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Fターム[4G072BB13]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 形状、構造 (3,484) | 非晶質、アモルファス (88)

Fターム[4G072BB13]に分類される特許

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【課題】高い固体含量と高いpHを有するフュームド金属酸化物の安定な分散体の改良された製造方法の提供。
【解決手段】次の連続段階を含む、液体キャリア中にフュームド金属酸化物の分散体を製造する方法:(a)pH約8での金属酸化物の水への溶解速度以上の速度で該金属酸化物が溶解するpHを有する液体キャリアを用意し、(b)フュームド金属酸化物および金属イオン源の両方につき、該フュームド金属酸化物および該金属イオン源の1アリコート以上と液体キャリアとを、いかなる順序でも、混合して分散体が凝固しないような分散体を形成し、そして(c)任意で、段階(a)における液体キャリアのpHに分散体のpHを調節する。 (もっと読む)


【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコン系クラスレートを安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系クラスレートの製造方法は、Si粉末とGe粉末とNaとを混合して650℃以上の温度で加熱し、SiとGeとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたSiとGeとNaとからなる化合物を、10−2Pa以下の陰圧下で300℃以上450℃以下の温度により2時間以上72時間以下加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ge粉末は、Si粉末とGe粉末の総モル数に対する割合が1モル%以上20モル%以下となるように使用されることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜(160)は、複数の細長シリコン粒子(22)が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子(22)は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜(160)を製造する本発明の方法は、第1のシリコン粒子分散体を、基材(100)上に塗布し、乾燥し、光(200)を照射して、第1の半導体シリコン膜(130)を形成する工程、第2のシリコン粒子分散体を、第1の半導体シリコン膜(130)に塗布し、乾燥し、光(200)を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第1のシリコン粒子分散体の第1のシリコン粒子の分散が5nm以上である。 (もっと読む)


【課題】硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に、ボイドの発生や経時的な増粘を抑制することができる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、半導体用封止材に用いる非晶質シリカ粒子であって、固体NMRスペクトルにおいて、縮合性基が結合していないケイ素原子のピーク面積をA、縮合性基が2個結合したケイ素原子のピーク面積をBとしたときに、(B/A)×100で示される両者の比率(%)が1.0%未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に流動性の低下やボイドの発生を確実に抑制でき、製造ロットに拘らず好適に半導体用封止材に用いることができる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、半導体用封止材に用いる非晶質シリカ粒子であって、粒子表面のシラノール基濃度(mmol/g)を、BET法により測定される粒子の比表面積(m/g)で除することで求められる単位表面積あたりのシラノール基量が、0.010mmol/m以上、0.065mmol/m以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が1.35を超え1.75以下、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.50以上0.75以下及び未溶解率が0.25より大きく0.60以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アミノアルキルチオ硫酸塩は、通常、吸湿性を有しており、さらに吸湿により潮解することがあるため、これを用いてゴム組成物を製造する際の作業性の改善が求められていた。
【解決手段】式(1)


(式中、R及びRはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。nは2〜9の整数を表す。Mはアルカリ金属を表す。)
で示されるアミノアルキルチオ硫酸塩が中性又は塩基性のシリカゲルに吸着されているアミノアルキルチオ硫酸塩含有シリカゲル。 (もっと読む)


【課題】 安価原料(水ガラス、無機塩)を出発原料とし、非晶質酸化ケイ素ネットワーク中に異種金属を均一導入することによって強い酸点を形成し、かつ、高い比表面積を有する高機能多孔質材料を製造する。
【解決手段】 有機質鋳型を水溶媒に溶解せしめた後に、水ガラスを添加し、次に前記有機質鋳型、前記水溶媒および前記水ガラスの混合物を撹拌しながら、前記混合物に無機酸を滴下し、さらに無機塩水溶液を添加し、前記無機塩の自己加水分解反応を進行させて、高比表面積、強吸着機能を有する多孔質材料を製造する。 (もっと読む)


【課題】高容量且つ充放電サイクル特性に優れるリチウムイオン二次電池が得られるアモルファス合金を提供する。
【解決手段】Si及びAlを含み、さらにFe、Cr、Ni及びZrから選ばれる少なくとも2種の元素を含み、Siの含有量(原子%)及びAlの含有量(原子%)の和が70原子%以上90原子%以下であって、下記式(1)を満たすアモルファス合金。
1<(Siの含有量(原子%))/(Alの含有量(原子%))<3 (1) (もっと読む)


【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】種類の異なる元素Aと元素Dとを含み、前記元素AがSi、Sn、Al、Pb、Sb、Bi、Ge、InおよびZnからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素であり、前記元素DがFe、Co、Ni、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ba、ランタノイド元素(Ce、およびPmを除く)、Hf、Ta、WおよびIrからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素であり、前記元素Aの単体または固溶体である第1の相と、前記元素Aと前記元素Dとの化合物である第2の相を少なくとも有することを特徴とするナノサイズ粒子と、前記ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 (もっと読む)


【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を10−4Pa以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程S10と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程S20と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程S30と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程S40と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透明部材に用いられるフィラーにおいて、透明部材の光透過性を向上させることができるフィラーと、その製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス粒子からなるフィラーであって、該セラミックス粒子が、以下の要件(I)〜(V)を満たすフィラー。
(I)SiOの含有量が97.0重量%以上であり、
(II)X線回折スペクトルにおける相対バックグラウンド高さが3.0〜10.0であり、
(III)平均粒子径が0.01〜50μmであり、
(IV)真球度が0.95以上であり、
(V)屈折率が1.48〜1.60である。 (もっと読む)


【課題】シリコンなどの金属を溶融する過程において、変形や破損のない溶融用ルツボを
簡易な方法で提供する。
【解決手段】非晶質シリカ粒子と、平均粒径が0.1μm以上1μm以下のムライト粒子と、水硬性アルミナまたはアルミナセメントのいずれか一方と、を水で混合、攪拌してスラリーを作製、これを型枠に流し込んで成型体を得て、この成型体を大気雰囲気中20℃以上400℃以下の温度で30分以上48時間以内保持することにより、成型体の余剰水分を除去して作製した溶融用ルツボは、簡易に作製でき、かつ溶融過程の昇温時においても破損することがない。 (もっと読む)


【課題】球状の不純物が少ない合成シリカガラス粉末を経済的に製造することができる方法、およびこの方法によって製造した球状の合成シリカガラス粉末を提供する。
【解決手段】合成したシリカ質のゲルをスプレー乾燥して球状化し、この球状乾燥粒子を焼成してガラス化することを特徴とする合成シリカガラス粉末の製造方法であり、好ましくは、球状乾燥粒子を1125℃以上に加熱焼成して、嵩比重1.0以上、比表面積0.1m2/g以下にする製造方法、および上記方法によって製造され、光透過性が焼成前の乾燥粒子より低いことを特徴とする合成シリカガラス粉末。 (もっと読む)


【課題】増粘特性と研磨特性に優れたゲル/沈降シリカの複合材料、及び該複合材料を含有する歯磨配合物の提供。
【解決手段】5〜50体積%のシリカゲルを含み、該複合材料は40〜100ml/100gの範囲のアマニ油吸収を示し、そして該複合材料は5〜30mg損失/100,000回転の範囲の10%Brass−Einlehner硬度を示す複合材料、および該複合材料を含有する歯磨配合物。該複合材料は、3〜20μmのメジアン粒径を示す粒子の形態であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.35を超え1.75以下、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.50以上0.75以下及び球状化率が0.20以上0.55未満であり、炭素濃度が2ppm未満又は塩素濃度が2ppm未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.00〜1.35、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.75〜1.00及び球状化率が0.55〜1.00であり、炭素濃度が2ppm未満又は塩素濃度が2ppm未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.00〜1.35、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.75〜1.00及び未溶解率が0.00〜0.25であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.00〜1.35、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.75〜1.00及び未溶解率が0.00〜0.25であり、炭素濃度が2ppm未満又は塩素濃度が2ppm未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が1.35を超え1.75以下、真密度が2.10g/cm3〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05以下、円形度が0.50以上0.75以下及び球状化率が0.20以上0.55未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


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