【課題】カーボンヒータ等の加熱源を用いることなくシリコン芯線を均一に加熱することにより、シリコン芯線への初期通電の電圧を低くすることを可能とする技術の提供。
【解決手段】シリコン芯線の初期加熱用排ガス導入ライン３０が、各反応炉の排ガスラインと原料ガス供給ラインに接続されている。シリコン芯線の初期加熱用排ガス導入ライン３０から、ガスノズル３を通して、反応中の他の反応炉からの排ガスの一部を炉内に供給し、シリコン芯線５に電流が効率的に流れる電気抵抗となるように、シリコン芯線５を３００℃以上の温度に初期加熱する。続いて、金属電極２から、芯線ホルダ２０を介してシリコン芯線５に電流を供給してシリコン芯線５を９００℃〜１３００℃に加熱する。そして、水素ガスとともにトリクロロシランガスを原料ガスとして低流量で供給し、多結晶シリコンの気相成長を開始する。 （もっと読む）

【課題】断面形状が正方形のアフターヒーターを具備する電磁鋳造装置で断面形状が長方形のインゴットを製造する場合、インゴットの切断時に発生するクラックやササクレを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】（１）無底冷却モールド２と、誘導コイル１と、インゴット５を徐冷するアフターヒーター４を有し、アフターヒーターの出力制御を、対面する２面のヒーター（例えば、ヒーター１４−１と１４−３）を１対として２対以上のヒーターについて個別に実施できるように構成されている電磁鋳造装置。（２）前記の電磁鋳造装置を用い、アフターヒーターの出力を、２対以上のヒーターについて個別に制御する電磁鋳造方法。アフターヒーターの出力を、インゴットの面内温度のばらつきが１０℃以下になるように制御することとすれば、クラックやササクレの防止に極めて有効である。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形体の熱伝導度を従来よりさらに高めることができる樹脂フィラーとなるシリカ粒子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】形状が球状であり、α石英、トリジマイトおよびクリストバライトからなる群より選ばれる２種以上の結晶形を有することを特徴とするシリカ粒子。シリカゾルを分散させた分散相液を、該分散相液と相溶性のない連続相液に、細孔を通過させて注入することによりエマルジョンを作製し、該エマルジョンから分散相を分離してケーキとし、分離することにより得られたケーキを、Ｃａ、Ｙ、ＬａおよびＥｕからなる群より選ばれる１種以上の元素を含む結晶化剤の共存下に、８００℃以上１３００℃以下の温度範囲で保持して焼成することを特徴とするシリカ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの製造に用いられる反応容器（ベルジャー）の内面の付着物及び汚染物質を確実に除去する方法を提供すること。
【解決手段】多結晶シリコンの製造に用いられる反応容器（ベルジャー）１は、ゴムパッキン３を介して受け皿２上に載置される。受け皿２に載置された状態のベルジャー１内部には、氷の細粒をベルジャー１の内面に一定の距離と角度を保ちつつ衝突させるためのノズル４と、このノズル４に氷の細粒および純水を送るためのホース５と、ノズル４の位置を移動させるための回転機能を有するシャフト６が設けられている。製氷機１０により氷の細粒が造粒される。氷の細粒は、最大径が０．３〜３．０ｍｍ程度のものが好ましい。氷の細粒は、例えば、０．５ＭＰａ〜１ＭＰａの圧力の圧縮空気８によりノズル４へと送られる。氷の細粒をノズル４からベルジャー１の内面に衝突させる角度は、３０〜６０°が好適である。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超高純度を有しながら微細で粒状がそろったシリコンを最小のエネルギーで高効率に更に多量に得ることの出来るシリコン製造装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は高純度シリコン微粉末の製造装置において（１）金属亜鉛を亜鉛の沸点以上に加熱蒸発して亜鉛ガスを供給する機構と（２）該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、（３）前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、（４）前記反応ガスの温度を３００℃〜８００℃に下げて生成したシリコン粒子を成長させると共にガス成分の一部と共に沈殿する機構と（５）前記沈殿物を保持すると共に、該沈殿物を９５０℃以上に加温し、蒸発物を揮散して、固体シリコンを得る機構（６）と、前記蒸発物を含み、未反応ガス等を含む排ガスを系外に排出する排ガス機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微粉末の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】短期間でインゴットの冷却を完了させることができ、切断中にクラックが発生することがない多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】無底ルツボ１２内に形成されたシリコン融液２１を降下させて凝固させることにより、無底ルツボ１２から多結晶シリコンインゴット２０を連続的に取り出す多結晶シリコンの製造方法において、保温ヒータ１６を用いて１０００℃以上の所定の保温温度に保温されている多結晶シリコンインゴット２０を３００℃以下の所定の開放温度まで降下させて冷却する際、少なくとも６２０℃までは傾きが漸増する第１の冷却パターンを用いて保温ヒータの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】高い心棒温度、中間貯蔵から堆積までの間での清浄化された心棒の取り扱いによる汚染、及び取り付けられた心棒の表面の不十分な清浄化作用を回避し、かつ上記先行技術を改善すること
【解決手段】反応器中で少なくとも１つの心棒にシリコンを堆積させることによる多結晶シリコン棒の製造方法において、前記シリコンの堆積の前に、ハロゲン化水素を４００〜１０００℃の心棒温度で、少なくとも１つの心棒を有する前記反応器内へ導入し、ＵＶ光を照射し、それによりハロゲンラジカル及び水素ラジカルを生じさせ、生成された揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から取り除く、多結晶シリコン棒の製造方法 （もっと読む）

【課題】初期溶解時に用いるダミーバーに起因して発生する異物の混入を防止して、歩留りを改善することができる多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】電磁誘導法による多結晶シリコンの製造方法において、モールド２内のシリコン原料を初期溶解する際に当該シリコン原料を支持するためのダミーバー４として、ダミーバー本体４ａの上面にシリコン５が結合されたダミーバーを使用する。前記ダミーバーとして、鋳造終了後に、インゴットと結合したダミーバーの当該結合部よりも上のインゴットの部分で切断することにより、ダミーバー本体の上面にシリコンを存在させたダミーバー、さらには、これに酸による洗浄等の処理を施したダミーバーを使用する実施形態を採ることとすれば、従来のカーボンダミーバーを使用した場合における窒化ケイ素の異物の混入を抑制し、歩留りの向上等、種々の改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、平均粒径がサブミクロン以下の金属酸化物超微粉末をエポキシ樹脂に充填した際、極めて流動性の高いスラリー組成物を提供する。
【解決手段】 体積平均粒径（Ａ）が０．０４〜０．４０μｍ、粒径分布標準偏差（Ｂ）が下記式（１）で表され、粉末の孤立シラノール（孤立ＯＨ）基の濃度が１．５〜４．０個／ｎｍ２である金属酸化物超微粉末である。

Ｂ≦Ａ×１／２ ・・・・・式（１）
［測定方法］
水分気化装置／ＶＡ‐１２２型に金属酸化物超微粉末を０．３ｇ入れ、加熱昇温し、発生した水分をカールフィッシャー電量滴定法にて測定したときに、温度２００℃までに発生した水分を「物理吸着水分」、２００℃をこえ５５０℃までに発生した水分を「水素結合ＯＨ基由来の水分」、５５０℃をこえ９００℃にまでに発生した水分を「孤立ＯＨ基由来の水分」、と定義し、測定された水分量とＢＥＴ比表面積値から、単位面積当たりの孤立ＯＨ基量を算出した。 （もっと読む）

【課題】酸素プラズマ耐性に優れたシリカ膜を形成することができ、且つ、安定性に優れたシリカ膜前駆体組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランと溶媒と酸触媒を混合してアルコキシシランの加水分解反応及び縮重合反応を生じさせた後、前記アルコキシシランのアルコキシ基１モルに対し、０．００５〜０．２モルのシリル化剤を添加して前記縮重合反応により生じたアルコキシシランの重合体の反応末端をシリル化する。 （もっと読む）

【課題】容量劣化が抑制され、サイクル特性に優れた非水電解質二次電池を与える正極活物質の製造方法、それにより得られた正極活物質、それを用いた正極及び非水電解質二次電池を提供することを課題とする。
【解決手段】オリビン構造を有する下記一般式（１）で示される正極活物質を形成するのに必要なリチウム源、Ｍ源、リン源及びＸ源の各所定量を溶媒に溶解させて溶液を調製する工程と、得られた溶液を環状エーテルの付与によりゲル化させる工程と、生成したゲルを焼成処理することで炭素被覆されたリチウム含有複合酸化物を得る工程を含む、一般式（１）：Ｌｉ_xＭ_yＰ_1-zＸ_zＯ₄で表される化合物（式中、Ｍは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ａｌ及びＹからなる群から選択される少なくとも１種の元素であり、Ｘは、Ｓｉ及びＡｌから成る群から選択される少なくとも１種であり、０＜ｘ≦２、０．８≦ｙ≦１．２、０≦ｚ≦１の範囲である）を得ることを特徴とする正極活物質の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を得る。
【解決手段】連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、前記空孔内に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃのいずれか１つ以上の導電性元素の単体又は合金を有することを特徴とする多孔質シリコン粒子である。前記導電性元素の単体又は合金が、前記空孔内の表面の少なくとも一部を被覆するか、前記空孔内の少なくとも一部に充填されていることが好ましい。また、このような多孔質シリコン粒子は、多孔質シリコン粒子への無電解メッキ、置換メッキ、炭素コーティングにより作製される。 （もっと読む）

【課題】 従来の薄膜誘電体は、薄膜化することにより特性が劣化する。
【解決手段】 ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体：（イ）組成：一般式Ｆｅ_ａＣｏ_ｂＮｉ_ｃＭ_ｗＮ_ｘＯ_ｙＦ_ｚ，Ｍ成分はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ及び/又はＴａ，組成比ａ,ｂ,ｃ,ｗ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率（％）で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，1０＜ａ+ｂ+ｃ＜６０，１０≦ｗ≦５０，０≦ｘ≦５０，０≦ｙ≦５０，０≦ｚ≦５０，２０≦ｘ+ｙ+ｚ≦７０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である；（ロ）構造：Ｆｅ，Ｃｏ及び/又はＮｉからなり、かつｎｍサイズを有する金属グラニュールが、Ｍ成分とＮ，Ｏ及びＦの少なくとも1種とからなる絶縁体マトリックスに分散している。 （もっと読む）

【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】一辺が１１８ｍｍ以上の四角形である多結晶シリコンウェーハであって、第１乃至第４の外周領域ａ１〜ａ４と、いずれも外周領域にも属さない中央領域ｂとを含み、第１の外周領域ａ１におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムよりも短く、第２及び第３の外周領域ａ２，ａ３におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムと実質的に等しく、中央領域ｂにおけるライフタイムは、３０μｓ以上である。本発明によれば、多結晶シリコンインゴットの断面をマトリクス状に４分割又は６分割することによって切り出すことができるとともに、ライフタイムが３０μｓ以上である領域を全体の１／３以上とすることができる。これにより、１６％以上の変換効率を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】異形ブロックであっても適正な製品加工が可能なシリコンブロックの外形測定方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンブロックの外形測定方法は、シリコンインゴットから切り出された略四角柱のシリコンブロックの長手方向と平行な４つの側面を被測定面とし、各被測定面において複数の測定点の座標を求め、複数の測定点の中からシリコンブロックの内側寄りの２点を選択した後、当該２点を通過する直線を各被測定面ごとに求めることにより４本の直線を定義し、４本の直線の交点同士を結ぶことによって得られる２本の対角線のうち短いほうの対角線を基準対角線Ｄ_Ｓとして定めると共に、当該基準対角線の中点Ｏ_２を求め、前記基準対角線Ｄ_Ｓの角度θ_ＤＳと前記基準対角線の中点Ｏ_２に基づいて製品ブロックＳＱの有効範囲の座標及び研削代を求める。 （もっと読む）

【課題】輸送時の振動によるポリシリコンの表面とフィルムの内面が擦れることを確実に防止し、樹脂粉の発生を効果的に防止できるポリシリコンの新規な包装体、すなわち、ポリシリコンの汚染をより高度に防止できるポリシリコンの新規な包装体の提供。
【解決手段】ポリシリコン１を収納した包装袋２を外部から緊締用フィルム３により締着して包装袋をポリシリコン表面に密着固定したことを特徴とするものであり、包装袋と緊締用フィルムとの間の少なくとも一部に包装袋と緊締用フィルムを離間する介在物４を存在せしめる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンロッドの製造に用いるシリコンシード等の棒状芯材について、立設部分の芯材の断面を多角形に加工して通電状態および原料ガスの炉内での流れを良好にしたシリコンシードとその加工方法および加工装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造に用いられ、炉内に逆Ｕ字形に立設されるシリコンシードの製造方法であって、シリコンシードを形成する棒状芯材の外径に対応する溝幅の多角形の溝を外周面に有す回転砥石を用い、断面が角形の棒状芯材の側面に該回転砥石の多角形の溝を押し当てて長手方向に移動させて研削することによって該芯材を多角形断面に加工し、基端部および上端部を除く立設部分の断面が多角形であって、該基端部と該上端部および連結部分の断面が角形であるシリコンシードを製造する方法、およびシリコンシード。 （もっと読む）

【課題】分散安定性および透明性が高く、塗膜に配合した際の耐光性および耐候性に優れた分散液を提供する。
【解決手段】チタニウムを含む金属酸化物微粒子を核粒子として、その表面をジルコニウム等の金属元素の水和物および／または酸化物で処理した表面処理粒子の表面を、さらにケイ素と、アルミニウム、ジルコニウム、アンチモンから選ばれた１種または２種以上からなる金属元素との複合酸化物で被覆してなるコアシェル型無機酸化物微粒子を使用することで、分散液の分散安定性および透明性、塗膜に配合した際の耐光性および耐候性が向上する。 （もっと読む）

【課題】粒子径がナノサイズであり、かつ内部が中空で、しかもシリカ層からなる外殻に十分な大きさの貫通穴を有する穴あき中空シリカ粒子の提供である。
【解決手段】シリカ層からなる外殻を有し、平均粒子径が１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、前記外殻に、開口部の形状が円形状、楕円形状及び多角形状から選択される少なくとも１つである貫通穴を有する穴あき中空シリカ粒子である。 （もっと読む）