【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】金属珪化物の正方晶の薄膜を常温下で製造できる方法を提供する。
【解決手段】エアロゾル薄膜堆積法を用い、金属珪化物の微粒子をキャリアガスと混合してエアロゾル化したものを、常温減圧下の雰囲気で、ノズルを通じて所定の速度で基板に噴射し、衝撃固化現象を利用して微粒子を基板上に付着させることによって、金属珪化物の薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】保護層に無機層状化合物を含有するが、保護層塗布液中での凝集沈降が無く、レーザー露光により効率よく画像を形成でき、しかも耐刷性と、着肉性及び機上現像性に優れる平版印刷版原版、並びにそれを用いた平版印刷方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、重合開始剤及びラジカル重合性化合物を含有する画像記録層、並びに無機層状化合物を含有する保護層を有する平版印刷版原版において、アンモニウムまたはホスホニウムを有する特定の官能基と特定の（メタ）アクリルアミド単位を有するポリマーを画像記録層及び保護層の少なくともいずれかに含有することを特徴とする平版印刷版原版。 （もっと読む）

【課題】原料融液に下地板を浸漬させることにより、下地板表面に薄板を製造する薄板製造装置および製造方法において、薄板の板厚のむらの発生を防止して、板厚を制御することのできる薄板製造装置および薄板製造方法、ならびに坩堝を提供する。
【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させることにより、下地板表面に薄板を製造する薄板製造装置であって、原料融液を内部に充填可能な坩堝と、坩堝内の原料融液に下地板を浸漬させる浸漬部とを備える。坩堝は、坩堝本体と、下地板の浸漬方向に応じて原料融液の表面の液流の方向を制御する制御部とを含む。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性及び光特性に優れたシリコンナノワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンナノワイヤは、金属ナノクラスターが、シリコンナノ構造体の表面上に形成されてなる点に特徴を有する。金属ナノクラスターは、シリコンナノワイヤの電気的特性及び光学的特性を向上させる役割を果たす。よって、本発明のシリコンナノワイヤは、リチウム電池、太陽電池、バイオセンサー、メモリ素子などの多様な電気素子に有効に使用できる。 （もっと読む）

【課題】 ウェット洗浄工程を増加させることなく、かつ、より低温でシリサイドを形成することが可能なシリサイドの形成方法を提供すること。
【解決手段】 表面にシリコンとシリコン酸化物とが露出している基板１０１上にシリサイドを形成するシリサイドの形成方法であって、基板１０１の温度を４００℃以上として、シリコンとシリコン酸化物とが露出している基板１０１の表面上にマンガン有機化合物ガスを供給し、基板１０１の表面に露出したシリコンを選択的にマンガンシリサイド化する。 （もっと読む）

【課題】多孔質膜で被覆された基板であって、該多孔質膜の表面に無孔質薄膜が形成されており、且つ、該多孔質膜に、基板から無孔質薄膜に向かう貫通孔が形成された積層基板を提供する。
【解決手段】本発明の積層基板は、多孔質膜で被覆された基板であり、前記多孔質膜の表面に無孔質薄膜が形成されており、基板から無孔質薄膜に向かう複数の互いに並行する貫通孔が前記多孔質膜に形成されている。 （もっと読む）

【課題】可燃性溶媒を用いることなく、基板上に無機膜を安全かつ低時間、超低電力で製膜できる、工業的に極めて有利な無機膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】泳動電着法により基板表面に無機膜を製膜する方法において、電着浴の溶媒としてハイドロフルオロエーテルを用いた無機膜を製膜する。
ハイドロフルオロエーテルとしては、好ましくは下記一般式（Ｉ）で示されるフルオロエーテルを用いる。
R¹−O−R² （Ｉ）
（R¹およびR²は、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のフルオロアルキル基であり、かつR¹およびR²の少なくとも一方は炭素数１〜６のフルオロアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化ケイ素層によって支持されたＳｉＧｅ層のゲルマニウム濃縮によって少なくとも１つのＧｅＯＩ構造を形成する方法に関する。
【解決手段】酸化ケイ素層は、ゲルマニウムでドープされ、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度は、ＳｉＧｅ領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度である。 （もっと読む）

超疎水性コーティング、超疎水性コーティングを含むデバイスおよび物品、ならびに超疎水性コーティングを調製する方法が提供される。例示的な超疎水性デバイスは、基材構成部分と、この基材構成部分を覆って配置された１層または複数の超疎水性コーティングであり、これらの１層または複数の超疎水性コーティングの少なくとも１層が、少なくとも約１５０°の水接触角および約１°未満の接触角ヒステリシスを有する超疎水性コーティングとを含むことができる。これらの１層または複数の超疎水性コーティングは、超高水分含量酸触媒作用によるポリシリケートゲルを含むことができ、このポリシリケートゲルは、シリル化剤により誘導体化された表面官能基を有するシリカ粒子の三次元網目、および多数の孔を含む。
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本発明は、光輝性シリコンナノパーティクルに、表面機能、例えばアミン基や、ラベル付けの応用のための生物学において特にそれらの使用を助けるや他の基を与えるための処理に関する。ナノパーティクルに、これらの機能、特に水性媒質内での溶解に対する保護を与える表面コーティングを生成するために、次いで、反応がナノパーティクルに適用される。本発明の意味における方法は、このコーティング反応の前に、その表面でのＳｉ−ＯＨタイプ結合の生成を助けるシリコンナノパーティクルの不動態化を含み、このタイプの結合は、表面基として、特に、アミン、チオール、ポリエチレングリコールを含む多数の機能を得ることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ細孔膜、かかるナノ細孔膜を製造する方法、およびその使用を提供する。
【解決手段】膜を製造する方法では、フォトリソグラフィーがコロイドリソグラフィーと組み合わされて使用され、これによってナノサイズ細孔を短時間で大規模に製造できる。結果として生じる膜の細孔は狭いサイズ分布を有し、無作為に配置される。さらに、細孔間距離は変化をほとんど示さない。 （もっと読む）

【課題】低湿度及び高湿度での吸湿量が共に顕著に高いシリカゲル、シリカゲル担持ペーパー及びシリカゲル素子を提供することにあり、また合成が容易なシリカゲルの製造方法を提供すること。
【解決手段】細孔直径２．５ｎｍ以下の領域において細孔分布のピーク（最大値）が存在し、細孔直径１０〜２５ｎｍの合計細孔容積（Ｖ_１）と細孔直径２〜２５ｎｍの合計細孔容積（Ｖ_２）の比（Ｖ_１）／（Ｖ_２）が、０．１５〜０．４であるシリカゲル、その製造方法、これを担持してなるシリカゲル担持ペーパー及びシリカゲル素子。 （もっと読む）

モノリス型の無機多孔質の支持体と、随意的な１つ以上の多孔質の無機中間層と、非晶質のシリカ膜とを備えた、非晶質シリカのハイブリッド膜構造。非晶質シリカのハイブリッド膜は、例えばＨ_２の精製およびＣＯ_２の捕捉など、ガス分離用途に有用である。
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【課題】メソ細孔が基板上に略垂直に配向したメソポーラスシリカ膜、メソポーラスシリカ膜構造体、及び該構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】（１）平均細孔周期が１．５〜６ｎｍのメソ細孔構造を有するシリカ膜であって、該メソ細孔が膜表面に対して７５〜９０°の方向に配向しているメソポーラスシリカ膜、（２）該メソポーラスシリカ膜が基板上に形成された構造体、及び（３）特定の陽イオン界面活性剤を特定量含有する水溶液を調製し、該水溶液中に基板を浸し、加水分解によりシラノール化合物を生成するシリカ源を特定量加え、１０〜１００℃の温度で撹拌して、基板表面にメソポーラスシリカ膜を形成した後、陽イオン界面活性剤を除去するメソポーラスシリカ膜構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高密度のメモリデバイスとして有用な強誘電体メソ結晶を基板表面に配向して規則正しく並んだ構造の強誘電体薄膜およびその製造方法の提供。
【解決手段】各種基板上へスピンコーティングにより原料溶液を塗布（１段目、２０００回転、１０秒、２段目、４０００回転、３０秒）し、その後、大気中で熱処理して規則的に配列されたナノサイズの細孔からなる珪酸塩メソ多孔体薄膜を作製する。次に強誘電体前駆体溶液を合成し、この溶液中に珪酸塩メソ多孔体薄膜の形成された基板をつけ込み、1日静置し、取り出した後、空気中で焼成することにより珪酸塩ナノ多孔質薄膜の細孔内に強誘電体メソ結晶が充填されてなる強誘電体担持薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】液相プロセスを用いて、安定かつ所望な膜厚の膜を形成することができる高次シラン組成物、かかる高次シラン組成物により製造される膜付基板の製造方法、膜付基板を備える電気光学装置および電子デバイスを提供すること。
に関するものである。
【解決手段】高次シラン組成物は、高次シラン化合物と、置換または無置換の炭化水素系溶媒を含む溶媒とを含有し、前記溶媒として、前記高次シラン化合物が溶解し得るように、屈折率が１．５３以上のものを選択する。また、炭化水素系溶媒は、比誘電率が１０以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電極層を損傷することがなく電極間距離を一定に保つことが可能であり、しかも、接触抵抗が小さく、ある程度の凹凸があっても確実に電極を接続可能である導電性微粒子を提供する。
【解決手段】球状コア粒子１と、該球状コア粒子表面に形成された弾性被覆層２と、該弾性被覆層表面に形成された導電性薄膜層３とからなり導電性微粒子であり、前記弾性被覆層が次の工程により形成することを特徴とする導電性微粒子の製造方法。(a)球状コア粒子表面に疎水性官能基を付与する工程。(b)前記疎水性球状コア粒子を水および/または有機溶媒に分散させて疎水性球状コア粒子の分散液を調製する工程。(C)前記疎水性球状コア粒子分散液に界面活性剤を添加する工程。(d)疎水性球状コア粒子分散液に有機ケイ素化合物を添加し、更にアルカリを添加して前記疎水性球状コア粒子表面に有機ケイ素化合物の加水分解縮重合物からなる弾性被覆層を形成させる工程。 （もっと読む）

【課題】可燃性ガスや毒性ガスを用いる必要がなく環境負荷を十分に低減することができるとともに、高熱を印加する必要がなく投入するエネルギーを十分に少なくすることができ、シリコンを効率よく形成することが可能なシリコンの形成方法を提供すること。
【解決手段】３０〜９９．９原子％の珪素と、０．１〜５０原子％の還元性金属元素とを含有する珪素含有材料に、酸素分圧が１０^−２Ｐａ以下の真空雰囲気下で、波長１９２〜１０６４ｎｍ、パルス幅１００ナノ秒〜１０フェムト秒、照射強度１０^８〜１０^１５Ｗ／ｃｍ^２のレーザー光を照射し、シリコンを得ることを特徴とするシリコンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】成長基板に成長したシート状基板をその成長基板から自動的に剥離するシート状基板剥離装置と、シート状基板を成長基板から剥離するシート状基板剥離方法を提供する。
【解決手段】シート状基板剥離装置１はシート状シリコン基板を成長させるための成長用基板３と、シート状基板を剥離するための真空吸着パッド１１と、シート状基板を搬送するためのベルヌーイ吸着パッド１３とを備えている。成長基板３には、成長基板３を掴むようにシート状シリコン基板を成長させる第１面、第２面および第３面が設けられている。真空吸着パッド１１は、成長基板において第２面が位置する一端側から第２面と対向する他端側に至る長さの３分の１以下の距離にところに位置する部分に成長したシート状シリコン基板の部分が吸着される。 （もっと読む）