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Fターム[4G048AC02]の内容

重金属無機化合物 (15,216) | 有用性 (2,690) | 誘電性 (163)

Fターム[4G048AC02]に分類される特許

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【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い(例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い)という問題をはじめとして、PZT層から酸化物導電体層にPb原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター20は、チャネル層28と、チャネル層28の導通状態を制御するゲート電極層22と、チャネル層28とゲート電極層22との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層25とを備え、ゲート絶縁層(強誘電体層)25は、PZT層23と、BLT層24(Pb拡散防止層)とが積層された構造を有し、チャネル層28(酸化物導電体層)は、ゲート絶縁層(強誘電体層)25におけるBLT層(Pb拡散防止層)24側の面に配置されている。 (もっと読む)


【課題】外部からの電源供給が無くてもNEMCA効果を発現できる、触媒担体、それに用いるエレクトレット、触媒反応系の製造方法、及び、触媒担体用エレクトレットの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒担体としては、エレクトレットに蓄積した静電気を用いて触媒を活性化するものであり、触媒担体用エレクトレットとしては、イオン伝導体、圧電体を含む誘電体表面に直流電界処理により安定静電荷を付与したものである。触媒反応系の製造方法としては、触媒および/または集電体に静電場効果が導入されるように該触媒と集電体を担持させることよりなり、触媒担体用エレクトレットの製造方法としては、イオン伝導体、圧電体を含む誘電体表面に直流電界処理を施して安定静電荷を付与するものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、粗大な粒子の形成を防止して、微細な粒子の一酸化ニオブを効率よく生成できる製造方法を提供する。
【解決手段】NbからNbOを製造するNbOの製造方法において、水素化ニオブを生成しない条件のもとで、NbとMgとを反応させてNbO(0<X<1)を生成する還元処理と、NbO(0<X<1)とNbとを混合して水素雰囲気下で焼成してNbOを生成する焼成処理とを備えることを特徴とする。還元処理は、Nbと気体状Mgとを1ppm以下に水分を除去した不活性ガス雰囲気下で反応させ、MgOを含むNbOを生成する第一段階と、第一段階で生成した、MgOを含むNbOを、過酸化水素を含有する鉱酸水溶液により洗浄してMgOを除去し、MgOを含まないNbO(0<X<1)を生成する第二段階とからなることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】主成分として有害物質鉛元素を含まずに、強誘電性を示しかつ外部磁場によって分極の大きさを制御可能な新規なマンガン酸化物、およびそのメモリへの利用を提供する。
【解決手段】マンガン酸化物は、ペロブスカイト構造を有する、式(1)Sr1−xBaMnO(1≧x>0.4)・・・(1)で表されるマンガン酸化物である。単位格子1の対称中心には磁性イオンであるMnイオン3が存在する。単位格子1の対称中心をMnサイトとする。単位格子1が有する8個の頂点には、SrイオンおよびBaイオンのうちいずれか一方が存在している。単位格子1が有する頂点をSrサイト2とする。単位格子1が有する6面の面心には、Oイオン4が存在する。 (もっと読む)


【課題】組成がA1-x(Bi0.5M0.5)xTiO3(ここにAはBa,Sr,Ca,Mg,Pbから成る群の少なくとも一員の元素を,MはKまたはNaを表し、0<x<1)で、板状のチタン酸化合物を提供する。
【解決手段】板状チタン酸水和物中のTi元素1モルに対し1モル未満の割合で、前記A元素の化合物を板状チタン酸水和物と反応させることにより、前記A元素を導入するステップ、チタン酸水和物とATiO3とから成る板状の物質を得るとともに、得られた板状の物質を、前記M元素の化合物、及びBi化合物と共に、親水性溶媒中で加熱下に反応させることにより、粒子が凝集して板状となっている板状チタン酸化合物を得るステップ、とを含むことを特徴とする板状チタン酸化合物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ニオブ酸ナトリウムを含む配向セラミックスの製造方法およびその原料を提供する。
【解決手段】各辺の長さが0.1μm以上100μm以下の直方体状であり、前記直方体の少なくとも1つの面が、擬立方晶表記で(100)面であるニオブ酸ナトリウム粒子からなるニオブ酸ナトリウム粉末であり、前記ニオブ酸ナトリウム粉末がペロブスカイト単相構造であることを特徴とするニオブ酸ナトリウム粉末。 (もっと読む)


【課題】コンデンサなどに好適な、非常に薄くしても高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現する高誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】上記課題は、ペロブスカイト構造を有する酸化物ナノシートなどの高誘電体により構成される薄膜により達成される。 (もっと読む)


【課題】強誘電体等からなる金属酸化物膜を所望の位置に低温で低コストで形成する。
【解決手段】金属酸化物膜を形成するための前駆体溶液に、金属酸化物膜が成膜される基板を浸す工程と、前記基板と前記前駆体溶液との界面に光を集光した状態で、前記光を走査しながら照射する工程と、を有し、前記前駆体溶液は前記光を透過するものであって、前記基板上に前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】微細で不純物の少ない複合酸化物粉末およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】一般式A(BZr)Oで表され、ペロブスカイト型結晶構造を有する複合酸化物粒子の集合である複合酸化物粉末を製造する方法であって、Zrの原料粉末を準備する工程と、Aを構成する元素の原料粉末と、Bを構成する元素の原料粉末と、を準備する工程と、Zrの原料粉末と、Aを構成する元素の原料粉末と、Bを構成する元素の原料粉末と、を800〜1000℃で熱処理する工程と、を有し、Zrの原料粉末が、単斜晶構造を有するZrの酸化物を含み、X線回折により観測される単斜晶の(111)ピークの半値幅が0.40°以上である複合酸化物粉末の製造方法。また、Zrの原料粉末には、さらに正方晶構造を有するZrの酸化物が10〜60%の割合で含まれることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】微細で不純物の少ない複合酸化物粉末およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】一般式A(BZr)Oで表され、ペロブスカイト型結晶構造を有する複合酸化物粒子の集合である複合酸化物粉末を製造する方法であって、Zrの原料粉末を準備する工程と、Aを構成する元素の原料粉末と、Bを構成する元素の原料粉末と、を準備する工程と、Zrの原料粉末と、Aを構成する元素の原料粉末と、Bを構成する元素の原料粉末と、を800〜1000℃で熱処理する工程と、を有し、Zrの原料粉末には、正方晶構造を有するZrの酸化物を含むこと。好ましくは、正方晶構造を有するZrの酸化物が10%以上含まれる。 (もっと読む)


【課題】拡散ブロッキング構造、透明導電構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電構造は、基板ユニット、第1のコーティングユニット、拡散ブロッキング構造、第2のコーティングユニット、第3のコーティングユニット及び導電ユニットを備える。基板ユニットは、プラスチック基板を有する。第1のコーティングユニットは、プラスチック基板上に形成された第1のコーティングを有する。拡散ブロッキング構造は、第1のコーティングに形成され、複数の第1の酸化層を有する第1の酸化ユニットと、複数の第2の酸化層を有する第2の酸化ユニットを備え、前記複数の第2の酸化層と前記複数の第1の酸化層とは交互に積層されている。第2のコーティングユニットは、拡散ブロッキング構造に形成された第2のコーティングを有する。第3のコーティングは、第2のコーティングに形成された第3のコーティングを有する。導電ユニットは、第3のコーティング上に形成された透明導電構造を有する。 (もっと読む)


【課題】 マンガン酸イットリウムYMnOを容易に安価に製造することができ、更に斜方晶のマンガン酸イットリウムYMnO、六方晶のマンガン酸イットリウムYMnO又は斜方晶マンガン酸イットリウムYMnOと六方晶マンガン酸イットリウムYMnOとの混合物を効率的に製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】 イットリウム化合物とマンガン化合物との混合酸性水溶液と、塩基と過酸化水素との混合水溶液とを混合し、その反応生成物を濾別して乾燥させ、400〜700℃で1〜10時間仮焼し、次いで750〜1150℃で1〜10時間焼成することからなるマンガン酸イットリウムYMnOの製造方法。 (もっと読む)


【課題】70nm以下の金属配線を有する次世代DRAMで要求される容量および良好な漏れ電流特性を確保できるキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ形成方法は、ストレージ電極65を形成するステップと、ストレージ電極65の表面をプラズマ窒化66A処理するステップと、該表面がプラズマ窒化66A処理されたストレージ電極65上にZrO薄膜67を蒸着するステップと、ZrO薄膜67の表面をプラズマ窒化処理して、表面が窒化66BされたZrO薄膜を形成するステップと、窒化66Bされた前記ZrO薄膜上にプレート電極68を形成するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】圧電素子用に、組成ずれが少なく結晶性の良好なニオブ酸カリウム混晶系ペロブスカイト型酸化物厚膜を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物膜1は、基板10上に成膜され、平均膜厚が5μm以上であり、且つ、一般式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物を含む。(K1−w−x,A,B)(Nb1−y−z,C,D)O・・・(P)(式中、0<w<1.0,0≦x≦0.2,0≦y<1.0,0≦z≦0.2,0<w+x<1.0。AはK以外のイオン価数が1価のAサイト元素、BはAサイト元素、Cはイオン価数が5価のBサイト元素、DはBサイト元素。A〜Dは各々1種又は複数種の金属元素である。) (もっと読む)


【課題】光学スタックの光学的性質(例えば、透過および反射)を安定化させるように特性が制御された亜化学量論的誘電体層を含む光学スタックの提供
【解決手段】光学スタック中の亜化学量論的酸化物、窒化物または酸窒化物は、単独で、または1つまたは2つの安定化層と接して、光学スタックの光学特性を安定化させる。安定化層は、加熱中亜化学量論層の化学および光学特性を安定化させる。加熱中の亜化学量論層の光学特性の変化は、光学スタックの残りの光学特性に対抗する。 (もっと読む)


【課題】 従来の薄膜誘電体は、薄膜化することにより特性が劣化する。
【解決手段】 ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体:(イ)組成:一般式FeCoNi,M成分はMg,Al,Si,Ti,Y,Zr,Nb,Hf及び/又はTa,組成比a,b,c,w,x,y,zは原子比率(%)で、0≦a≦60,0≦b≦60,0≦c≦60,10<a+b+c<60,10≦w≦50,0≦x≦50,0≦y≦50,0≦z≦50,20≦x+y+z≦70、a+b+c+w+x+y+z=100である;(ロ)構造:Fe,Co及び/又はNiからなり、かつnmサイズを有する金属グラニュールが、M成分とN,O及びFの少なくとも1種とからなる絶縁体マトリックスに分散している。 (もっと読む)


【課題】ニッケル純度が4N以上であり且つナトリウム含有量が100ppm以下である、ニッケル酸化物を、製造する方法を提供する。
【解決手段】ニッケルイオンの酸水溶液を水酸化ナトリウム水溶液又は水酸化カリウム水溶液によって中和処理して、ニッケル純度が3N以上であるニッケル化合物を析出させる、中和工程と、上記ニッケル化合物を加熱処理してニッケル酸化物を生成し、該ニッケル酸化物を水洗処理する、加熱水洗工程と、を有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 フィルム、またはRがZrとHfから選択されたR−Ge−Ti−Oを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、RがZrとHfから選択される、R−Ge−Ti−Oのフィルムを備えた誘電材料に関し、また、その製造方法に関連する。誘電材料は、公式Rx−Gey−Tiz−Owを有することが好ましく、ここで、.05≧x≦1、.05≦y≦1、0.1≧z≦1、1≧w≦2、x+y+z≡1であり、さらに好ましくは、0.15≧x≦0.7、.05≧y≦0.3、0.25≧z≦0.7、1.95≧w≦2.05であり、x+y+z≡1である。本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)装置のコンデンサを備えたシリコンチップ集積回路装置での使用に特に有用である。 (もっと読む)


【課題】可視光の波長領域のみならず、赤外光の波長領域において高透明性を示す導電膜を形成するための酸化インジウム系粒子を提供すること。
【解決手段】本発明のスズ・アンチモンドープ酸化インジウム粒子は、Sn/Inのモル比が0.1〜0.3で、Sb/Inのモル比が0.03〜0.4である。この粒子は、インジウム塩及びスズ塩を含む水溶液にアルカリを添加し、次いでこの液に、アンチモン塩及び酸を含む水溶液を添加し、それによって生成した沈殿物を大気中で焼成して得られたものである。 (もっと読む)


【課題】高い圧電性能と良好な表面モフォロジを有する圧電体膜とその製造方法、圧電素子および液体吐出装置を提供する。
【解決手段】下記式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物からなり、0.090≦b≦0.25を満たし、Bサイト中のNb比率が、0.13≦a×(1−b)を満たすことを特徴とする圧電体膜とその製造方法である。また、この圧電体膜を用いた圧電素子および液体吐出装置である。
Pb1+δ(ZrTi1−a(MgNb1−b ・・・(P)
(なお、δ=0、z=3が望ましいが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で変更可能である。また、Pbに変えてペロブスカイト構造をとり得る範囲の量で他のAサイト元素に置換することも可能である。) (もっと読む)


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