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Fターム[4G060CA12]の内容

Fターム[4G060CA12]に分類される特許

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半導体回路基板としての一次元半導体基板とその製造方法、および該一次元半導体基板を用いた素子、素子アレー、モジュール、ディスプレイ、太陽電池及び太陽電池モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一次元半導体基板1あるいは2は、幅又は厚さ、あるいは径に対して10倍以上の長さを持つ線状の基材3に所望の薄膜4を1層以上形成している。薄膜4に半導体を適用ことで一次元半導体薄膜が形成される。本発明の一次元半導体基板1あるいは2は、光ファイバの製造技術である線引技術を応用して製造される。 (もっと読む)


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