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Fターム[4G047KG02]の内容

重金属無機化合物 (11,210) | 気相法共通 (248) | 基板材料の選択 (102) | 基板結晶の方位の特定 (11)

Fターム[4G047KG02]に分類される特許

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【課題】本発明は、基材の構成元素の拡散防止機能と、その上に積層される層の結晶配向性を整える機能を一層で実現可能なベッド層を備えた超電導導体用基材の提供を目的とする。また、本発明は、ベッド層を短時間に形成することができ、製造効率の向上を図ることができる超電導導体用基材の製造方法の提供を目的とする。さらに、本発明は、前記本発明の超電導導体用基材を用いた超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体用基材10は、基材11と、該基材11の上方に設けられたベッド層12とを備えている。ベッド層12は、Alおよび希土類酸化物から構成され、希土類酸化物の含有率が、基材との界面側(下面12a側)から表面側(上面12b側)に向うにつれて厚さ方向で徐々に増加する傾斜組成部分を有する。 (もっと読む)


【課題】 断面が多角形状で臨界電流の角度依存性がない高温超電導線材及びそれを用いた高温超電導コイルを提供する。
【解決手段】 高温超電導線材において、中心部に形成される金属基材1と、この金属基材1の外側に形成される基材2と、この基材2の外側に形成される中間層3と、この中間層3の外側に形成される超電導層4と、この超電導層4の外側に形成される安定化層5と、この安定化層5の外側に形成される保護層6とを具備し、断面が多角形状を有する。 (もっと読む)


【課題】任意の基板上に成膜され、基板から厚み方向に1750nm以内の領域で良好に配向した配向酸化物膜を提供する。
【解決手段】基板上にフッ素を含む酸化物前駆体の薄膜を形成し、前記基板を加熱炉に設置し、加湿酸素含有ガス雰囲気下において磁場を印加しながら熱処理を施すことを特徴とする配向酸化物膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】良好な配向性を維持したまま高い強度を有する膜形成用配向基板および超電導線材を提供する。
【解決手段】膜形成用配向基板5Aは、無配向で非磁性の第1の金属層1と、その第1の金属層1に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第2の金属層2とを備えている。第1の金属層1は第2の金属層2より高い強度を有している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、MgBを良好な結晶配向性を維持しつつ成膜させることで、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な超電導導体を提供することを第一の目的とする。また、本発明は安定してMgBの結晶配向を制御し、高い超電導特性を有するMgB超電導導体の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体10は、金属基材11と、金属基材11上に、イオンビームアシスト(IBAD)法により形成された3回対称MgO(111)層13と、MgB層14とが積層された積層体よりなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】金属オキシフッ化物前駆物質被膜により、高いエピタキシャル整列、好ましくはc-軸エピタキシャル整列を有する酸化物超伝導体の厚い被膜を提供する。
【解決手段】酸化物超伝導体被膜は、厚さが1μmまでであっても、高いJcおよびc-軸エピタキシャル酸化物粒子の容積百分率が高いことを特徴とする。酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること;および製品が77K、ゼロ磁場で約105A/cm2より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、PH2O、PO2、およびその組合せからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。 (もっと読む)


【課題】広い範囲の印加磁場角度に対して高い臨界電流密度を示す二ホウ化マグネシウム(MgB)超電導薄膜を提供すること。
【解決手段】高真空中において、マグネシウム(Mg)蒸気とホウ素(B)蒸気を基板法線軸に対して傾いた方向から供給することで、MgBの柱状結晶粒を基板法線に対して傾けて成長させる。基板に対するマグネシウム(Mg)蒸気とホウ素(B)蒸気の供給角度を制御することで、粒界の傾き角度が互いに異なるMgB柱状結晶粒を含んだ複数の層から成るMgB超電導薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】表面平滑性及び配向性に優れた基板を用いて特性の優れた希土類系テープ状酸化物超電導体を製造する。
【解決手段】冷間加工により所定の厚さに成形したNi―W合金に900〜1300℃の温度で配向化熱処理を施して2軸配向させたテープを製造し、このテープに電解研磨を施して表面平滑性を5nm以下としたテープ状基板1の表面に、Ce―Zr―O膜からなる中間層2及びCe―Gd−O膜からなる中間層3を順次形成した後、その上に酸化物超電導層4を形成することにより希土類系テープ状酸化物超電導体10を製造する。 (もっと読む)


超伝導性フィルム構造体に対する臨界電流容量の改良が開示され、個々の耐高温バリウム−銅酸化物層がCeO2等の如き金属酸化物材料の薄層によって分離された、例えば多層耐高温バリウム−銅酸化物構造体の使用が包含される。
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【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なMgB2薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板2が結晶面(001)のサファイアであり、AlNバッファ層16が結晶面(001)であり、MgB2薄膜17が結晶面(001)であることを特徴とするMgB2薄膜17の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板2上にMgB2薄膜17を形成するにあたり、反応室1内にN2ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室1内に備えるAlターゲット15に電圧を印加して基板2上にAlNバッファ層16を形成するバッファ層形成ステップと、反応室1内に備えるMgターゲット3およびBターゲット4に電圧を印加してAlNバッファ層16上にMgB2薄膜17を形成するMgB2薄膜形成ステップとを備える。 (もっと読む)


【課題】複数のLn系超電導体の原料溶液を混合することによって得られる混合超電導体膜の格子定数を調整することができ、基板上に厚膜を形成したときにc軸配向粒子を高い比率で含み、高い特性を示す酸化物超電導体を提供することにある。
【解決手段】主成分が一般式LnBa2Cu37-x(ここで、LnはGd,Tb,Dy,Ho,Er,TmおよびYからなる群より選択される2種以上であり、各々の元素の含有率は10〜90モル%である)で表され、モル比で銅の10-2〜10-6のフッ素を含む酸化物超電導体。 (もっと読む)


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