【課題】kmオーダーの長尺の二ホウ化マグネシウム超電導線材の製造方法、およびこの方法により製造された二ホウ化マグネシウム超電導線材を提供する。
【解決手段】芯材４を送出ボビン１３から送出する工程と、マグネシウムとホウ素とを蒸発させ、送出された前記芯材４上に連続して二ホウ化マグネシウムを蒸着する工程と、二ホウ化マグネシウムが蒸着した前記芯材４を巻取りボビン１４に巻取る工程とを備えることで二ホウ化マグネシウム超電導線材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 高温超伝導線材において基板を成す物質の種類および組成比と金属結晶粒の粒径を調節したステンレス鋼を基板として用いることにより、良好な電解研磨が行われるとともに、臨界電流特性が向上した、高温超伝導線材を提供する。
【解決手段】本発明の高温超伝導線材は、基板と、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された高温超伝導層とを含んでなる高温超伝導線材において、前記基板は、ＳＵＳ３１０ｓ、またはシリコン（Ｓｉ）が０．０１％〜１％、モリブデン（Ｍｏ）が１％〜５％で含有されるステンレス鋼からなり、該基板を成す金属結晶粒は１２μｍ以下の平均粒径を有し、前記高温超伝導層はＲｅＢＣＯ（ＲｅＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７、Ｒｅ＝Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ）系高温超伝導物質を使用する。 （もっと読む）

【課題】基板上に中間層の１層としてＣｒ_２Ｏ_３膜を有する超電導線材用基材の製造効率を高めることを目的とする。
【解決手段】基板１０上に中間層２０を形成する中間層形成工程を有し、且つ中間層形成工程として、成膜面に対して斜め方向からイオンビームを照射しながら蒸着源からの蒸着粒子を前記成膜面に堆積させて膜を形成するスパッタリング法にてＣｒ_２Ｏ_３膜２２を形成するＣｒ_２Ｏ_３膜形成工程と、その他の層（例えばベッド層２４、２軸配向層２６、キャップ層２８等）を形成する工程と、を有する超電導線材用基材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】湾曲した状態で超電導装置に用いても磁場の影響を受けにくく、安定した超電導特性を得ること。
【解決手段】極低温容器内に設置された超電導装置に対して、室温環境下に設置された電源から電力を供給する超電導電流リード１００において、両端のそれぞれに一対の電極１３１、１３３が接合されたリード本体１５２の表裏面１５２ａ、１５２ｂ上に、複数の超電導線材１６０をそれぞれ並行に配置されている。超電導線材１６０は、両端部が電極１３１、１３３にそれぞれ接続されている。超電導線材１６０は、ＲｅＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｚ系超電材料からなる酸化物超電導層１６３を備え、酸化物超電導層１６３中には、Ｙ，Ｚｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｃｅのうち少なくとも一つを含む５０ｎｍ以下の酸化物粒子が磁束ピンニング点として分散している。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ溶液の塗膜を仮焼熱処理して厚い仮焼膜を作製する際に、時間を短縮して生産性を向上させると共に熱消費量を低減し、さらに基板に対する熱履歴を抑制することにより、その後の本焼熱処理において充分に高いＩｃを有する酸化物超電導薄膜を作製することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｒｅ、Ｂａ、Ｃｕの各金属有機化合物を含有する原料溶液を基板上に塗布して塗膜を作製する塗膜作製工程と、塗膜に含有されるＣｕの有機化合物のみを熱分解して有機成分を除去する第１仮焼熱処理工程と、塗膜に含有されるＲｅおよびＢａの有機化合物を熱分解して有機成分を除去し、仮焼膜を作製する第２仮焼熱処理工程と、仮焼膜を結晶化させて酸化物超電導薄膜を作製する本焼熱処理工程とを備えており、塗膜作製工程と第１仮焼熱処理工程とを交互に繰り返し行った後、第２仮焼熱処理工程を行う酸化物超電導薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】セラミック線材を形成する方法を提供する。
【解決手段】線材基板の上にセラミック前駆体を提供し、前記セラミック前駆体が提供された線材基板を熱処理して結晶化されたセラミック線材が得られる。前記熱処理工程は、前記セラミック前駆体が液体状態を有するようにプロセッシングチャンバーの温度及び／又は酸素分圧を調節し、前記液体状態のセラミック薄膜から前記線材基板の上にエピタキシセラミック薄膜を形成することを含む。
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【課題】磁場中において高い超電導特性を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板１１上に中間層１２を介してイットリウム系超電導層１３が形成されてなる超電導線材１において、イットリウム系超電導層をランタノイド系元素を含む構成とする。このとき、該超電導層中のイットリウムの組成をＹ、ランタノイド系元素の組成をＬとしたとき、組成比Ｌ／（Ｌ＋Ｙ）が０．０１〜０．４０となるようにする。 （もっと読む）

【課題】金属オキシフッ化物前駆物質被膜により、高いエピタキシャル整列、好ましくはc-軸エピタキシャル整列を有する酸化物超伝導体の厚い被膜を提供する。
【解決手段】酸化物超伝導体被膜は、厚さが１μmまでであっても、高いJ_cおよびc-軸エピタキシャル酸化物粒子の容積百分率が高いことを特徴とする。酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること；および製品が77K、ゼロ磁場で約10⁵A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、P_H2O、P_O2、およびその組合せからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。 （もっと読む）

【課題】加工が容易な超伝導体がＹＢＣＯベースで得られる方法を提供する。
【解決手段】まず、長く延びる金属製支持体（１）の周りに、金属材料からなる中間層（３）が被覆される。この金属材料は、ＹＢＣＯの結晶構造と、またはＹＢＣＯで被覆されるに適した緩衝層の組織構造と、共存性を持つ。それに続いて、中間層によって被覆された支持体を処理して、中間層に、ＹＢＣＯ材料からなる層または緩衝層（９）の下地として、所定の配向組織化を施す。つぎに、超伝導性のＹＢＣＯ材料からなる層（６）で、配向組織化された中間層の周りを直接に、または該中間層の上を前もって緩衝層で被覆したその周りを被覆する。そして最後に熱処理を行う。 （もっと読む）

本発明の膜は特にマイクロ波およびＲＦ用途に関して最適化された高温超伝導（ＨＴＳ）薄膜である。特に、本発明はマクロ波／ＲＦ用途に関して最適化された膜を製造するために１：２：３の化学量論からの大きなずれを有する組成に焦点を合わせる。ＲＦ／マイクロ波ＨＴＳ用途はＨＴＳ薄膜が優れたマイクロ波特性、特に低い表面抵抗、Ｒ_ｓおよび高線形表面リアクタンスＸ_ｓ、すなわち高Ｊ_ＩＭＤを有することを要する。そのようなものとして、本発明はその物理的組成、表面モルホロジー、超伝導特性、およびこれらの膜からつくられるマイクロ波回路の性能特性に関して特徴がある。
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【課題】炭素を含む銅酸化物超伝導体の薄膜が、より高いＴｃを備えた状態で得られるようにする。
【解決手段】結晶基板１０１の表面に酸素ラジカル及び二酸化炭素からなる反応ガス１２１が供給された（吹き付けられた）状態とし、この後、結晶基板１０１が５５０℃程度に加熱された状態とし、また、Ｂａ，Ｃａ，Ｃｕ），及びフラーレンＣ₆₀の各蒸着源を、所定温度にまで加熱して蒸発させ、金属原料１２２が結晶基板１０１の表面に供給された状態とすることで、結晶基板１０１の上に、Ｔｃが８５Ｋと高い超伝導転移臨界温度を示す酸化物超伝導薄膜１０２が形成された状態が得られる。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着中に銀の蒸気を添加することで結晶粒の増大を図るとともに結合度の向上も図れるようにする。
【解決手段】真空蒸着装置の真空室内に蒸着源としてＮｄとＢａとＣｕとＡｇのインゴットを配置する。ついで、真空室内の所定箇所に酸化マグネシウム基板を配置し、真空室内を例えば、１０^-4程度の圧力状態とし、酸素ガスと活性化酸素ガスとの混合ガスを１．８sccmで真空室内に供給する。この状態で、真空室内に配置した各蒸着源を電子銃を用いて加熱し、各蒸着源を気化（昇華）させる。以上に示した蒸着法により、基板温度を６９０℃とした基板の上にＮｄＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇の薄膜が形成できる。 （もっと読む）