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Fターム[4G072HH03]の内容

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【課題】反応器の給電において、封止部を破壊する漏れ電流ないしはアークを検出して早期に遮断できるようにすると同時に、導電性の汚染物があっても、次の分解および洗浄を行うまでの反応器の動作時間を可能な限り長く維持できるようにすること。
【解決手段】電気エネルギー網の絶縁不良を監視し、所定の絶縁抵抗値を下回ることにより、電気エネルギー供給の遮断がトリガされる、ただし、前記電気エネルギー供給の遮断を行うスイッチング閾値は、前記封止部の幾何学的形状と、該封止部の材料と、給電電圧と、該封止部に流れる最大可能なクリープ電流によってトリガされ前記遮断直前に該封止部に入力可能な最大電気エネルギーとから成る群のうち、少なくとも1つのパラメータを考慮して求める。 (もっと読む)


【課題】高いスループット及びより良い収率を達成することができる方法を提供する。
【解決手段】高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第1の化学気相蒸着(CVD)反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第2の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。 (もっと読む)


【課題】 反応ガスを安定的に供給することができ、シリコン析出の効率を向上することができ、シリコン析出工程時に不純物による多結晶シリコンの汚染を防止することができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、内部の反応ガスチャンネルに沿って前記反応管の内部にシリコン元素を含む反応ガスを供給し、前記反応ガスチャンネルを取り囲むチャンネルを有する反応ガス供給部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 シリコン析出のために十分な熱と流動ガスとを均一に供給することができ,多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易な流動層反応器を提供する。
【解決手段】 反応管と、独立的に制御して流動ガスを前記反応管の内部に供給する流動ガス供給部と、前記反応管の内部に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 連続的に、かつ安定的に多結晶シリコンを製造することができ、生産性を高め、製造原価を下げることができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、前記反応管内のシリコン粒子に流動ガスを供給する流動ガス供給部と、前記反応管で発生されたガスを排出するガス排出部と、前記ガス排出部あるいは前記流動ガス供給部内に装着された圧力センサーと、前記圧力センサーで測定された圧力が基準圧力値以上の場合、前記反応管の内部に形成された多結晶シリコンを外部に排出させる粒子排出口と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置10は、気相成長室36と、加熱室8と、混合室38と、トリクロロシランガスを貯蔵する第1貯蔵庫42と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第2貯蔵庫40を備えている。加熱室8は、第1貯蔵庫42と混合室38に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室38に供給している。混合室38は、第2貯蔵庫40と気相成長室36に連通しており、加熱室8から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス34を気相成長室36に供給している。加熱室8の室内温度は、混合室38の室内温度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】半導体製造装置から排出されるシラン類をリサイクルすることを目的とする。
【解決手段】半導体製造装置20から排出される混合ガスに含まれるシラン類が除害装置30によってシリカとして無害化される。除害装置30で生成したシリカはシリカ回収手段40によって回収される。炭素含有物質混合手段50は、シリカ回収手段40で回収されたシリカに炭素含有物質を混合する。塩素化手段60は、炭素含有物質混合手段50で得られた混合物に塩素含有物質を反応させて四塩化珪素を形成する。 (もっと読む)


【課題】光電変換装置において、新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置において、受光面となる半導体基板の表面をウィスカー群(ナノワイヤー群)で被覆されるようにして、表面反射を低減させる。すなわち、半導体基板の受光面側に、ウィスカー状の成長表面を有する半導体層を設ける。当該半導体層は、任意の凹凸構造を有することになるので、半導体基板での表面反射を低減させ、変換効率を向上させる効果を奏する。 (もっと読む)


【課題】基板にシリコン薄膜を形成する際、従来のプラズマ処理装置に比べて純度の高いシリコン薄膜を形成することのできる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧状態の成膜空間を形成する成膜容器と、前記成膜空間に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記原料ガスが供給された前記成膜空間で、電磁波を用いてプラズマを生成させるプラズマ生成素子と、を有する。前記プラズマ生成素子は、前記成膜空間と隔壁で隔てられた空間に設けられ、前記隔壁の前記成膜空間に接する表面には、シリコンを主成分とする隔壁基材が設けられている。 (もっと読む)


本発明は、ヒドリドシランとして実質的に少なくとも1種のシリコン原子最大20個を有する非環状ヒドリドシランを包含する組成物を、触媒の不在下で235℃より小さい温度で熱により反応させる、ヒドリドシランをオリゴマー化する方法、前記方法に従って製造可能なオリゴマー及びその使用に関する。 (もっと読む)


【課題】低エネルギー消費で硫黄ドープシリコン膜を製造する。
【解決手段】光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物を用意する工程と、混合物に光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第1の加熱処理を行って環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる工程と、を行って硫黄変成ケイ素化合物を製造する。混合物の環状硫黄とケイ素化合物の混合比は、混合物に含まれる硫黄原子の数がケイ素原子の数に対して1/100000以上1/3以下となる混合比にする。硫黄変性ケイ素化合物を含んだ溶液を不活性雰囲気で基板上に塗布した後に第2の加熱処理を行って、硫黄変性ケイ素化合物を分解するとともに硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子を他のケイ素原子または硫黄原子と結合させて硫黄ドープシリコン膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】二硫化ケイ素を低エネルギー消費で製造する。
【解決手段】本発明の硫黄変性ケイ素化合物の製造方法は、光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物に、光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第1の加熱処理を行って前記環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる。この硫黄変性ケイ素化合物に不活性雰囲気で第2の加熱処理を行って硫黄変性ケイ素化合物を分解するともに、この硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子および硫黄原子を結合させる。 (もっと読む)


反応器ボリュームを備える、シリコンの生産のための反応器であって、反応器は、化学蒸着(CVD)用のシリコン含有反応ガスを反応器ボリュームの内側に回転状態で設定するための少なくとも1つの手段を備えるか、または当該少なくとも1つの手段が有効に配置されることを特徴とする。シリコンの生産のための方法。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも1種の無機シラン及び少なくとも1種の異種金属及び/又は異種金属を含有する化合物を含有する組成物を、前記組成物を少なくとも1種の有機アミノ官能化ポリマー吸着剤と接触させ、かつ異種金属及び/又は異種金属を含有する化合物の含量が低下されている組成物を取得することにより、処理する方法、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び/又は異種金属を含有する化合物の含量の減少のための吸着剤の使用に関する。 (もっと読む)


【課題】電気加熱の負担を減少させ、電気消耗量を減少させるとともに、従来に比べて短期間にポリシリコンを製造できる装置及び方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバーと、前記反応チャンバー内にシランガスを供給するためのガス供給部と、前記ガス供給部で供給されるシランガスにレーザービームを照射し、前記シランガスを熱分解してポリシリコン粒子を形成するためのレーザー照射部と、前記ポリシリコン粒子を収容するためのポリシリコン粒子収容部とを含んでポリシリコンの製造装置を構成する。 (もっと読む)


ケイ素ナノロッドを作製するための方法が提供される。この方法によれば、Auナノ結晶を液体媒体中でシランと反応させてナノロッドを生成し、前記ナノロッドのそれぞれは、約1.2nm〜約10nmの範囲内の平均直径を有し、約1nm〜約100nmの範囲内の長さを有する。
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【課題】比誘電率及び/又は誘電正接が低く、異方性が高い板状シリカ粒子の製造方法、及び該板状シリカ粒子を提供する。
【解決手段】(1)ナノ細孔が実質的に存在しない中空状シリカ粒子を粉砕する工程を含む、比誘電率が3.5以下及び/又は誘電正接が0.01以下である板状シリカ粒子の製造方法、及び(2)その製造方法により得られた、比誘電率が3.5以下及び/又は誘電正接が0.01以下である板状シリカ粒子である。 (もっと読む)


【課題】シリコン製造プロセスにおいて、シリコン芯線の予熱に使用されたカーボンヒータを、製造コストのかかる反応炉などの格別の装置を用いることなく、簡単に短時間で再生し得る方法を提供する。
【解決手段】シランガスと水素ガスとの反応により生成するシリコンを析出させるためのシリコン芯線が立設されている反応器内に取り付けられており、シリコン芯線を通電可能な温度に加熱するためのカーボンヒータ9について、シリコンの析出終了後、カーボンヒータ9を反応器から取り外し、取り外されたカーボンヒータ9を誘導加熱し、カーボンヒータ9に析出しているシリコンを溶融落下させて除去する。 (もっと読む)


シリコン顆粒は、流動層反応器内のチャンバの内部での種粒子上への化学気相成長によって製造されている。チャンバは妨害部材又は気泡破砕装置を含む。妨害部材又は気泡破砕装置はチャンバ内部での気泡の成長を制限する大きさ及び形状を有するとともに、加熱された流体を通して熱をチャンバ内部のガスに伝達する内部通路を有する。
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【課題】高純度のゲルマニウム合金化された多結晶シリコンインゴットを提供すること、並びにその簡単でかつ低コストの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン心棒又はゲルマニウムで合金化されたシリコン心棒に堆積された、ゲルマニウム0.1〜50mol%及びシリコン99.9〜50mol%からなる高純度合金からなり、前記合金は多結晶構造を有する0.5m〜4mの長さ及び25mm〜220mmの直径のインゴット。 (もっと読む)


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