本発明は、優れた酸素還元特性（酸素還元触媒性能）を有する酸素還元電極を提供することを主な目的とする。 本発明は、下記の発明に係る；（１）一次粒子が凝集してなるデンドライト的構造を有するマンガン酸化物ナノ構造体を製造する方法であって、 不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスを雰囲気ガスとし、前記雰囲気ガス中の酸素ガスの割合は質量流量比で０．０５％以上０．５％以下であり、 前記雰囲気ガス中において、マンガン酸化物からなるターゲット板にレーザ光を照射することによって、ターゲット板の構成物質を脱離させ、前記ターゲット板にほぼ平行に対向する基板上にその脱離した物質を堆積させることによって、前記デンドライト的構造を有するマンガン酸化物ナノ構造体を得る工程を含む製造方法、及び（２）一次粒子が凝集してなるデンドライト的構造を有する遷移金属酸化物ナノ構造体を含む酸素還元電極。 （もっと読む）

本発明は、式Ｍ₆Ｃ_yＨ_z（式中、Ｍ＝遷移金属、Ｃ＝カルコゲン、Ｈ＝ハロゲン、およびｙおよびｚは、８．２＜ｙ＋ｚ＜１０であるような整数である）により記述される、サブミクロン断面を持つ擬一次元材料に関し、材料は、１０００℃を超える温度で一段階方法で合成される。本発明は、また、電子、化学、光学または機械用途におけるこれらの材料の使用に関する。
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臨界電流密度が高く、かつ製造工程において縦割れおよび断線が発生する傾向が低い、超電導線材を提供する。このため、本発明の超電導線材は、酸化物超電導体と、この酸化物超電導体を被覆する被覆金属と、を備える酸化物超電導線材であって、この被覆金属の材料の応力−歪み特性試験における破断点歪み率が３０％以上であることを特徴とする。
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核燃料ペレットが、ＵＦ₆六フッ化ウラン転換法由来の粉末から得られたＵＯ₂二酸化ウランを含有する材料を焼結することによって製造される。ＵＦ₆六フッ化ウラン転換法から直接得られた粉末が、移動する圧縮体及び混合体を含む容器の中に導入され、該容器は、粉末が三つの非平面軸に従って容器の容積内を置換して、前記転換法により直接得られる粉末に比較してより高い密度を有する粒状材料が形成されるまで、移動体の間及び移動体と容器壁の間で圧縮されるように撹拌され、この容器内部での撹拌により直接得られた粒状材料は、燒結を受ける生燃料ペレットを成形するために使用される。好ましくは、前記容器は、処理の際には振動運動の中にセットされる。極めて広範な添加剤を、容器内部での撹拌による処理の前又は最中に、容器の中に導入することができる。 （もっと読む）

アンモニア性モリブデン酸水溶液を硫化水素ガスと大気圧よりも高い圧力（superatmospheric pressure）で硫化水素がもはや溶液に吸収されなくなるまで反応させて実質的にそのすべてがテトラチオモリブデン酸アンモニウムである固体からなるスラリーを生成する工程を含み、前記溶液と前記ガスが密閉系にあり、前記ガスの流れが高圧で制限されており、その後反応生成物を高温で元素硫黄の存在下で加熱して所望の生成物を生成する工程を含む式（ＮＨ₄）₂Ｍｏ₃Ｓ₁₃・ｎＨ₂Ｏ（式中、ｎは０、１又は２である。）のポリチオモリブデン酸アンモニウムの製造方法を開示する。 （もっと読む）

本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

本発明は、一般式がＡｇ_１−ｘＭ_ｍＭ’Ｑ_２＋ｍで示される、熱電気的な物質に関するものである。ＭはＰｂ，Ｓｎ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａなどの２価の遷移金属とそれらの組み合わせのうちから選択されるものであり、Ｍ’はＢｉ，Ｓｂとそれらの組み合わせのうちから選択されるものであり、ＱはＳｅ，Ｔｅ，Ｓとそれらの組み合わせから選択されるものである。また、８≦ｍ≦２４であり、０．０１≦ｘ≦０．７である。発明の実施例では、この複合物はｎ型半導体の性質を示した。実施例では、ｘは０．１から０．３であり、ｍは１０から１８である。複合物は、Ａｇ，Ｍ，Ｍ’，Ｑの原料を化学式通り反応容器に加え、原料を加熱し、充分な時間溶解し、反応物を冷却する速度を調整して冷却することによって合成した。
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本発明は、高い純度と大きい比表面積と制御された酸素及び窒素の含有量とコンデンサの製造に用いるのに適切な形態とを有する一酸化ニオブ（ＮｂＯ）粉末の製法であって、第１の段階と第２の段階とを包含する五酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）の二段階還元であって、第１の段階は、水素によって五酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）を二酸化ニオブ（ＮｂＯ_２）まで還元する工程を含み、第２の段階は、二酸化ニオブ（ＮｂＯ_２）からの酸素原子が酸素ゲッター材へ移動するのを可能にする雰囲気の中、一酸化ニオブ（ＮｂＯ）を形成するのに適した時間と温度との条件の下、該酸素ゲッター材を用いることによって、該二酸化ニオブ（ＮｂＯ_２）を該一酸化ニオブ（ＮｂＯ）まで還元する工程を含む、二段階還元を包含することを特徴とする、上記製法に関する。本方法を用いて生成される一酸化ニオブ（ＮｂＯ）粉末の粒子は小さくて、大きい表面積と適切な形態とを有し、コンデンサを作るのに適している。 （もっと読む）

高電圧および高容量用途で、高サイクル耐久性および高安全性を備えているリチウム二次電池用正極材料を得る。正極活物質が一般式、Ｌｉ_ａＣｏ_ｂＭｇ_ｃＡ_ｄＯ_ｅＦ_ｆ（Ａは６族遷移元素もしくは１４族元素，０．９０≦ａ≦１．１０，０．９７≦ｂ≦１．００，０．０００１≦ｃ≦０．０３，０．０００１≦ｄ≦０．０３，１．９８≦ｅ≦２．０２，０≦ｆ≦０．０２，０．０００１≦ｃ＋ｄ≦０．０３）で表される組成を有する粒子であり、かつ、マグネシウム，元素Ａ、またはさらにフッ素が上記粒子の表面近傍に均一に存在しているリチウム二次電池用正極材料。 （もっと読む）

１５００以上の相対誘電率を有する、結晶質のＰｂＭｇ_０．３３Ｎｂ_０．６７Ｏ_３の単相の層が、大環状錯化剤を有する前駆体溶液の使用によって準備される。この錯化剤は、有機溶液内の鉛成分に付加される。得られる層は、半導体素子及び抵抗器を更に含み得るデバイスの一部である。
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ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法であって、この方法は、
ａ）Ｘ−Ｂａ−Ｌ−Ｏ又はＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｌ−Ｏ材料をＸ−１−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料と混合するステップと、
ｂ）この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、１各Ｘは希土類（ＩＩＩＢ族）元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各ＬはＵ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ及びＳｎから選択される、ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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