【課題】 本発明により、抵抗を高く保つことが重要視される目的で用いられる純Ｓｉにとって、充填、成形、塗布などに用いた際に、極めて重要な特性である電流遮断性である接触抵抗の高い純Ｓｉ粉末を提供する。
【解決手段】 平均円形度が０．７５〜１．００であり、かつ相対密度が６５％以上を有するＳｉおよび不可避的不純物よりなることを特徴とする接触抵抗の高い純Ｓｉ粉末。（なお、ここでいう相対密度とは、タップ密度を純Ｓｉの真密度２．３３Ｍｇ／ｍ³ で除して１００を乗じた値（％）である）。また、上記相対密度が６５〜８０％である接触抵抗の高い純Ｓｉ粉末。さらに、上記Ｓｉ粉末をガスアトマイズ法にて製造する接触抵抗の高い純Ｓｉ粉末。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】種類の異なる元素Ａと元素Ｄとを含み、前記元素ＡがＳｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、ＩｎおよびＺｎからなる群より選ばれた１種の元素であり、前記元素ＤがＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｂａ、ランタノイド元素（ＣｅおよびＰｍを除く）、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＩｒからなる群より選ばれた１種の元素であり、前記元素Ａの単体または固溶体である、球形状の第１の相と、前記元素Ａと前記元素Ｄとの化合物である第２の相を有し、前記第２の相の一部または全部が、前記第１の相に覆われていることを特徴とするナノサイズ粒子と、前記ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 （もっと読む）

１つの実施形態では、本発明の方法は、少なくとも１種のシリコン源ガス及びポリシリコンシリコンシードを反応区域に供給するステップ；反応区域内で、少なくとも１種のシリコン源ガスの熱分解の反応平衡に実質的に到達して元素シリコンが生成するように少なくとも１種のシリコン源ガスをその反応区域内で十分な温度と滞留時間に維持するステップ（その少なくとも１種のシリコン源ガスの分解は、以下の化学反応：４ＨＳｉＣｌ_３←→Ｓｉ＋３ＳｉＣｌ_４＋２Ｈ_２で進行するものであり、十分な温度は、約６００℃〜約１０００℃の温度範囲である）；及びｃ）ポリシリコンシリコンシードに元素シリコンが蒸着されて被覆粒子が生成するようにその反応区域中に十分な量のポリシリコンシリコンシードを維持するステップ；を包含している。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池セル又は太陽電池モジュールにおいて用いるのに好適なシリコンを鋳造するためのシード層及びシード層の製造方法に関する。本方法は、好適な表面上において、タイルを端部を整列させて配置して継ぎ目を形成する工程、及び継ぎ目においてタイルを結合させてシード層を形成する工程を含む。結合工程は、タイルを加熱してタイルの少なくとも一部を溶融させること、タイルを少なくとも１つの継ぎ目の両端において電極と接触させること、アモルファスシリコンのプラズマ堆積を用いること、光子を照射してタイルの少なくとも一部を溶融させること、及び／又は層堆積を行うことを含む。本発明のシード層は、幅及び長さが少なくとも約５００ｍｍの直線形状を有する。 （もっと読む）

【課題】高温で熱処理を施すことなく、結晶性の高い良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を調製（Ｓ１０１）したのち、基体の上にポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を加熱する（Ｓ１０３）ことにより、シリコン膜を形成する。これにより、高温で加熱せずに、塗布膜中においてシリコンの結晶化が促進される。 （もっと読む）

本発明は、多結晶シリコンロッドにおいて、該ロッドが、シリコンの５０〜９９％の電気伝導に利用される面積分を有するロッド横断面を有し、かつ、該ロッドが０．１〜８０Ｎ／ｍｍ²の曲げ強さを有することを特徴とするシリコンロッドに関する。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな設備を必要とせずにシリコン膜を形成するための成膜材料として、ポリシラン修飾シリコン微粒子を製造する方法およびこのポリシラン修飾シリコン微粒子を用いたシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】末端がシリルアニオン化されたポリジフェニルシランからなるポリシラン１１を含む液に、シリコン微粒子１２を添加することで、シリコン微粒子１２の表面にポリシラン１１を結合させたポリシラン修飾シリコン微粒子１３を製造する。そして、このポリシラン修飾シリコン微粒子１３に水素化処理を行うことで、水素化ポリシラン修飾シリコン微粒子１４を製造することを特徴とするポリシラン修飾シリコン微粒子の製造方法である。また、この水素化ポリシラン修飾シリコン微粒子１４が分散された液を基板上に塗布し、塗布膜を形成した後、塗布膜が形成された状態の基板に熱処理または光照射を行うことで、シリコン膜を形成することを特徴とするシリコン膜の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】含有される金属の量が低減されたシリコンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンインゴットの製造方法は、半導体を機械加工することにより発生する半導体屑１２を含む固体粒子が混入された排水１１をタンク１０に貯留し、タンク１０に酸性を示す物質を混入して、半導体屑１２の表面に付着した金属イオン１３を、半導体屑１２から分離させ、金属イオン１３を含む排水１１と半導体屑１２とを固液分離する。その後にタンク１０に残留した半導体屑１２を回収して溶融することで、金属を殆ど含まないインゴットが得られる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの原料となる三塩化シランについて、ホウ素等の不純物を効果的に分離除去し、かつ不純物除去剤による汚染の問題を生じる虞もない精製効果に優れた精製方法を提供する。
【手段】 金属シリコンに塩酸ガスを反応させて生成した三塩化シランを精製する工程において、該三塩化シランを含む混合流体を蒸留装置に導いて塩化シラン系ポリマーと接触させ、三塩化シランを蒸留させて精製する一方、上記混合流体に含まれる低沸点不純物を上記ポリマーに取り込ませて蒸留残として三塩化シランから分離し、上記ポリマーと共に系外に除去することを特徴とする三塩化シランの精製方法。 （もっと読む）

【課題】特別な材質や特異な形状の電極、ホルダーを使用しなくとも、シリコンロッドのクラック発生を十分に低減させることができる多結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】逆Ｕ字型のシリコン芯線の各端部を一対の電極上にそれぞれ通電可能に取り付けた多結晶シリコンの製造装置において、該シリコン芯線の端部が、これを保持する導電性のホルダーを介して電極と電気的に接続され、かつ、少なくとも一方のホルダーが、電極面上を少なくとも逆Ｕ字型のシリコン芯線の両端を結ぶ直線方向の左右方向何れの方向にも摺動可能であるたことを特徴とする多結晶シリコンの製造装置である。 （もっと読む）