【課題】基材表面に塗布して焼成したときに耐薬液性に優れた多孔質シリカ膜を得ることが可能な前駆体塗布液を提供する。
【解決手段】多孔質シリカ膜の形成に用いられる前駆体塗布液の作製方法であって、官能基を有するアルコキシシランを界面活性剤と共に溶媒に溶解させ、この溶解させたアルコキシシランを触媒存在下で加水分解及び脱水縮合して第１のゾルを得る第１工程と、第１のゾルにテトラアルコキシシランもしくはその重合体を添加し、第１のゾルに含まれる脱水縮合物とテトラアルコキシシランもしくはその重合体を加水分解及び脱水縮合して第２のゾルを得る第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高ＥＷ（又は、低ＩＥＣ）で、かつ、無加湿条件下においても高いプロトン伝導度を示す電解質を提供すること。
【解決手段】シラノール基又はその前駆体からなる親水性基の縮重合により形成されるシリカ層と、シリカ層の内表面を修飾する有機スルホン酸基とを備え、その内部に界面活性剤の除去に由来する細孔を持たない緻密体からなる電解質。このような電解質は、シラノール基又はその前駆体からなる親水性基と有機スルホン酸基の前駆体からなる疎水性基とを備えた両親媒性分子を含む溶液中に、必要に応じて親水性基を備えたＳｉＯ₂源を添加し、溶液中において両親媒性分子を自己組織化させ、親水性基を縮重合させることにより得られる。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が２０％以上１００％以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】本発明では、高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせずに、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を製造する方法を提供する。また、本発明では、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を提供する。
【解決手段】半導体積層体を製造する本発明の方法は、基材の表面上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結シリコン膜１２０を形成する工程、及び未焼結シリコン膜に光２００を照射して、半導体シリコン膜１３０ａを形成する工程を含み、かつ基材の表面１００ａに対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。本発明の半導体積層体は、この半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、かつ基材の表面に対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。 （もっと読む）

【課題】（１）絶縁性があり、（２）耐熱性があり、（３）金属などの基材に塗布および熱処理して用いることができ、（４）基材との熱膨張係数差が大きくても剥離および破壊しない膜状の材料を得ること。
【解決手段】Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂｅのいずれかからなる金属アルコキシドが加水分解および脱水重合されて形成される無機物質中にフィラーを分散した材料で、フィラーの粒子は結晶面の一つが完全なへき開面を有する無機物を含んだものとし、さらにフィラーの粒子のへき開面は膜の面方向に対して並行に略整列とすることにより解決した。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の上に、膜厚みの均一性に優れた凹凸膜が形成されたウエハを提供する。また、結晶基板の上に、膜厚みの均一性に優れた凹凸膜が形成されたウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶基板に凹凸膜が形成された凹凸膜付きウエハであって、該凹凸膜は、最大厚みの平均が０．０５〜５μｍであり、シロキサンオリゴマーを含み、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定による炭素、酸素、ケイ素の各原子数の合計に対するケイ素原子の含有率が５〜３３ａｔｏｍ％であり、残膜厚みの均一性が２５％以下であることを特徴とする凹凸膜付きウエハ。
凹凸形状を表面に有する支持体フィルムの上に、最大厚みの平均が０．０５〜５μｍであり、シロキサンオリゴマーを含み、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定による炭素、酸素、ケイ素の各原子数の合計に対するケイ素原子の含有率が５〜３３ａｔｏｍ％である凹凸膜が積層された転写フィルムから、結晶基板の上に前記凹凸膜を転写することを特徴とする凹凸膜付きウエハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、水に対して安定なシリカ多孔質体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テトラアルコキシシラン類群より選ばれる少なくとも一種と、該テトラアルコキシシラン類以外のアルコキシシラン類群より選ばれる少なくとも一種と、並びに／又は、該テトラアルコキシシラン類群より選ばれる少なくとも一種及び他のアルコキシシラン類群より選ばれる少なくとも一種の部分縮合物と、水と、８０重量％以上が沸点５５〜１４０℃である有機溶媒と、触媒と、エチレンオキサイド部位を有する非イオン性高分子とを、所定の比率で配合して組成物とし、それを基材上に成膜した後、加熱することによって、シリカ多孔質体を形成する。 （もっと読む）

【課題】反射光の低減とガスバリア性を共に付与せることが可能なシリカ膜前駆体材料、これを用いたシリカ膜及び前記シリカ膜を形成させたガスバリア防眩成形体を、提供する。
【解決手段】シリカ前駆体であるシラザン化合物、層状粘土鉱物及び有機溶剤を含むシリカ膜前駆体材料を基材上に塗布し、加熱処理、加湿処理、紫外線照射処理、又は、前記加熱処理と紫外線照射処理とを同時に行う処理の何れかによりシリカ膜を形成し、ガスバリア防眩成形体とする。 （もっと読む）

【課題】サイクル特性及び充放電容量が向上させることが可能であり、活物質層に適用可能なシリコン膜の作製方法を提供する。また、当該シリコン膜を用いた蓄電装置の作製方法を提供する。
【解決手段】導電層上に、ＬＰＣＶＤ法により、結晶性を有するシリコン膜を形成し、原料ガスの供給を停止し、当該原料ガスを排気すると共に、当該シリコン膜を加熱処理し、当該原料ガスを反応空間に供給し、ＬＰＣＶＤ法で当該シリコン膜をウィスカー形状に成長させることである。また、ウィスカー形状に成長させたシリコン膜を負極に含まれる活物質層に用いて蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】
シリカ膜の形成において、膜厚が厚くクラックの発生を抑えたシリカ膜の容易な形成方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、シリカ膜の形成において、プレカーサとして条件を制御したシリコンアルコキシドの加水分解・脱水縮重合物にシリカフィラーを０〜５０ｖｏｌ％になるように混合した組成物を用い、プレカーサに紫外線を照射することによって、加熱することなくクラックの発生を抑えたシリカ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、分散安定性に優れ、硬度の高いフィルムを調整する際に好ましく用いることのできるシリカ粒子の製造方法、及び当該シリカ粒子が分散された分散体を含む硬化性樹脂組成物の硬化物である硬度の高いフィルムを提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を解決するため、（メタ）アクリロイル基を有する化合物、及びトリアルキルシリル基を有する化合物で表面処理されたシリカ粒子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】種々の金属イオンについて室温で高いイオン伝導性を示し、安価かつ簡便に製造可能な無機固体イオン伝導体とその製造方法およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】無機固体イオン伝導体は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される１または複数からなる非晶質の金属酸化物と、前記金属酸化物中に含有された１価、２価、または３価の金属イオンとを含み、２５℃（室温）において１×１０^−７Ｓ・ｃｍ^−１以上のイオン伝導度を有する。 （もっと読む）

【課題】帯状の基板を搬送しつつ連続的に活物質層の形成と、リチウムの付与を行なうにあたって、単一の真空容器内で差圧構造を設けて、両処理を安定して実施できる生産性に優れたリチウム二次電池用負極の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】真空中で、帯状の基板の表面上に、負極を形成するリチウム二次電池用製造装置は、活物質形成エリア１０とリチウム付与エリア５０の間にスリット部を設けて分離された差圧構造であり、基板４を搬送する搬送機構と、搬送機構によって保持されている基板の表面上に、蒸着可能領域５内で活物質層を形成するための活物質形成手段と、リチウム付与可能領域５５内でリチウムを付与するためのリチウム付与手段と、活物質層を酸化するガスノズル２２と、圧力を制御するガスノズル６２とを収容する真空容器１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】水蒸気等の酸化剤中における焼成工程での収縮が小さく、シリカ膜の亀裂や半導体基板との剥離が発生しにくい無機ポリシラザン及び無機ポリシラザンを含有するシリカ膜形成用塗布液を提供すること。
【解決手段】¹Ｈ―ＮＭＲスペクトルにおいて、４．７５ｐｐｍ以上で５．４ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＡとし、４．５ｐｐｍ以上で４．７５ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＢとし、４．２ｐｐｍ以上で４．５ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＣとしたとき、Ａ／（Ｂ＋Ｃ）の値が０．９〜１．５であり、（Ａ＋Ｂ）／Ｃの値が４．２〜５０であり、ポリスチレン換算値による質量平均分子量が２０００〜２００００である無機ポリシラザンをシリカ膜形成用塗布液に含有させる。 （もっと読む）

【課題】対向拡散ＣＶＤにより形成されるシリカ膜を備えたガス分離材の製造方法において、欠陥が存在する多孔質基材を用いても、良好な性能を有するシリカ膜を安定して形成することができるガス分離材の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質基材１２とシリカ膜とを備えるガス分離材を製造する方法が提供される。該方法は、多孔質基材１２を用意する工程と、前記基材１２の一方の面側１２ａにシリカ源含有ガス２として不活性ガスと共に供給される気化したシリカ源と、該基材１２の他方の面側１２ｂに供給される酸素含有ガス３とを反応させる化学蒸着法によって、該基材１２にシリカ膜２１を形成する工程と、前記シリカ膜２１を形成する工程において排出されるガス組成をガスクロマトグラフィーにてモニタリングすることによって、前記シリカ膜２１の形成の終了点を決定する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ大面積化された自己支持性のナノ薄膜を有する薄膜積層基材；従来に比べ大面積化された自己支持性のナノ薄膜を、少ない工程数で、簡便にかつ確実に形成できる薄膜積層基材の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の凸部２を表面に有する基材（Ａ）３と、複数の凸部２の頭頂部４および複数の凸部２の間の空隙５を覆うように連続して形成された厚さ１〜１００ｎｍの薄膜（Ｂ）６とを有する薄膜積層基材１；基材（Ａ）３を金属酸化物析出反応液に浸漬し、基材（Ａ）３の表面に金属酸化物または金属酸化物前駆体を析出させることによって、複数の凸部２の頭頂部４および複数の凸部２の間の空隙５を連続して覆う厚さ１〜１００ｎｍの薄膜（Ｂ）６を形成する薄膜積層基材１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材上にガスバリア性を有する層が形成された電子機器用基板において、高いガスバリア性を有し、且つ、層間の密着力に優れた信頼性の高い膜を簡易に形成可能とする。
【解決手段】樹脂基板１０１上に複数の層が積層された積層膜を有する電子機器用基板１００において、積層膜を、正又は負に帯電可能な無機化合物を含む１層以上の無機物層１１０と、無機物層１１０と反対の電荷に帯電可能な無機層状化合物を含む１層以上の層状化合物層１２０とで構成し、無機物層１１０と層状化合物層１２０とを交互に積層する。 （もっと読む）

【課題】空隙率が高く、小粒径で、かつ温湿度等の環境変化に強い球状の中空粒子、これを用いた赤外線反射フィルム及び赤外線反射体を提供することにある。
【解決手段】シェルがシリカ（ＳｉＯ_２）と金属酸化物（ＭＯｘ）を含有し、その組成がモル比で、
１＜（Ｓｉ／Ｍ）＜１００
で、かつ体積換算平均粒子径が、１０〜２００ｎｍであることを特徴とする中空粒子。
（式中、Ｍは第３族、第４族、第５族、第１３族またはＳｉを除く第１４族の金属元素を表す。） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）