【課題】多結晶シリコン製造プロセスの更なる高収率化ならびに当該プロセス内で循環利用されるＴＣＳや副生物からの不純物除去の容易化を可能とすること。
【解決手段】多結晶シリコンをＣＶＤ反応炉１０１で析出させた際に生成する副生混合物を、塩素化反応器１０２内で塩素と反応させてテトラクロロシラン（ＳＴＣ）留出物を生成させ、当該ＳＴＣ留出物を水素化反応器１０３内で水素と反応させてトリクロロシラン（ＴＣＳ）に転換させる。塩素化反応工程において、上記副生混合物に含まれるポリシランを多結晶シリコン製造原料として効率的に再利用することが可能となり、製造プロセスの収率が高められることとなる。また、塩素化工程においてＴＣＳと近沸点のメチルクロロシラン類が高次塩素化されて高沸点化がなされるので、高次塩素化メチルクロロシラン類の高濃度濃縮分離が容易なものとなり、多結晶シリコンへの炭素混入が抑制される。 （もっと読む）

水素化ケイ素から水素分子を生成させるための方法。本発明は、水素化ケイ素とアルカリ性溶液とを接触させることによって、水素化ケイ素から水素分子を生成させることに関する。
本発明はまた、この水素生成方法を使用した燃料電池タイプの機器に関する。 （もっと読む）

【課題】液相プロセスを用いて、安定かつ所望な膜厚の膜を形成することができる高次シラン組成物、かかる高次シラン組成物により製造される膜付基板の製造方法、膜付基板を備える電気光学装置および電子デバイスを提供すること。
に関するものである。
【解決手段】高次シラン組成物は、高次シラン化合物と、置換または無置換の炭化水素系溶媒を含む溶媒とを含有し、前記溶媒として、前記高次シラン化合物が溶解し得るように、屈折率が１．５３以上のものを選択する。また、炭化水素系溶媒は、比誘電率が１０以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

少なくとも９３％（ｗ／ｗ）のネオペンタシランを含む組成物、及びテトラキス（トリハロシリル）シランを水素化ジイソブチルアルミニウムで処理することを含む、ネオペンタシランを含む組成物を製造する方法。 （もっと読む）

本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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【課題】クロロシランを水素化する方法および装置を提供する。
【解決手段】クロロシランと接触する表面を有する反応室と、流れが直接通過することにより加熱され、クロロシランと接触する表面を有する加熱素子とを有し、その際、反応室および加熱素子はグラファイトからなる反応器中でクロロシランを水素化する方法において、第一工程で、反応室の表面および加熱素子の表面上に現場でＳｉＣ被覆が形成されるように、Ｓｉ含有化合物ならびに水素を反応室の表面および加熱素子の表面と接触させ、かつ第二工程で、加熱素子を用いた反応室中でのクロロシラン／水素混合物の加熱によりクロロシランの水素化を行い、その際、第一工程を、第二工程における反応温度よりも高い反応温度で実施する。 （もっと読む）

低次シランからの高次シランの製造方法は、第１反応温度範囲の最高温度よりも２０℃を超える温度より高い温度に暴露することなく低次シラン含有流体を加熱することを含む。加熱低次シラン含有流体を第１反応ゾーンに導入し、反応させる。未反応の低次シランを初期の加熱段階に再循環させる。望ましくないシラン副生成物の分解および生成を防ぐために平均滞留時間は短いのが好ましい。低次シランからのより高次の高次シランの製造方法は、第１反応ゾーンからの第１ガス混合物を高次シラン含有流体と混合すること、および第２反応温度範囲内で作動している第２反応ゾーンに混合した流体を導入することを含む。第２反応ゾーンから出る第２ガス混合物を種々の流体に分離する。未反応の低次シランを含有する１つの流体を初期の加熱段階および第１反応ゾーンに再循環させる。もう１つの流体である高次シラン含有流体を第１ガス混合物と混合する。
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【課題】液相プロセスを用いて、均一な膜厚の膜を形成することができる高次シラン組成物、かかる高次シラン組成物を用いる膜付基板の製造方法、膜付基板を備える電気光学装置および電子デバイスを提供すること。
に関するものである。
【解決手段】高次シラン組成物は、高次シラン化合物と、液体状のシラン化合物と、該シラン化合物より沸点（常圧）の高い溶媒とを含有する。溶媒の沸点は、シラン化合物の沸点（常圧）をＡ［℃］とし、溶媒の沸点（常圧）をＢ［℃］としたとき、Ｂ−Ａが１０以上なる関係を満足するのが好ましい。このような高次シラン組成物は、例えば光重合性を有するシラン化合物と、溶媒を混合し、シラン化合物の一部が重合して高次シラン化合物に変化し、他の一部が未反応物として残存するような線量で紫外線を照射することによって調製することができる。 （もっと読む）

【課題】 化学式が（Ｈ_３Ｇｅ）_４−ｘＳｉＨ_ｘであって、ｘ＝０、１、２または３である珪素−ゲルマニウム水素化合物を合成するための方法を提供する。
【解決手段】 該方法は、珪素−ゲルマニウム水素化合物が形成される条件下で、シラン・トリフレートとＧｅＨ_３配位子を有する化合物とを化合させるステップを含む。該ＧｅＨ_３配位子を有する化合物は、ＫＧｅＨ_３、ＮａＧｅＨ_３およびＭＲ_３ＧｅＨ_３であってＭが第ＩＶ族元素でありＲが有機配位子である物質からなる群から選択される。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであることができる。該方法は、水素化珪素が形成される条件下でシラン・トリフレートとＳｉＨ_３配位子を含む化合物とを化合させることにより、トリシラン（Ｈ_３Ｓｉ）_２ＳｉＨ_２およびイソ−テトラシラン類似物（Ｈ_３Ｓｉ）_３ＳｉＨを合成するために使用することができる。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであってx ＝１または２である物質を含むことができる。（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２を合成するための方法は、（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２が形成される条件下でＨ_３ＧｅＳｉＨ_２（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）とＫＧｅＨ_３とを化合させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】 自由空間リアクタ内において、超高純度のシリコン含有ガスを粒子シリコン及びその他の分解生成物に分解することにより半導体級シリコンを連続生産するための方法及びリアクタを提供する。
【解決手段】 リアクタ内において、分解ガスの気体ストリームは旋回運動に設定される。当該方法およびリアクタはさらに、形成された粒子シリコンを溶融して、単体シリコンの連続相を得、液体シリコンを成型して半導体級シリコンの固体を形成する手段を有してもよい。 （もっと読む）