【課題】 高温の気相で行う反応を用いず、低温の液相で行う反応を採用することにより、シリコンを多量で安定的に連続生成させる多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】 溶融金属亜鉛中においてクロルシランと金属亜鉛を反応させ多結晶シリコンと塩化亜鉛とを反応生成物として生じさせる還元反応部分の位置が、反応生成物である塩化亜鉛を電気分解することによって塩素と金属亜鉛を生成させる電解部分の位置より下部にある。還元反応部分でクロルシランと金属亜鉛とを反応させ多結晶シリコンと塩化亜鉛を反応生成物として生じさせる。反応生成物である多結晶シリコンを分離し、塩化亜鉛を電気分解することによって塩素と金属亜鉛を生成させこの塩素はクロルシランの製造用に使用する。金属亜鉛はクロルシランとの反応に使用する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、籾殻又は稲藁のようなシリコン含有植物から生成されたカーボン−シリカ生成物であり、硫酸で浸出することによって、非シリカ無機物及び金属を除去し、その一方、残った生成物内の固定カーボン対シリカのモル比を調整する。カーボンとシリカは、ミクロン又はサブミクロンスケールで密接に混合され、高純度と高い反応性、小さな粒子サイズ、高い空隙率を特徴とし、カーボン−シリカ生成物からシリコン含有生成物を生成するエネルギー源として用いられる揮発性カーボンを含む。 （もっと読む）

【課題】溶融シリコンの異物汚染を抑制できるシリコンインゴットの電磁鋳造方法の提供。
【解決手段】チャンバー１内を真空引きする際、シャッター３０によって無底冷却ルツボ１０の上端開口を遮蔽し、不活性ガス導入管４の遮断弁５を閉にし、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を開にした状態で、排気管７の排気ポンプ８を作動させることなく、真空引き用配管２３の真空ポンプ２４を作動させ、その後にチャンバー１内を不活性ガスで満たす際、ガス導入管４の遮断弁５を開に切り換えた状態にし、その後にシリコン原料１４を溶解しながら連続鋳造する際、シャッター３０を退避させてルツボ１０の上端開口を開放し、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を閉に切り換えた状態で、排気ポンプ８を作動させ、その後にチャンバー１内でインゴット１９を冷却する際、通気管２０の遮断弁２１を開に切り換えた状態にする。 （もっと読む）

【課題】スプリングバックやラミネーションを抑制可能であり、且つ十分な断熱性能を示す成形体を提供すること。
【解決手段】シリカを含み、細孔を有しており、細孔径が０．００３μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_{０．００３}に対する、細孔径が０．１μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_０．１の割合Ｒ_０．１が５０％以上８５％以下であり、Ｖ_０．１が０．２ｍＬ／ｇ以上３ｍＬ／ｇ以下であり、３０℃における熱伝導率が０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である成形体。 （もっと読む）

【課題】
ある程度の繰り返し使用を可能とし、るつぼの確保にかかるコストダウンを図るとともに、産業廃棄物の排出を抑え、るつぼの交換頻度の低下に伴う太陽電池用ポリシリコンの製造効率を向上させることが可能なポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法の提供。
【解決手段】
アルミナからなるポリシリコン融解用るつぼであって、ポリシリコン融液と接触する側のるつぼ本体表面に形成され、前記アルミナの融点よりも低温度で融解する低温融解層と、前記低温融解層の層上に窒化シリコンを含むコーティング層とを備えたポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】付着性が抑制され、水蒸気が発生しにくい粉体を提供する。
【解決手段】シリカを含有し、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以上４００ｍ^２／ｇ以下であり、含水率が０．２質量％以上２．５質量％以下であり、３０℃における熱伝導率が０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、粉体。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、特定の粒度分布と特定の孤立シラノール基を有する球状シリカ粉末を用いることにより、樹脂へ高充填した際に樹脂組成物の流動性が極めて高く、かつ球状シリカ粉末が良好に分散してなる樹脂硬化物を提供する。
【解決手段】 下記の条件を満たすことを特徴とする球状シリカ粉末。（α）粒度分布に２ヵ所の頻度極大値Ａ（μｍ）、Ｂ（μｍ）を有し、頻度極大値Ａは０．４０〜１．５μｍ、頻度極大値Ｂは０．０３〜０．０７μｍの範囲であり、Ａの体積頻度値が３．０〜７．０％、Ｂの体積頻度値が１．０〜９．０％。（β）０．１μｍ未満の球状シリカ粉末が５〜３０質量％であり、その粉末の孤立シラノール（孤立ＯＨ）基の濃度が１．０個／ｎｍ^２未満。累積体積１０％値が０．０４〜０．１μｍ、累積体積９０％値が１．４〜２．０μｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】空隙率が高く、小粒径で、かつ温湿度等の環境変化に強い球状の中空粒子、これを用いた赤外線反射フィルム及び赤外線反射体を提供することにある。
【解決手段】シェルがシリカ（ＳｉＯ_２）と金属酸化物（ＭＯｘ）を含有し、その組成がモル比で、
１＜（Ｓｉ／Ｍ）＜１００
で、かつ体積換算平均粒子径が、１０〜２００ｎｍであることを特徴とする中空粒子。
（式中、Ｍは第３族、第４族、第５族、第１３族またはＳｉを除く第１４族の金属元素を表す。） （もっと読む）

【課題】高いスループット及びより良い収率を達成することができる方法を提供する。
【解決手段】高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第２の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】 残留炭素に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造し、該粉末を溶融して得られる高純度、且つ、高品質の石英ガラスを提供する。
【解決手段】 テトラメトキシシランを加水分解する際、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節し、温度が低下し始めた後に静置し、得られた湿潤シリカゲル体を粉砕した後に乾燥して、該シリカゲル粉末を焼成する。 （もっと読む）

【課題】充放電を繰り返した場合の体積エネルギー密度に優れる非水電解質二次電池用負極合金材料を提供する。
【解決手段】ＴｉＦｅＳｉ合金相、又は、ＴｉＦｅＳｉ_２合金相を含有する合金を用いる。これは、Ｔｉ、Ｆｅ及びＳｉを含有し、これらの原子比をＴｉ：Ｆｅ：Ｓｉ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）としたとき、ｃ≦６９である合金を含むものである。組成がＴｉＦｅＳｉ_２である合金よりも、組成がＴｉＦｅＳｉである合金の方が、放電容量、サイクル容量維持率共に優れる結果となった。 （もっと読む）

【課題】優れた分散性を実現しつつ帯電量の十分な経時安定性を実現し、且つ画像形成装置のクリーニングの作業性を向上することができる疎水性シリカ微粒子を提供する。
【解決手段】本発明の疎水性シリカ微粒子は、シリコーンオイルで疎水化処理された疎水性シリカ微粒子であり、粉末表面に残存する炭素含有量が５．０〜１０ｗｔ％であり、疎水率が９５％以上であって、平均一次粒子経が７〜２５ｎｍ、遊離炭素量が３．０〜５．０ｗｔ％であるもの又は平均一次粒子経が２５〜４０ｎｍ、遊離炭素量が１．０〜３．０ｗｔ％であるもの。 （もっと読む）

【課題】水を還元する能力の大きな低下なしに大気中で容易に扱われ得るアルカリ金属シリサイド組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ金属とケイ素とを混合する工程、および、生じる混合物を温度約４７５℃以下に加熱する工程を包含する、アルカリ金属シリサイド組成物の製造方法、およびこの方法により得られる組成物。組成物は乾燥Ｏ_２と反応しない。約１８．２、２８．５、２９．５、３３．７、４１．２、４７．４、および５６．２から選択される２θ角を有する少なくとも三つのピークを含有する粉末Ｘ線回折パターンおよび約１８ｐｐｍにおいて固体状態^２３Ｎａ ＭＡＳ ＮＭＲスペクトルピークを有する。組成物は水と反応して水素ガスを発生させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯線の芯線ホルダへの装着が容易であり、芯線ホルダにシリコン芯線を充分な強度で保持させるまでの時間を短くし、転倒を防止するとともに、多結晶シリコンの析出反応初期における成長速度抑制時間の短縮化を可能とする多結晶シリコン製造技術を提供すること。
【解決手段】芯線ホルダ２０には本体の上面に開口部２２をもち下面側に向かう芯線挿入孔２１が形成されており、この芯線挿入孔２１にシリコン芯線５が挿入される。また、芯線挿入孔２１の中心軸Ｃを含む仮想平面Ｐに沿うスリット状の間隙部６０が形成されており、このスリット状間隙部６０は、芯線挿入孔２１からホルダ２０の本体の外側面にまで至る間隙部となっている。芯線挿入孔２１に挿入されたシリコン芯線５は、例えばボルト・ナット方式の固定部材３１によってホルダ２０の本体の上部が側面から締め付けられることにより、間隙部６０の間隔が狭まるように締め付けられて固定される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯線の芯線ホルダへの装着が容易であり、芯線ホルダにシリコン芯線を充分な強度で保持させるまでの時間を短くし、転倒を防止するとともに、多結晶シリコンの析出反応初期における成長速度抑制時間の短縮化を可能とする多結晶シリコン製造技術を提供すること。
【解決手段】芯線ホルダ２０には本体の上面に開口部２２をもち下面側に向かう芯線挿入孔２１が形成されている。また、ホルダ２０の本体上部には孔部（固定部材挿入孔）が形成されており、当該孔部にボルト状の部材（固定軸）が通される。芯線挿入孔２１に挿入されたシリコン芯線５は、このようなボルト・ナット方式の固定部材３１によってホルダ２０の本体の上部が側面から締め付けられることにより固定される。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータにより加熱されたシリコン芯線の熱が電極側へと放熱される程度を抑制し、析出反応開始時通電開始時においてシリコン芯線の温度を効率よく高める技術を提供すること。
【解決手段】金属製の電極１０は、上部にアダプタ１４を載置できる構造になっている。アダプタ１４の上部には芯線ホルダ１３が固定され、さらに、芯線ホルダ１３にはシリコン芯線１１が固定される。本発明の多結晶シリコン製造装置は、少なくとも、シリコン芯線１１を保持する炭素製の芯線ホルダ１３と、シリコン芯線１１に通電するための電極１０とを備えており、電極１０からシリコン芯線１１に至る導電経路の少なくとも一か所に断熱シート１７が配置されている。そして、この断熱シート１７の厚み方向の熱伝導度は芯線ホルダ１３の熱伝導度よりも低いものとされる。 （もっと読む）

【課題】
シリコン基材から、表面安定性の高い、粒径が少なくとも数百ｎｍ以下のシリコン（Ｓｉ）微細粒子を形成し、それを用いて太陽電池を創製する。
【解決手段】
シリコン基材から粉砕後、ビーズミル法で粉砕して得た，少なくとも粒径数百ｎｍ以下のＳｉ微細粒子を、フッ化水素酸水溶液（ＨＦ）のみに分散させて処理することで、処理直後のＳｉ粒子表面のＳｉＯ_２層がほぼゼロ、また、大気中で１ヶ月放置しても、そのＳｉＯ_２層厚は高々０．６ｎｍ程度と、自然酸化膜成長の小さい、表面安定性の高いＳｉ微細粒子が実現でき、それを用いて太陽電池を創製した。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に流動性の低下やボイドの発生を確実に抑制でき、製造ロットに拘らず好適に半導体用封止材に用いることができる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、半導体用封止材に用いる非晶質シリカ粒子であって、粒子表面のシラノール基濃度（ｍｍｏｌ／ｇ）を、ＢＥＴ法により測定される粒子の比表面積（ｍ^２／ｇ）で除することで求められる単位表面積あたりのシラノール基量が、０．０１０ｍｍｏｌ／ｍ^２以上、０．０６５ｍｍｏｌ／ｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯線と他の導電部材の間での火花放電の発生を抑制し、多結晶シリコンの生産性の向上を図ること。
【解決手段】シリコン芯線は単結晶シリコン又は多結晶シリコンの円柱形状のインゴットから切り出され（Ｓ１０１）、切断化工時に生じた残留歪を除去する目的で、取りしろが通常５０μｍ〜２００μｍ程度となるようなフッ酸と硝酸の混酸溶液によるエッチング処理が行われ（Ｓ１０２）、そのエッチングの後に多結晶シリコンの析出反応に用いられる（Ｓ１０３）。エッチング処理の工程でシリコン芯線表面に厚い酸化膜が形成され、これが火花放電を引き起こす原因となる。そこで、本発明では、シリコン芯線をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングして表面の加工歪みを除去する工程に続いて、シリコン芯線の表面をフッ酸溶液で洗浄して表面酸化膜を除去する工程（Ｓ１０４）を備える。 （もっと読む）