【課題】カーボン粒子の表面に板状のシリコンが付着した複合材料に比べて充放電サイクル特性が更に向上した蓄電デバイス用電極材料を提供する。
【解決手段】本発明の蓄電デバイスは、正極と、負極と、正極と負極との間に介在するイオン伝導媒体とを備えている。ここで、正極および負極のうち少なくとも一方は、活物質として炭素で被覆された層状ポリシランを含んでいる。こうした活物質は、層状ポリシランを合成し、その層状ポリシランの粉末を撹拌しながら乾式の皮膜形成法によってカーボンで被覆することにより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガスクロマトグラフ分離の際の塩化水素のテーリングを防止すること。
【解決手段】本発明では、ガスクロマトグラフィ用のカラムとして、一部にエーテル鎖を有していてもよいフッ素化された飽和炭化水素樹脂上に担持された無極性シリコーンオイルを固定相としたものを用いる。このようなカラムを用いることにより、塩化水素を比較的多量に含むモノシラン、モノクロロシラン、ジシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン等のシラン・クロロシラン類をガスクロマトグラフ分離するに際して、従来のカラムでは強く表れる塩化水素のテーリングが抑制され、シラン・クロロシラン類の各成分の分離が可能となる。その結果、シラン・クロロシラン類のガスクロマトグラフィによる定量分析の精度が大幅に向上する。 （もっと読む）

【課題】 化学式が（Ｈ_３Ｇｅ）_４−ｘＳｉＨ_ｘであって、ｘ＝０、１、２または３である珪素−ゲルマニウム水素化合物を合成するための方法を提供する。
【解決手段】 該方法は、珪素−ゲルマニウム水素化合物が形成される条件下で、シラン・トリフレートとＧｅＨ_３配位子を有する化合物とを化合させるステップを含む。該ＧｅＨ_３配位子を有する化合物は、ＫＧｅＨ_３、ＮａＧｅＨ_３およびＭＲ_３ＧｅＨ_３であってＭが第ＩＶ族元素でありＲが有機配位子である物質からなる群から選択される。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであることができる。該方法は、水素化珪素が形成される条件下でシラン・トリフレートとＳｉＨ_３配位子を含む化合物とを化合させることにより、トリシラン（Ｈ_３Ｓｉ）_２ＳｉＨ_２およびイソ−テトラシラン類似物（Ｈ_３Ｓｉ）_３ＳｉＨを合成するために使用することができる。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであってx ＝１または２である物質を含むことができる。（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２を合成するための方法は、（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２が形成される条件下でＨ_３ＧｅＳｉＨ_２（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）とＫＧｅＨ_３とを化合させるステップを含む。 （もっと読む）

本発明は、ヒドリドシランとして実質的に少なくとも１種のシリコン原子最大２０個を有する非環状ヒドリドシランを包含する組成物を、触媒の不在下で２３５℃より小さい温度で熱により反応させる、ヒドリドシランをオリゴマー化する方法、前記方法に従って製造可能なオリゴマー及びその使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、反応速度論的に安定した、化合物の混合物としてのハロゲン化ポリシランに関し、ここで各々の混合成分は少なくとも４つの連結したケイ素原子を有しており、これの置換基は塩素、および塩素と水素であり、この組成は、置換基対ケイ素の原子比は少なくとも１：１であり、ａ）該反応速度論的に安定したハロゲン化ポリシランは塩素による酸化的開裂に関して反応速度論的に高い安定性を有し、摂氏１２０度での１０時間内の変換率は、1013hPaの過剰量の塩素ガスの存在のもとで30mol%を越えるものでなく、且つｂ）該反応速度論的に安定したハロゲン化ポリシランは、該ポリシラン分子中における分岐部位の部分が8mol%より大きく、好ましくは11mol%より大きい。当該反応速度論的に安定したハロゲン化ポリシランは、これに比べ安定性が劣る従来のハロゲン化ポリシランよりも新しい用途がある。 （もっと読む）

本発明は、水素化ポリゲルマシランを純粋な化合物または化合物の混合物として製造するための方法であって、ハロゲン化ポリゲルマシランが水素化される方法に関する。本発明はまた、水素化ポリゲルマシラン、該水素化ポリゲルマシランから製造されるゲルマニウム層、およびかかる層を製造するための方法にも関する。 （もっと読む）

本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
（もっと読む）

【課題】耐熱性、疎水性、有機溶媒への分散性がバランスした被覆マグネタイト粒子を提供すること。
【解決手段】本発明の被覆マグネタイト粒子は、疎水基を有するアルコキシシラン及び疎水基を有さない多価金属アルコキシドを原料として用いて生成したシラン化合物層によって、マグネタイトのコア粒子の表面が被覆されてなることを特徴とする。疎水基を有するアルコキシシランは、アルキルアルコキシシラン、フルオロアルキルアルコキシシラン、アルケニルアルコキシシラン又はフルオロアルケニルアルコキシシランであることが好適である。疎水基を有さない多価金属アルコキシドは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ又はＺｒのアルコキシドであることが好適である。 （もっと読む）

本発明は、式Ｓｉ_nＨ_2n+2の化合物またはこの化合物の混合物（ここでｎは１以上３以下の整数である）の製造方法であって、ａ）粉末状の式Ｍ¹_xＭ²_yＳｉ_zの少なくとも１種の珪化物または珪素合金（ここでＭ¹は還元性金属であり、Ｍ²はアルカリ金属またはアルカリ土類金属であり、ｘ、ｙおよびｚは０から１まで変化し、ｚは０とは異なり、和ｘ＋ｙは０とは異なる）を、エーテル非プロトン性溶媒中に予め溶解させた塩化水素酸と反応させる工程を含む方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を含有する組成物を、前記組成物を少なくとも１種の有機アミノ官能化ポリマー吸着剤と接触させ、かつ異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が低下されている組成物を取得することにより、処理する方法、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量の減少のための吸着剤の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】同一工程を多数回繰り返す必要のない簡単な方法によって均一で粒径の大きいシリコンナノ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】カリックスアレーンを含む溶媒中でＳｉ塩を出発原料としてシリコンナノ粒子を合成させる工程、次いで、当該溶媒中で前記シリコンナノ粒子の表面を水素化させてＳｉの水素化物を形成させる工程、さらに当該溶媒中で前記Ｓｉの水素化物と表面修飾化合物とを反応させる工程を含むＳｉナノ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

本発明は、ａ．少なくとも１つの低分子量のヒドリドシラン、ｂ．少なくとも１つの溶剤およびｃ．少なくとも２０個のＳｉ原子を有する化合物の群および／または均質触媒系の群から選択された少なくとも１つの不純物を含む精製すべき溶液が、浸透膜を使用しながら少なくとも１つの膜分離工程を有する横流型メンブラン法に掛けられるような、低分子量のヒドリドシラン溶液を精製する方法に関する。 （もっと読む）

本発明の対象は、一般式（１）：Ｓｉ（ＳｉＲ₃）₄のネオペンタシランの製造方法であり、この方法では一般式（２）：Ｒ₃Ｓｉ−（Ｓｉ−）_xＳｉＲ₃［式中、ＲはＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選択されており、Ｘは負ではない整数〜５である］のケイ素化合物を、エーテル化合物（Ｂ）の存在下で反応させる。 （もっと読む）

発明は、一般に、式Ｓｉ_xＨ_y，ここでｘ及びｙは≧１の整数である、を有する、シランのような、一またはそれ以上の分子を生成するための方法に関連し、方法は、シリコン含有材料を供する工程、シリコン含有材料はシリコン含有材料の総重量を基準として少なくとも２０重量パーセントのシリコン原子を含む；シリコン原子を気化可能か、シリコン原子をスパッタリング可能か、あるいはその両者が可能なプラズマを、プラズマ発生装置を用いて発生させる工程；雰囲気中の原子の総モル数を基準にして少なくとも約０．５モルパーセントの水素原子を含む雰囲気を持つチャンバー内でシリコン含有材料にプラズマを接触させる工程；を含み、それにより、式Ｓｉ_xＨ_y（例えばシラン）が生成される。方法は、清浄なＳｉ_xＨ_y（例えばシラン）を形成するため、Ｓｉ_xＨ_y（例えばシラン）から一またはそれ以上の不純物を除去する工程を好ましくは含む。方法は、電子機器グレード金属シリコン、光起電グレード金属シリコンあるいはその双方のような高純度シリコン含有材料を生成するため、Ｓｉ_xＨ_y（例えばシラン）を反応させる工程を含んでいても良い。 （もっと読む）

一般式Ｈ−（ＳｉＨ_２）_ｎ−Ｈ（式中、ｎ≧２である）の高級ヒドリドシランの製造方法において、−１種又は複数種の低級ヒドリドシラン−水素、及び−周期律表の第ＶＩＩＩ属遷移金属の元素及びランタニドを含む１種又は複数種の遷移金属化合物を、５バールを上回る絶対圧で反応させ、その後減圧し且つ得られた反応混合物から高級ヒドリドシランを分離する、高級ヒドリドシランの製造方法。 （もっと読む）

式Ｓｉ_nＨ_2n+2（ここでｎは１以上４以下の整数である）の化合物の製造方法であって、式Ｍ¹_xＭ²_yＳｉ_z（ここでＭ¹は還元性金属であり、Ｍ²はアルカリ金属またはアルカリ土類金属であり、ｘ、ｙおよびｚは０から１まで変化し、ｚは０と異なり、ｘ＋ｙは０と異なる）の粉末の形態にある少なくとも１種のシリサイドまたは珪素合金の、ＣＯ₂を含む水溶液との反応により、前記溶液は前記反応の温度および圧力においてＣＯ₂で飽和されているかまたは飽和されていない方法。 （もっと読む）

水素含有材料を精製する方法が記載される。該方法は、シリカを含む精製剤材料を用意するステップを含んでいてよい。シリカは、約１００℃以上の温度で乾燥雰囲気において加熱され、活性化されたシリカを形成することができる。活性化されたシリカは、出発水素含有材料と接触することができ、ここで、活性化されたシリカは、出発水素含有材料に由来する１種または複数の不純物の濃度を低減して、精製された水素含有材料を形成し、そして、活性化されたシリカは、精製された水素含有材料を分解しない。
（もっと読む）

【課題】 基板に塗布する場合の濡れ性、沸点および安全性の観点から分子量のより大きなシラン重合体、特に、良質なシリコン膜を容易に形成することができる組成物を提供する。
【解決手段】 光重合性を有するシラン化合物に、特定波長領域の光線を照射して光重合して得たシラン重合体を含有するシリコン膜形成用組成物並びにこの組成物を、基板に塗布し、そして熱処理および／または光処理を行うシリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

本発明は、無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を有する組成物を処理する方法において、前記組成物を、少なくとも１種の吸着剤と接触させ、異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含有量が低減された組成物を得る方法、並びに低減された異種金属含有量を有する相応する組成物、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を低減させるための有機樹脂、活性炭、ケイ酸塩及び／又はゼオライトの使用に関する。 （もっと読む）