【課題】生産性を低下させることなく、金属塩化物起因の重金属汚染やシリコン粉の発生を抑制し得る多結晶シリコンの製造技術を提供すること。
【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン製造用反応炉は、底板１に、シリコン芯線５を保持する少なくとも一対の芯線ホルダ８と、原料ガスを供給するノズル３ａが少なくとも１つ設けられており、このノズル３ａのガス吹出部が、芯線ホルダ８の上端を基準として所定の高さに設けられている構成を有している。例えば、多結晶シリコンの析出反応開始後、シリコン棒の径がおよそ８０ｍｍを超える程度になった時点で、ノズル３ａから供給するガス組成の切り替えを行い、相対的に低い温度のガスをノズル３ａから供給する。ガス温度が高くなり易くガス滞留も生じ易い領域を効率的に冷却することで、炉内の温度分布の均一化を図り、金属塩化物起因の重金属汚染やシリコン粉の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】予め選択された平均凝集体粒子直径を有する凝集体金属酸化物粒子の分散体を調製する方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物粒子の平均凝集体粒子直径における所望の低下百分率を予め選択する工程、凝集体金属酸化物粒子の分散体に関する分散標準であって（ｉ）該分散体の固体濃度と（ｉｉ）該分散体が高せん断ミキサーにおいて粉砕された場合に起こる凝集体金属酸化物粒子の凝集体粒子直径における低下百分率とを関連付ける分散標準を提供する工程、並びに凝集体金属酸化物粒子の分散体を該標準によって決定された固体濃度の１０％以内の固体濃度で高せん断粉砕装置において調製及び粉砕し、所望の平均凝集体粒子直径を有する凝集体金属酸化物粒子の分散体を提供する工程を含む方法が提供される。さらに、凝集体金属酸化物粒子の平均凝集体粒子直径を低減するための方法及び当該方法によって調製された分散体が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、動的光散乱法によって測定される体積平均粒子径（ＤＬＳ粒子径）が１０〜３００ｎｍの非球状シリカ微粒子を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】非球状シリカ微粒子の製造方法であって、塩基性アミノ酸（成分Ａ）と加水分解性シラン化合物（成分Ｂ）と水性溶媒（成分Ｃ）とを含む混合液中で、前記加水分解性シラン化合物（成分Ｂ）の加水分解反応および縮合反応を行う工程を含み、塩基性アミノ酸（成分Ａ）に対する加水分解性シラン化合物（成分Ｂ）の混合モル比（成分Ｂ／成分Ａ）が２００〜２０００であり、非球状シリカ微粒子の、ＤＬＳ粒子径が１０〜３００ｎｍである非球状シリカ微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンスラッジ中の固形分に含まれるグリコールの低濃度化が容易かつ安価に図れ、製鋼用の成分調整用添加剤原料として再利用が可能なワイヤソースラッジからのグリコール除去方法を提供する。
【解決手段】シリコンスラッジを、固形分のグリコール濃度が３重量％以下となる量の純水に分散させて希釈するので、固形分に含まれるグリコールの低濃度化が容易かつ安価に図れる。その後、シリコンスラッジを固液分離し、グリコールが除去された固形分を回収する。これにより、固形分が製鋼用の成分調整用添加剤原料として再利用ができる。 （もっと読む）

【課題】強度、耐擦傷性、耐アルカリ性等が向上した反射防止性能に優れた透明被膜の形成に好適に用いることのできる新規シリカ系中空微粒子、該微粒子を用いた透明被膜形成用塗料および透明被膜付基材に関する。
【解決手段】平均粒子径（Ｄ_P）が25〜200nmの範囲にあり、表面に凸部を有し、該凸部の底面部の平均直径（凸_P）が平均粒子径（Ｄ_P）の1/40〜1/2の範囲にある（なお、平均粒子径は、任意の２０個の粒子について最長径（Ｄ_L）と最長径と直行する径（Ｄ_S）を測定し、粒子径を（Ｄ_L）＋（Ｄ_S）の１／２とし、その平均値とする。）ことを特徴とするシリカ系中空微粒子。さらに、当該シリカ系中空微粒子、マトリックス成分および極性溶媒を含むことを特徴とする透明被膜形成用塗料。 （もっと読む）

【課題】シラザン化合物を用いることで高価な真空装置を使用せず、低温処理ができ且つ短時間の処理で、蒸着法によるシリカ膜に匹敵する酸素ガスバリア性能を、合成樹脂成形体に付与させた酸素ガスバリア成形体を提供する。
【解決手段】合成樹脂成形体１と、この合成樹脂成形体表面の一部又は全部に設けられるシリカ膜２とを備え、前記シリカ膜が、シラザン化合物を前駆体とするものであって、前記シラザン化合物に、紫外線照射を行うと同時に加熱処理を行うことで形成され、酸素ガス透過度が、０．５ｍｌ／ｍ^２・ｄａｙ未満である酸素ガスバリア成形体。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体（１１０）を製造する本発明の方法は、（ａ）基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び（ｃ）未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体（１１０）は、基材（１１２）及び半導体シリコン膜（１１８）を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、１．０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液が浸み出すことなく、長期に亘って多数回の繰返し使用が可能であり、しかも、搬送中におけるシリコン融液の飛沫の発生を抑制することができるシリコン融液の搬送部材を提供する。
【解決手段】Ｃ／Ｃコンポジット材により一端開口筒体状に形成され、開口側には入口開口が形成されていると共に外周部の平坦側面部には側面方向に向けて開口する出口開口を有し、底面側には入口開口から流入したシリコン融液の流れ方向を出口開口に向けて変える底流案内部を有する方向変更部材と、Ｃ／Ｃコンポジット材により溝状又は筒状に形成された樋部材とを有し、使用時には、樋部材の上方に方向変更部材をその底流案内部が重なり合うように配置し、方向変更部材の入口開口から流入したシリコン融液の流れを樋部材のシリコン融液流れ方向に案内するシリコン融液の搬送部材である。 （もっと読む）

【課題】極めて微細な中空シリカ粒子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】〔１〕レーザ回折／散乱法によって測定される体積平均粒子径が０．０５〜０．４５μｍで、最大粒子径が体積平均粒子径の５倍以内であり、空孔率が２０〜７０体積％、ＢＥＴ比表面積が３０ｍ²／ｇ未満、９８質量％以上がＳｉＯ₂である中空シリカ粒子、及び〔２〕疎水性有機化合物（ａ）と、第四級アンモニウム塩（ｂ）、及び加水分解によりシラノール化合物を生成するシリカ源（ｃ）を含有する水溶液を調製する工程（I）、得られた水溶液を１０〜１００℃の温度で撹拌して、シリカから構成される外殻を有し、かつ核に疎水性有機化合物（ａ）を有するコアシェル型シリカ粒子の水分散液を調製する工程（II）、得られたコアシェル型シリカ粒子を分離し、９５０℃以上の温度で焼成して、中空シリカ粒子を得る工程（III）を有する中空シリカ粒子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い耐腐食性を呈し得ると共に、シリコンを製造する際の反応副生成物や反応用の原料を固体のシリコンとは相状態の全く異なる気体状態に維持しながら機械的に分離することができる簡便な構成の高温用バルブ装置を提供する。
【解決手段】シリコンを生成する反応器１０の下方に配置自在な高温用バルブ装置４０、１４０であって、反応器の内部空間に連通して、反応器において生成されたシリコンを導入自在な第１の管状部材と、第１の管状部材内に配置されたバルブと、反応器からバルブに至る第１の管状部材の一部及びバルブを含む加熱領域を、反応器におけるシリコンの生成に関連する関連物質の沸点以上に加熱自在な加熱器１００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に、粉塵爆発が発生する危険性を低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気に維持されるチャンバー内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を投入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを鋳造する方法において、リンがドープされたシリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に不活性ガス雰囲気の温度を２００℃以下にした状態でチャンバーを開放して清掃することを特徴とする。また、ボロンがドープされたシリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に不活性ガス雰囲気の温度を４００℃以下にした状態でチャンバーを開放して清掃する。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が小さく（１μｍ以下程度）、結晶性を備える、研磨剤（特に仕上げ研磨用の研磨剤）として好ましく利用できる結晶性シリカゾルの提供。
【解決手段】結晶性を備え、平均粒子径が１μｍ以下であり、粒度分布の標準偏差が１０ｎｍ以上であるシリカ微粒子を含み、ｐＨが８．７〜１０．６である、結晶性シリカゾル。 （もっと読む）

【課題】粒径がマイクロメートルサイズであり長期間の蛍光特性を有するシリコン粒子、およびこれを調製する方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化ケイ素を原料として高温で亜鉛蒸気と気相反応させることで、数十マイクロメートル程度の多結晶シリコンマイクロ粒子が得られ、得られた粒子をエッチングすることで、粒子の内側から放射状に伸びた多数の突起を有するイガグリ状又は花弁状の形状とし、安定な蛍光特性と超撥水性の発現を可能とする。 （もっと読む）

【課題】研磨速度が高く、精密研磨に適した研磨用シリカゾル、研磨用組成物及び研磨用シリカゾルの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカゾルは動的光散乱法により測定される平均粒子径が５〜３００ｎｍの範囲にある非球状シリカ微粒子を分散媒に分散してなり、固形分濃度が１０〜６０重量％であって、２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定時のケミカルシフト−７３〜−１２０ｐｐｍのピーク面積におけるＱ４の面積が８８％以上、Ｑ３の面積が１１％以下である。但し、前記ケミカルシフトは、テトラメチルシランを基準物質とし、Ｑ４は−１００〜−１２０ｐｐｍの範囲のピークであり、Ｑ３は−８２〜−１００ｐｐｍの範囲のピークである。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法であって、評価材料からなる内面で形成された閉空間部２１ｃを有する容器２１を作成し、閉空間部２１ｃにシリコン試料を配置した後、容器２１を所定回転数で所定時間に亘り回転軸を略水平にして回転させる回転処理を行い、その後、シリコン試料について不純物濃度を測定し、不純物濃度の測定結果に基づき材料を評価することを特徴とする材料評価方法である。これにより、多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価し選定する際に、鋳造されるインゴットが不純物により汚染されるのを低減できる材料を選定できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンを高純度に精製することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン屑から精製シリコンを得るシリコン精製方法であって、シリコン屑を溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯から得られる溶融シリコンを凝固させてシリコン塊を形成する工程と、を含み、シリコン溶湯を形成する工程は、シリコン屑を第１の圧力下で溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯を第１の圧力よりも低い第２の圧力下で脱気する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】電磁鋳造法によって多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、シリコン融液にリンを連続的又は断続的に添加することによって比抵抗を１Ωｃｍ以上、１０Ωｃｍ以下に制御する。本発明によれば、ドーパントを連続的又は断続的に添加可能な電磁鋳造法を用いていることから、多結晶シリコンインゴットの比抵抗を結晶軸方向において１Ω以上、１０Ωの範囲に制御することが可能となる。しかも、ドーパントがリンであることから、Ｂ−Ｏ複合体が形成されることによる転位密度の増加も生じない。 （もっと読む）

【解決課題】結晶の生産性を高い状態に維持しながら、従来よりも不純物元素の除去を効率良くかつ確実に行うことができる金属シリコンの凝固精製方法及びその装置を提供する。
【解決手段】凝固精製装置の鋳型内にある金属シリコンの融液を一方向凝固させて金属シリコン中の不純物元素を除去する金属シリコンの凝固精製法であり、凝固界面での融液側温度勾配Ｇと、凝固途中の融液中不純物元素濃度Ｃmと、凝固速度Ｖとを用いて表される組成的過冷却指数｛VOGC＝(V/G)×Cm｝が、金属シリコンにおけるシリコン−不純物元素の状態図から読み取れる液相線の勾配ｍと不純物元素の拡散係数Ｄにより表される組成的過冷却の臨界値｛0.59(D/m)｝に対して、１／１０｛０．５９（Ｄ／ｍ）｝≦ＶＯＧＣ＜０．５９（Ｄ／ｍ）の関係を維持するように、融液の加熱及び／又は冷却を行う金属シリコンの凝固精製法である。 （もっと読む）

【課題】低温で且つ迅速にＳｉＯ_２系セラミックス膜を形成する方法により、効率良くガスバリアフィルムを得て、最終的に得られるセラミックス膜のガスバリア性、耐傷性等の膜特性を向上したガスバリアフィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリ珪素化合物を含有する塗工液をプラスチックフィルム支持体に塗布した後、該塗布されたポリ珪素化合物をＶＵＶ光によりセラミックに転化させたガスバリアフィルムであって、該ポリ珪素化合物の下記数式で定義する分散度が、３．００以上２０．００以下であることを特徴とするガスバリアフィルム及びその製造方法。 （もっと読む）