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Fターム[4G072HH01]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 珪素系反応剤、原料、処理剤 (3,930) | 珪素 (764)

Fターム[4G072HH01]に分類される特許

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【課題】冷却ルツボの内面が損耗するのを軽減できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボ7を誘導コイル8内に配置し、誘導コイル8による電磁誘導加熱により、冷却ルツボ7内に投入されたシリコン原料を溶解させて溶融シリコン13を形成し、冷却ルツボ7から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット3を連続鋳造する方法において、誘導コイル8に供給される交流電流の周波数を、その標準偏差を0.025〜0.050kHz、かつ、その平均値を25〜35kHzにして変動させることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。本発明は、誘導コイルに供給される交流電流の周波数を変動させる際、誘導コイルに供給8される交流電流の周波数に応じ、冷却ルツボ7内に連続投入するシリコン原料の投入速度を調整して変動させるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】SiC異物が少なく、高品質かつ大きなサイズの多結晶シリコンインゴットを製造することができる、多結晶シリコンインゴット製造装置を提供すること。
【解決手段】上方開口部を有する坩堝と、前記坩堝の外周に設けられて坩堝内に収容されたシリコン原料を加熱し溶融する加熱部と、前記坩堝と前記加熱部とを相対的に上下方向に移動させる移動機構と、不活性ガス導入孔を有すると共に前記坩堝の上方開口部を開閉可能に覆うカバーと、前記不活性ガス導入孔へ不活性ガスを導入する不活性ガス導入管とを備えたことを特徴とする、多結晶シリコンインゴット製造装置。 (もっと読む)


【課題】熱交換器を通過した後のテトラクロロシランおよび水素の温度に熱変動が生じた場合でも、高い転換効率でトリクロロシランを製造することができるトリクロロシランの製造方法を提供する。
【解決手段】金属シリコンとテトラクロロシランおよび水素を含む混合ガスを反応させてトリクロロシランを製造する方法であって、反応により生じたガスと混合ガスとを熱交換させる熱交換工程と、熱交換した前記混合ガスをその反応温度以下まで金属製ヒーターにより加熱する加熱工程と、加熱工程により加熱された混合ガスを反応可能な温度に発熱させたカーボン製ヒーターに接触させて加熱する事前転化反応工程と、前記事前転化反応工程により加熱された混合ガスと金属シリコンとを反応させてトリクロロシランを含む反応ガスを生成する転化反応工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】停炉に至るまでの期間を従来よりも長くし、精製シリコンの製造コストの低減および生産性の向上を実現することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】坩堝内の溶融シリコンが第2の所定量mとなるまでシリコン凝固塊を引き上げる工程を含む精製サイクルの後に第2の所定量mの値を大きくして次の精製サイクルを行なうシリコンの精製方法である。 (もっと読む)


【課題】シリコン原料の初期溶解時において溶融シリコンの差し込みを発生させることなく、多結晶シリコンインゴットの円滑な引き下げを可能とする多結晶シリコンの連続鋳造方法および連続鋳造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料の初期溶解時に、無底冷却ルツボ内のダミーブロックと前記無底冷却ルツボ側壁とで形成される隙間に不燃性部材を装入する。前記不燃性部材を石英ウールとすれば、不燃性部材による溶融シリコン中への汚染を最小限にすることができる。この方法は、前記ダミーブロックと前記無底ルツボとで形成される隙間に、不燃性部材が装入されていることを特徴とする本発明の多結晶シリコンの連続鋳造装置により容易に実施することができる。 (もっと読む)


【課題】銅系触媒を円滑に除去することができ、高純度のトリクロロシランを製造することができるトリクロロシランの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】銅系触媒の存在下で金属シリコンとテトラクロロシランおよび水素を含む混合ガスを反応させてトリクロロシランを製造する方法であって、前記混合ガスを反応可能な温度に加熱する加熱工程と、前記加熱工程により加熱された前記混合ガスと前記金属シリコンとを反応させてトリクロロシランを含む反応ガスを生成する転化反応工程と、該反応ガス中に含まれる固形分を除去するダスト除去工程と、前記反応ガスと前記混合ガスとを熱交換させて、該混合ガスを前記加熱工程に送る熱交換工程と、前記熱交換工程により冷却された反応ガス中に析出した銅系触媒を除去する触媒除去工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部21が周側部22より厚い。 (もっと読む)


【課題】凝固偏析により金属融液から得られた精製塊中の不純物濃度を簡易にスクリーニングし得る金属精製塊の検査方法、それを含む高純度金属の製造方法およびその用途を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含む金属融液に精製塊支持体を接触させ、次いで凝固偏析により前記精製塊支持体の表面に析出させた前記金属融液の金属精製塊に含まれる不純物濃度により規定される前記金属精製塊の良または不良を、前記金属精製塊外周面の表面状態に基づいて検査することを特徴とする金属精製塊の検査方法により、上記の課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】ボロン含有量を制御することができる球状シリカ粒子の製造方法の提供。
【解決手段】原料シリコン粒子と酸素とを反応させて球状シリカ粒子の製造方法である。ボロン含有量がシリカの質量を基準として下限0ppm、上限30ppmに含まれる所定範囲に含まれる粗シリコン粒子中に含有するボロン量を制御する。ボロン含有量を小さくすることにより、樹脂との密着性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が20%以上100%以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェハ製造用シリコンインゴットを砥粒として炭化ケイ素又はダイヤモンドを用いた砥粒方式により切削する際に発生する砥粒含有廃シリコンの処理物から高い収率でハロシランを製造する方法を提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素又はダイヤモンドからなる砥粒を含有する廃シリコン処理物を用いる方法であって、砥粒含有廃シリコンスラリーから砥粒を主成分とする固形分を分離することなくハロゲン化水素と反応させるハロシランの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】単純な構成でシリコンスラリーを再資源化できる、シリコンスラリーの固液分離方法、及びその装置を提供すること。
【解決手段】固液分離装置10は、シリコンスラリー原液槽12、反応槽20、酸性溶液槽22、中和槽30、中和剤溶液槽32、熱分解機40、及び熱風発生炉50を具えている。固形成分と液状成分とを含有するシリコンスラリーは、反応槽20で酸性溶液と十分に反応させられた後、中和槽30で中和剤溶液によって中和させられ、次いで熱分解機40で液状成分が気化させられることによって、固形成分と液状成分とに分離させられる。固液分離させた固形成分は粉状物であり、シリコン粉を主成分とするため、また、気化させた液状成分を蒸留すれば、油分を回収できるため、資源として再利用することができる。 (もっと読む)


【課題】 珪素の高い初期効率と電池容量を維持しつつ、サイクル特性に優れ、充放電時の体積変化を減少させた非水電解質二次電池の負極用として有効な活物質としての珪素粒子からなる負極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極活物質の製造方法であって、金属珪素を原料とした電子線蒸着法により、温度を800−1100℃に制御した基板上に、1kg/hrを超える蒸着速度で、蒸着膜厚が2−30mmの範囲で珪素を堆積させる工程と、該堆積させた珪素を粉砕・分級して、前記負極活物質を得る工程とを含むことを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法。 (もっと読む)


【課題】処理剤を用いて溶融シリコン中の不純物を除去する際、処理剤を無駄なく利用することができ、処理剤と不純物とを効率的に反応させることが可能な、シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】系内の溶融シリコンの液面よりも下方から処理剤を導入する、導入工程と、溶融シリコン中の不純物と処理剤とを反応させ、不純物を系外に除去する、除去工程とを有する、シリコンの製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】処理剤を用いて溶融シリコン中の不純物を除去する際、処理剤を溶融シリコンに確実に接触させることができ、不純物との反応に効率的に寄与させることが可能な、シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】系内の溶融シリコンへと処理剤を添加する工程と、溶融シリコン中の不純物と処理剤とを反応させ、該不純物を系外に除去する工程とを有し、処理剤のメジアン径が70μm以上である、シリコンの製造方法とする。 (もっと読む)


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