【課題】複数のマクロ孔を有する中空粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】水溶性珪酸塩とマクロ孔形成用水溶性化合物を含む第１水相粒子を油相中に分散してなるＷ／Ｏエマルジョンに沈殿剤水溶液を作用させることを特徴とする、シリカまたはアルカリ土類金属珪酸塩の殻の部分に孔径６０ｎｍ〜３０μｍの複数のマクロ孔を有する中空粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】鋳造されたインゴットが不純物で汚染されるのを低減できるとともに、冷却ルツボの内面が損傷するのを軽減できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボ７を誘導コイル８内に配置し、誘導コイル８による電磁誘導加熱により、冷却ルツボ７内に溶融シリコン１３を形成し、冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する方法において、冷却ルツボ７として、その内面７ａのうちの溶融シリコンの外面１３ａおよびシリコンインゴットの外面３ａと対向する部分７ｂに、Ｎｉ−Ｂ合金めっきが施されたものを用いることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。 （もっと読む）

【課題】表面ダストの含量が少なくコスト的に好ましい多結晶シリコンを提供する。
【解決手段】多結晶シリコン破砕破片を含有する多結晶シリコンであって、前記破砕破片の少なくとも９０％が明細書中に記載のサイズを有する前記多結晶シリコンにおいて、シリコンダスト粒子の割合が、４００μｍ未満の粒子サイズについては１５ｐｐｍｗ未満であり、５０μｍ未満の粒子サイズについては１４ｐｐｍｗ未満であり、１０μｍ未満の粒子サイズについては１０ｐｐｍｗ未満であり、かつ１μｍ未満の粒子サイズについては３ｐｐｍｗ未満であることと、さらに、金属による表面汚染が、０．１ｐｐｂｗ以上で１００ｐｐｂｗ以下であることと、を特徴とする前記多結晶シリコンによって解決される。 （もっと読む）

【課題】粒子径のそろった珪素微粒子を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、不活性雰囲気下において、珪素源と炭素源とを含む混合物を焼成する焼成工程と、混合物を焼成することにより生成した気体を急冷し、珪素微粒子と酸化珪素とを含んだ複合粉体を得る急冷工程と、酸化雰囲気下において、複合粉体を加熱する加熱工程と、加熱された複合粉体から一酸化珪素及び二酸化珪素を除去する除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】保温装置の外枠の溶損等を防止して、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、前記保温装置１３の外枠１６の構成部材として非導電性部材が使用されている電磁鋳造装置。前記非導電性部材を、特に溶損の大きい外枠の特定の面のみ、または外枠全面の上部のみに使用することもできる。非導電性部材としては、アルミナ、炭化珪素が望ましい。 （もっと読む）

【課題】例えば、太陽電池の光起電力の電力素子をはじめ、充放電による膨張と収縮を繰り返し受けた場合であっても粉末化しがたいことからリチウム電池の負極材料などに有用である、アルミニウムの混入がない高純度を有するシリコンナノワイヤーを低温で製造することができるシリコンナノワイヤーの製造方法を提供すること。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中で亜鉛の存在下で四塩化ケイ素を４５０〜６００℃の温度に加熱することを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることによって太陽電池の変換効率の低下を抑制することのできる多結晶シリコン及びその鋳造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の多結晶シリコンは、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が1.0×10¹⁷atoms/cm³以下であり、該多結晶シリコンウェーハを基板として用いた太陽電池の変換効率の低下率が3%以下であることを特徴とする。
また、本発明の多結晶シリコンの鋳造方法は、冷却銅モールドの酸素含有率が低く、且つチャンバ内の酸素分圧が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面からの傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好で、かつシリコン単結晶エピタキシャル層の層厚均一性も良好であり、更に表面欠陥の少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記シリコン単結晶基板として、主表面が｛１１０｝面または｛１１０｝面からのオフアングル角度が０．５度未満のものを用い、かつ前記気相成長工程では、前記シリコン単結晶基板温度を１１７０℃〜１１９０℃として気相成長することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】冷却ルツボへのシリコン原料の投入に伴ってシリコン原料がプラズマトーチと接触するのを防止し、溶融シリコンの金属不純物汚染を抑制するとともに、シリコン原料の融解を安定させることができるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】導電性を有する無底冷却ルツボ７に原料導入管１０を通じてシリコン原料１１を投入し、冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱、および冷却ルツボ７の上部に挿入されたプラズマトーチ１３からのプラズマアーク加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、冷却ルツボ７の側壁に貫通穴７ｃが形成され、この貫通穴７ｃに原料導入管１０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物を炉体の中央に対して近い位置で投入可能な被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】内部に設けられた炉体にて被処理物を溶融する処理装置に対し、被処理物を外部から投入するための被処理物投入装置において、前記処理装置の内部に投入される被処理物が通過可能な被処理物通路１２を備え、前記被処理物通路１２のうちで、被処理物の前記通過方向を基準とした下流端１２ａが、前記炉体の中央を通る垂直線Ｃを含む中央領域の位置と、前記中央領域から外れた位置との間で移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】高純度のポリシリコンを高速で得る方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコンの製造方法であって、高周波熱プラズマトーチ１０中にハロゲン化ケイ素化合物を含む原料ガスを導入する原料ガス導入工程と、前記高周波熱プラズマトーチ１０中に導入された前記原料ガスを熱プラズマ処理し、溶融ポリシリコン２００を生成する熱プラズマ工程と、前記熱プラズマ工程において生成した前記溶融ポリシリコン２００を冷却固化する冷却工程と、を有することを特徴とするポリシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】より放電容量を高めることが可能な負極活物質を提供すること、さらに、該負極活物質を用いた高性能な蓄電装置を提供するである。
【解決手段】複数の結晶領域を含むシリコン結晶体であって、前記シリコン結晶体は一方向の伸張方向を有し、前記複数の結晶領域は略一致する一の結晶方位（優先方位ともいう）をそれぞれ有し、前記伸張方向と前記優先方位は略一致するシリコン結晶体を形成することである。さらに、当該シリコン結晶体を負極活物質として適用し、蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉヒュームが発生した場合であっても、冷却ルツボの直下でインゴットの鋳肌表面の温度変動を正確に監視できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を投入し、ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱により原料１１を溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー１の側壁に監視窓１５を設け、監視窓１５とルツボ７の直下におけるインゴット３の鋳肌表面近傍との間にわたり耐熱管１７を設け、耐熱管１７のインゴット３側の端面が耐熱板１８で閉塞されており、監視窓１５の外部の放射温度計１６により耐熱管１７内を通して耐熱板１８の温度を測定し、この温度に基づいてインゴット３の鋳肌表面温度の変動を監視する。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を装入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー１の側壁の上部と下部に連結され、冷却ルツボ７の上方の雰囲気ガスを導入して冷却ルツボ７の下方に送り出す通気管１５を備え、この通気管１５の経路に集塵機２０および磁選機２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トナーの流動性、耐ケーキング性、定着性、クリーニング性を高めるという外添剤の一般特性を有する上、特に高分散性、低凝集性を有し、トナー表面への吸着が良好な会合シリカ微粒子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 １次粒子が２個以上会合した会合シリカ微粒子の製造方法であって、（Ａ）一般式（１）：Ｓｉ（ＯＲ^１）_４で示される化合物を、加水分解、縮合反応させ、親水性シリカ微粒子の核粒子を生成させる工程と、（Ｂ）会合促進添加剤により、核粒子会合体を生成させる工程と、（Ｃ）上記一般式（１）で示される化合物を更に系内に添加し、加水分解、縮合反応させ、前記核粒子会合体を成長、会合させることで会合シリカ微粒子を生成させる工程からなることを特徴とする会合シリカ微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能を備えたハイブリッドシリコンウエハを提供する。
【解決手段】溶融状態の多結晶シリコンと固体状態の単結晶シリコンを用いて相互に一体化したウエハであって、単結晶部との境界から１０ｍｍ以内の多結晶部の平均結晶粒径が８ｍｍ以下の微細結晶を有することを特徴とするハイブリッドシリコンウエハ。予め鋳型の中に円柱状の単結晶シリコンインゴットをセットし、この単結晶インゴットの周囲に、溶融したシリコンを鋳込んで一体化して単結晶シリコンと多結晶シリコンの複合体とし、これをさらにウエハ状に切り出すことを特徴とするハイブリッドシリコンウエハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】触媒担体としてポリエチレンの製造において使用することができる、熱分解により調製された二酸化ケイ素からの噴霧顆粒の提供。
【解決手段】熱分解により調製された二酸化ケイ素をベースとし、かつ次の物理化学的特性：平均粒度：１０〜１２０μｍ、ＢＥＴ表面積：４０〜４００ｍ²／ｇ、細孔容積：０．５〜２．５ｍｌ／ｇ、細孔分布：合計の細孔容積の５％未満が、直径＜５ｎｍを有する孔であり、残りはメソ孔及びマクロ孔、ｐＨ値：３．６〜８．５、タップ密度：２２０〜７００ｇ／ｌを有する顆粒。 （もっと読む）

【課題】保持容器から不純物が混入することを防止することができる保持容器、および保持容器の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素、シリコン元素およびゲルマニウム元素から選択された選択元素を主成分とする溶融物を保持する保持容器であって、溶融液と接触する内面が一体的に形成された保持容器本体４を備え、保持容器本体４は、選択元素を主成分として含み、保持容器本体の選択元素の含有率（質量％）は、溶融物の選択元素の含有率（質量％）以上である。 （もっと読む）

【課題】サイクル特性に優れた非水電解質二次電池を与える正極活物質を提供することを課題とする。
【解決手段】ＬｉＦｅ_1-xＭ_xＰ_1-yＳｉ_yＯ₄（但し、式中、Ｍは、３〜１４族から選択される少なくとも１種であり、０＜ｘ＜１であり、０＜ｙ＜１である）
で表される単位格子を有するリチウム含有金属酸化物であり、０．３０°以上の（０１１）面の回折ピークの半値幅を有するとともに、一般式（１）で表される物質の単位格子が、２９１．４〜３００．０ųもしくは２８５．０〜２９１．０ųの体積を有することを特徴とする正極活物質により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】浸漬タクトを低下させることなく、平滑性に優れた板状半導体を作製することができる消波構造付容器を提供する。
【解決手段】本発明の消波構造付容器は、金属材料または半導体材料のいずれか一方を含有する融液に、成長基板を浸漬させるための坩堝と、該坩堝の上面に接して取り付けられた保持体と、該保持体の融液の液面側に取り付けられた支持体と、該支持体に接触して設けられた消波構造とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）