【課題】シリコンウェハ製造用シリコンインゴットを砥粒として炭化ケイ素又はダイヤモンドを用いた砥粒方式により切削する際に発生する砥粒含有廃シリコンの処理物から高い収率でハロシランを製造する方法を提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素又はダイヤモンドからなる砥粒を含有する廃シリコン処理物を用いる方法であって、砥粒含有廃シリコンスラリーから砥粒を主成分とする固形分を分離することなくハロゲン化水素と反応させるハロシランの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの製造原料であるトリブロモシランを高い選択率及び／又は高い収率で得ることができる製造方法を提供すること。
【解決手段】金属グレードシリコン及び臭化水素を３８０〜４５０℃、好ましくは３８０〜４３０℃で反応させ、蒸留により分離回収するトリブロモシランの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易で、また、第１ボディ部と第２ボディ部とが互いに分離及び組み立て可能な流動層反応器を提供する。
【解決手段】 ヘッドと、前記ヘッドの下に位置して前記ヘッドと連結され、前記ヘッドの直径より小さな直径を有する第１反応管がその内部に位置する第１ボディ部と、前記第１ボディ部の下に位置して前記第１ボディ部と連結され、前記第１反応管の直径と実質的に同一の直径を有する第２反応管がその内部に位置する第２ボディ部と、前記第２ボディ部と連結された底面部と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、水素化ポリゲルマシランを純粋な化合物または化合物の混合物として製造するための方法であって、ハロゲン化ポリゲルマシランが水素化される方法に関する。本発明はまた、水素化ポリゲルマシラン、該水素化ポリゲルマシランから製造されるゲルマニウム層、およびかかる層を製造するための方法にも関する。 （もっと読む）

本発明は、長鎖ハロゲン化ポリシランの熱分解により、短鎖ハロゲン化ポリシラン、ならびに／または短鎖ハロゲン化ポリシランおよびハロゲン化物含有ケイ素を製造するための方法および装置に関する。低分子ハロシランで希釈された長鎖ハロゲン化ポリシランの熱分解がハロシランの雰囲気下で行われることにより、簡単で費用対効果の高い方法で、工業的な規模でそのような生成物を確実に製造する。
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【課題】新規なハロゲン化層状ポリシランを提供する。
【解決手段】アルゴン雰囲気に置換したナス型フラスコへＣａＳｉ₂を入れ、そこへ無水アセトンを加え、更に攪拌しながら臭素を混合した。この混合物を室温で７日間攪拌した。７日後には、混合物中に黄色の結晶が沈殿した。黄色の結晶の回収は、反応溶液の上澄みを除去し、そこへ新たにヘキサンを加え、静置するという操作を３回繰り返すことにより行った。洗浄後、減圧下で溶媒及び臭素を完全に除去することにより、臭素化層状ポリシランを得た。得られた臭素化層状ポリシランは、ダイヤモンド構造のシリコン結晶の（１１１）面と同じ副格子を有するシリコンへ臭素が結合した構造であり、六方晶系に属するものであった。この臭素化層状ポリシランは、リチウムイオン電池の負極材料として使用可能であり、アミノ化層状ポリシランの合成中間体としても使用可能であった。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を含有する組成物を、前記組成物を少なくとも１種の有機アミノ官能化ポリマー吸着剤と接触させ、かつ異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が低下されている組成物を取得することにより、処理する方法、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量の減少のための吸着剤の使用に関する。 （もっと読む）

本発明の主題は、一般式（１） Ｓｉ（ＳｉＲ₃）₄ （１）のネオペンタシランの製造方法において、一般式（２） Ｒ₃Ｓｉ−（ＳｉＲ₂−）_xＳｉＲ₃ （２）［式中、Ｒは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択され、ｘは、負ではない５までの整数を表す］のケイ素化合物を、触媒活性化合物（Ｋ）の存在で反応させ、この場合に形成されるテトラハロゲンシランの分離を、遊離される前記テトラハロゲンシランよりも高い沸点を有する室温で液状の化合物（Ｌ）の存在での蒸留により行う、ネオペンタシランの製造方法である。 （もっと読む）

本発明の対象は、一般式（１）及び（２）
Ｓｉ_nＸ_2n+2 （１）
Ｓｉ_mＸ_2m （２）
［式中、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択され、ｎは、２〜１０の整数を意味し、かつｍは、３〜１０の整数を意味する］のオリゴハロゲンシランから選択されるオリゴハロゲンシランの製造方法であって、ケイ素と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ及びＰｂ及びそれらの混合物から選択される金属のハロゲン化物とを含有する混合物を、−１２５℃〜１１００℃の温度で反応させ、そして形成されたオリゴハロゲンシランを、Ｎ₂、希ガス、ＣＨ₃Ｃｌ、ＨＣｌ、ＣＯ₂、ＣＯ、Ｈ₂及びＳｉＣｌ₄から選択されるキャリヤーガスで除去する、前記製造方法である。 （もっと読む）

【課題】可燃性溶媒を用いることなく、基板上に無機膜を安全かつ低時間、超低電力で製膜できる、工業的に極めて有利な無機膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】泳動電着法により基板表面に無機膜を製膜する方法において、電着浴の溶媒としてハイドロフルオロエーテルを用いた無機膜を製膜する。
ハイドロフルオロエーテルとしては、好ましくは下記一般式（Ｉ）で示されるフルオロエーテルを用いる。
R¹−O−R² （Ｉ）
（R¹およびR²は、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のフルオロアルキル基であり、かつR¹およびR²の少なくとも一方は炭素数１〜６のフルオロアルキル基である。） （もっと読む）

本発明の対象は、一般式（１）：Ｓｉ（ＳｉＲ₃）₄のネオペンタシランの製造方法であり、この方法では一般式（２）：Ｒ₃Ｓｉ−（Ｓｉ−）_xＳｉＲ₃［式中、ＲはＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選択されており、Ｘは負ではない整数〜５である］のケイ素化合物を、エーテル化合物（Ｂ）の存在下で反応させる。 （もっと読む）

本発明は、無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を有する組成物を処理する方法において、前記組成物を、少なくとも１種の吸着剤と接触させ、異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含有量が低減された組成物を得る方法、並びに低減された異種金属含有量を有する相応する組成物、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を低減させるための有機樹脂、活性炭、ケイ酸塩及び／又はゼオライトの使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、二量体ケイ素化合物および／または三量体ケイ素化合物、殊にケイ素ハロゲン化合物の製造法に関する。加えて、本発明による方法は、相応するゲルマニウム化合物の製造法にも適している。そのうえ、本発明は、該方法を実施するための装置ならびに製造されたケイ素化合物の使用に関する。
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