水素単独添加したＭｇＢ_２超電導体の臨界電流密度（Ｊｃ）よりも高い臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＭｇＢ_２超電導体の製造方法およびＭｇＢ_２超電導体を提供する。
【解決手段】Ｍｇ粉末またはＭｇＨ_２粉末とＢ粉末との混合物を加圧成形して熱処理するＭｇＢ_２超伝導体の製造方法において、混合物に芳香族炭化水素とＳｉＣを添加する。芳香族炭化水素は、エチルトルエンであり、ＳｉＣは平均粒径が10〜30ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】数km級の長尺のMgB₂超電導線材を提供する。
【解決手段】本発明のMgB₂超電導線材は、中心のMgB₂超電導体と、その外側の第１の金属層と、その外側の第２の金属層と、を有し、第１の金属層と第２の金属層の金属の結晶粒のサイズは、両者の界面に近づくに従って小さくなっている。第１及び第２の金属層の金属の結晶粒のサイズは、金属層の厚さ方向の中央部において、最大となる。 （もっと読む）

【課題】真空ポンプを用いないプロセスでＭｇＢ２薄膜合成を行う手法を提供する。
【解決手段】超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ_２薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ_２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ_２Ｏ_４）、及び必要に応じホウ素（Ｂ）を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、加熱炉によって粉状出発材を加熱して溶融し、反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻す。 （もっと読む）