【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、深冷分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部６０により大気に放出される。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易で、また、第１ボディ部と第２ボディ部とが互いに分離及び組み立て可能な流動層反応器を提供する。
【解決手段】 ヘッドと、前記ヘッドの下に位置して前記ヘッドと連結され、前記ヘッドの直径より小さな直径を有する第１反応管がその内部に位置する第１ボディ部と、前記第１ボディ部の下に位置して前記第１ボディ部と連結され、前記第１反応管の直径と実質的に同一の直径を有する第２反応管がその内部に位置する第２ボディ部と、前記第２ボディ部と連結された底面部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】水素化物系ガスを含む混合ガスを高い回収率を維持しつつ分離して、水素化物系ガスを高純度に濃縮する。
【解決手段】気体分離膜が収容された密閉容器の未透過ガス排出口を閉止し、透過ガス排出口を開放した状態で、ガス供給口を開放して密閉容器内に混合ガスを供給し、充圧する第１の過程と、混合ガスの供給開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、ガス供給口を閉止して混合ガスの供給を停止し、当該状態を保持する第２の過程と、保持状態の開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、未透過ガス排出口を開放して水素化物系ガスを回収する第３の過程と、回収開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、未透過ガス排出口を閉止する第４の過程を備え、第１〜第４の過程を連続的に繰り返すことを特徴とするガス分離方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出される排ガスを処理するシステムを小型化する技術を提供する。
【解決手段】排ガス処理システム１００は、半導体製造装置１から排出される少なくとも水素およびモノシランを含む混合ガスを処理する。この排ガス処理システム１００は、半導体製造装置から排出された混合ガスを排気するポンプ部２と、ポンプ部２により排気された混合ガスを圧縮して後段へ送る圧縮機１１と、圧縮された混合ガスを集めて収容するガス収容部３と、ガス収容部３から供給された混合ガスの流量を制御する流量制御部４と、水素を選択的に透過させ、混合ガスからモノシランと水素を分離する膜分離部６と、を備える。これにより、半導体製造装置１から排出された混合ガスの圧力変動を緩和し、安定して排ガス処理システムを運転することができる。 （もっと読む）

本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
（もっと読む）

【課題】モノシランの精製方法を提供する。
【解決手段】（１）モノシラン及びエチレンを含有する原料から分別蒸留工程を用いて不純物を除去する工程；及び（２）前記工程（１）で精製された原料を活性炭に通過させ、エチレン及び残余不純物を除去する工程；を含むモノシランの精製方法を提供するものである。本発明によると、活性炭を用いて分別蒸留によって分離され難いエチレンを選択的に吸着除去することによって追加副産物の生成無しに、より簡単で効率的に高純度のモノシランを提供できる。 （もっと読む）

【課題】優れた熱電変換性能を有するマグネシウム−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】実質的にドーパントを含まない場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Ｍｇの含有量が原子量比で６６．１７〜６６．７７ａｔ％であり、Ｓｉの含有量が原子量比で３３．２３〜３３．８３ａｔ％である組成原料を、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを有し、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有する製造方法により製造される。一方、ドーパントを含む場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Ｍｇの含有量とＳｉの含有量との比が原子量比で６６．１７：３３．８３〜６６．７７：３３．２３であり、ドーパントの含有量が原子量比で０．１０〜２．０ａｔ％である組成原料により製造される。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３）を接触的に不均化することによりモノシラン（ＳｉＨ_４）を製造するための設備および方法を提供する。
【解決手段】トリクロロシランが触媒と接触して反応塔（１００）中で変換され、次いで精留塔（１０９）中で精製され、反応塔（１００）中の反応および蒸留の反応領域（１０４、１０５）と精留塔（１０９）との間に、反応塔（１００）からのモノシラン含有反応生成物が部分的に凝縮される１つ以上のコンデンサー（１０３）が配置され、このコンデンサー（１０３）のどれもが−４０℃より高い温度で操作される、前記設備および前記設備を用いる方法。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を含有する組成物を、前記組成物を少なくとも１種の有機アミノ官能化ポリマー吸着剤と接触させ、かつ異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が低下されている組成物を取得することにより、処理する方法、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量の減少のための吸着剤の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、モノシランを製造するためのシステムであって、トリクロロシランのための供給ライン（１０１）及び生成する四塩化ケイ素のための排出ライン（１０２）を有する反応カラム（１００）と、製造されたモノシランを前記反応カラムから取り出すことができる少なくとも１つの凝縮器（１０３）とを備え、前記反応カラムが、異なる温度で運転されかつ異なる触媒活性固形物を含む少なくとも２つの反応／蒸留反応領域（１０４、１０５）を含むシステムに関する。さらに、トリクロロシランの接触不均化によってモノシランを製造するための方法であって、前記不均化が、異なる温度で運転されかつ異なる触媒活性固形物を含む少なくとも２つの反応／蒸留反応領域（１０４、１０５）において実施される方法が記載される。
（もっと読む）

【課題】固体シリコンと水素プラズマとの反応を利用してＳｉＨ_４を生成する際に、パーティクル等の副次生成物の発生率を大幅に低減し、固体シリコンを効率的にＳｉＨ_４ガス化することが可能なモノシラン生成装置およびモノシラン生成方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＨ_４生成装置は、水素ガス雰囲気下で生成した水素プラズマと固体シリコン２とを接触反応させてモノシランを生成する。水素プラズマは、電極１と固体シリコン２との間に電力を印加することにより発生し、固体シリコン２に沿った水素ガスの流れ方向において、水素プラズマが存在する水素プラズマ領域３を通過する水素ガスの水素プラズマ領域滞在時間を、生成したモノシランが水素プラズマ領域３にて分解反応を起こす時間未満とするように制御する制御手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】二次廃棄物を生成させず、繰り返しの使用によっても分離性能が低下しない分離剤及びその分離剤の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無機多孔質担体をカップリング剤で表面処理する工程と、表面処理された無機多孔質担体の細孔表面に、Ｎ−アルキル（メタ）アクリルアミド誘導体モノマーと多座配位子のモノマーとを含浸させる工程と、各モノマーを上記カップリング剤による表面処理で導入された反応基と共有結合させ、細孔表面に固定する工程と、細孔表面に固定された各モノマーを重合させて共重合体ゲルを生成する工程とを有する。 （もっと読む）

請求項１に記載のプラントにおける操作温度及び１〜５０ｂａｒ ａｂｓ．の圧力でのトリクロロシランの触媒不均化によるモノシラン及び四塩化ケイ素の連続的生産方法であって、その際、−トリクロロシラン（Ａ）を熱交換器において予熱し、そして触媒（３）を備えている向流反応器（１）に供給し、−向流反応器（１）において形成された生成混合物を、−２５〜５０℃の範囲内の温度で、凝縮物を向流反応器（１）中に逆流させながら、冷却器（５）によって少なくとも部分的に凝縮し、−冷却器（５）において凝縮されていない生成物相を、−４０〜−１１０℃の範囲内の温度で操作される冷却装置（８）に通過させ、−冷却装置（８）からの揮発性生成物相を、−６０〜−１７０℃の範囲内の温度で操作される蒸留塔（９）に供給し、そしてモノシラン（Ｃ）を、蒸留塔（９）の塔頂部で排出し、−向流反応器（１）からのＳｉＣｌ₄を含有する残留物を、気化器（６）において６０〜１１０℃の範囲内の温度まで昇温させ、並びに−気化器（６）からの残留生成物を、二重壁（２）中に熱変換器（７）を介して運搬し、かつＳｉＣｌ₄を含有する生成物流（Ｂ）を、反応器（１）の上部でのレベルで排出する上記の連続的生産方法。
（もっと読む）

水素化物ガスを精製する方法で、少なくとも１種類のランタニド金属またはランタニド金属酸化物を有する材料を使用する。この方法は、汚染物質を１００ｐｐｂ未満に、より好ましくは１０ｐｐｂ未満に、より好ましくは１ｐｐｂ未満に低減する。この材料は、遷移金属および遷移金属酸化物、希土類元素および他の金属酸化物も含むことができる。本発明は、本発明の方法で使用するための材料も含む。 （もっと読む）

本発明は少なくとも一種のシラン化合物及びコロイドシリカ粒子を混合することを含む、少なくとも約20重量％のシリカ含量を有する安定な実質的に水性のシラン処理コロイドシリカ分散液の製造方法であって、シラン対シリカの重量比が約0.003から約0.2までであることを特徴とする上記分散液の製造方法に関する。また、本発明はその方法により得られる分散液、及び少なくとも約20重量％のシリカ含量を有する安定な実質的に水性のシラン処理コロイドシリカ分散液であって、シラン対シリカの重量比が約0.003から約0.2までであることを特徴とする上記分散液に関する。更に、本発明は被覆適用のための、また添加剤としての分散液の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、食品添加物、たとえば着色剤、酸化防止剤、保存剤、乳化剤、ゲル化剤、増粘剤および結合剤、安定剤、アルカリ、酸、塩、凝結防止剤、フレーバー強化剤、甘味剤、香料、食品添加物、中間体および植物保護剤からなる群から選択される物質のための担体としての熱分解法シリカから製造された顆粒の使用に関する。 （もっと読む）