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Fターム[4G072JJ06]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 非珪素系反応剤、原料、処理剤 (2,734) | ハロゲン (49) | 塩素 (28)

Fターム[4G072JJ06]に分類される特許

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【課題】本発明の課題は、シリカを含む植物を加熱処理や化学、生物学的処理などをして得られる分解処理残分を原料として、安価に高純度の四塩化ケイ素を製造できる方法を提供することである。
【解決手段】本発明者らは、シリカを含む植物を加熱して得られる、炭素/シリカの質量比が0.2以上2.0以下である分解処理残分に、JIS標準篩の呼び寸法で1.0mm以上4.8mm以下の金属ケイ素を、分解処理残分中のシリカ100質量部に対して、10〜40質量部加えて塩素化反応を行うことにより、外部からの余分なエネルギー供給の必要がなく、高いシリカ反応率で四塩化ケイ素が製造できることを見出した。 (もっと読む)


【解決手段】本発明は、籾殻又は稲藁のようなシリコン含有植物から生成されたカーボン−シリカ生成物であり、硫酸で浸出することによって、非シリカ無機物及び金属を除去し、その一方、残った生成物内の固定カーボン対シリカのモル比を調整する。カーボンとシリカは、ミクロン又はサブミクロンスケールで密接に混合され、高純度と高い反応性、小さな粒子サイズ、高い空隙率を特徴とし、カーボン−シリカ生成物からシリコン含有生成物を生成するエネルギー源として用いられる揮発性カーボンを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、バイオ由来シリカと炭素質物質と少量の金属ケイ素を塩素と反応させる四塩化ケイ素の製造方法において、工業的な実施に適すると同時に、シリカの反応率の高い製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明者らは、バイオ由来シリカと炭素質物質との混合物を、塩素と反応させて、四塩化ケイ素を製造する方法において、篩分粒径が1.0mm以上4.8mm以下の金属ケイ素を、シリカに対して、10〜30wt%加えて塩素化反応を行うことにより、外部からの余分なエネルギー供給の必要がなく、高いシリカ反応率で四塩化ケイ素が製造できることを見出した。 (もっと読む)


【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、フラックス中にハロゲンガスを含む処理気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】本発明によれば、冶金的手法による太陽電池用等の高純度シリコンの製造に用いるフラックス中の不純物、特にホウ素、リンを効果的に低減することができる。この結果、極めて安価にホウ素、リン等が低減されたフラックスを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体製造装置から排出されるシラン類をリサイクルすることを目的とする。
【解決手段】半導体製造装置20から排出される混合ガスに含まれるシラン類が除害装置30によってシリカとして無害化される。除害装置30で生成したシリカはシリカ回収手段40によって回収される。炭素含有物質混合手段50は、シリカ回収手段40で回収されたシリカに炭素含有物質を混合する。塩素化手段60は、炭素含有物質混合手段50で得られた混合物に塩素含有物質を反応させて四塩化珪素を形成する。 (もっと読む)


【課題】空隙の発生を抑制しつつ、迅速に開口を埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】Siからなる金属膜202上に絶縁膜204が形成されたウエハ12であって、絶縁膜204の一部に開口部206が形成されこの開口部206に金属膜202が露出したウエハ12を処理室106内へ搬送し処理室106内へ少なくともDCSとCl2とを供給してウエハ12の金属膜202上に選択的に第1のSi膜252を形成し、処理室106内へ少なくともDCSを供給してウエハ12の絶縁膜204及び第1のSi膜252上に第2のSi膜254を形成する。 (もっと読む)


【解決課題】製造コストが低く、運転管理及び装置管理が簡便な多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】高純度四塩化珪素と亜鉛との反応により生成する排出ガスから分離した該塩化亜鉛及び未反応亜鉛の混合物を酸化する酸化処理と、塩化亜鉛及び酸化亜鉛の混合物を塩酸水溶液に溶解させる塩酸水溶液溶解処理と、酸性抽出剤により亜鉛成分を抽出する亜鉛成分抽出処理と、硫酸水溶液により亜鉛成分を逆抽出する亜鉛成分逆抽出処理と、硫酸亜鉛水溶液を水溶液電解する硫酸亜鉛水溶液電解処理と、該亜鉛成分抽出処理で得られる塩酸水溶液のうちの一部の塩酸水溶液中の塩酸を分解して、塩素ガスを得る塩酸分解処理を有し、該亜鉛成分抽出処理で得られる該塩酸水溶液のうちの他部、該亜鉛成分逆抽出処理で得られた酸性抽出剤を含有する有機溶媒、及び該硫酸亜鉛水溶液電解処理で得られた該硫酸水溶液を循環使用する高純度多結晶シリコンの製造方法。 (もっと読む)


【解決手段】不純物としてホウ素を含有するシリコン及びスラグをそれぞれが溶融するよう加熱した後、上記シリコン及び上記スラグを溶融状態で接触させ、上記シリコン中のホウ素を上記スラグに吸収させて上記シリコン中のホウ素を除去するシリコンの精製方法であって、上記スラグの組成を制御しながら上記スラグにホウ素を吸収させることを特徴とするシリコンの精製方法。
【効果】本発明の精製方法によれば、従来公知の精製方法よりも安価に効率よくシリコン中のホウ素を除去することができ、平均ホウ素含有量を、4質量ppm以下、特に3質量ppm以下にまで低減することができる。本発明の方法に加えて更に公知のホウ素低減方法を行う場合にも、本発明の方法でホウ素濃度の低下が達成されているので、次工程であるホウ素濃度低減工程を実施するには好都合である。 (もっと読む)


【課題】クロロシラン類に含まれる不純物に由来する臭素元素を高精度でかつ迅速に定量できる方法;および、テトラクロロシランの製造方法。
【解決手段】30〜500mLの容器を4個(11,12,13,14)備えた加水分解装置(10)を用いて、(a)クロロシラン類と水とを反応させて、反応生成物を含む水溶液を得る工程と、(b)水溶液をアルカリ性化合物で中和した後、イオンクロマトグラフを用いて水溶液中の臭化物イオン濃度を測定し、クロロシラン類に含まれていた不純物に由来する臭素元素を定量する工程、または(b’)誘導結合プラズマ質量分析装置(ICP−MS)を用いて水溶液中の臭素元素濃度を測定し、クロロシラン類に含まれていた不純物に由来する臭素元素を定量する工程とを有する方法によって、クロロシラン類に含まれる不純物に由来する臭素元素を定量する。 (もっと読む)


本発明は、ヘキサクロロジシランの生成方法に関するものである。ヘキサクロロジシランは、実験式SiClx(x=0.2〜0.8)の塩素化ポリシランの、塩素ガスを用いる酸化的分裂によって得られる。その結果として、ヘキサクロロジシランは高収率で選択的に得られる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、太陽電池用シリコンを安定かつ安価に提供する。
【解決手段】太陽電池用シリコンの製造方法のある態様は、ゼオライトを含有した珪素含有物質を炭素含有物質の存在下で塩素化することで四塩化珪素を得る工程(1)と、前記工程(1)によって得られた四塩化珪素を分離精製する工程(2)と、前記工程(2)において精製された四塩化珪素と亜鉛ガスを反応させることで多結晶シリコンを得る工程(3)とを備える。 (もっと読む)


【課題】太陽電池用シリコンの原料である四塩化珪素を安定かつ安価に提供することを目的とする。
【解決手段】四塩化珪素の製造方法のある態様は、ゼオライト、好ましくは廃ゼオライトを含有した珪素含有物質を用い、炭素含有物質の存在下で塩素化する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】太陽電池用シリコンの原料である四塩化珪素を安定かつ安価に提供する。
【解決手段】四塩化珪素の製造方法のある態様は、珪素質含有物質、好ましくは珪酸バイオマス含んでいる珪素質含有物質を、工業プロセスから生じた灰、好ましくは有機物を燃焼させることで燃焼エネルギーを電力に変換する発電設備から生じた灰を含有している炭素含有物質の存在下で塩素化する。 (もっと読む)


【課題】反応炉の外壁を腐食させることなく、クロロシラン重合物を効率よく分解する。
【解決手段】クロロシラン重合物の分解方法であって、クロロシラン重合物およびHClを混合してなる原料ガスを予熱温度Ti[℃]に予熱する予熱工程と、予熱された前記原料ガスを分解炉内に滞留させる分解工程とを有し、前記分解工程での前記原料ガスの前記分解炉内における平均滞留時間t[秒]とすると、T1≦Ti≦T2,T1=600×t(−0.057)−150,T2=190×t(−0.9)+470ただしt≦10かつ400≦Ti≦550を満たす。 (もっと読む)


【課題】シリコン単結晶製造装置を用いて2Nの低純度金属シリコン(例えば、鉄鋼産業やアルミニウム産業に広く用いられている金属シリコン)を太陽電池の生産に適合する6〜7Nの高純度金属シリコンに精製することができる金属シリコンの精製方法とその精製装置を提供する。
【解決手段】低純度金属シリコンを出発原料として、坩堝内の金属シリコン表面を局部的に加熱して、表面に表面温度差を形成して精製する方法。チャンバ10内側に設けられて溶融金属シリコン100を保存する坩堝20と、金属シリコンを加熱して溶融させる加熱手段40と、溶融金属シリコンの上部表面を局部的に加熱する局部加熱手段50と、溶融金属シリコンの上部表面に不純物除去用物質を供給するガス供給管60を含むように構成された装置を使用する精製方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を利用し、高機能材料の物質となる、微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素を作製する製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素等、高機能材料の前記物質は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を活かして作製する。たとえば微細炭化珪素の場合は、珪藻土原土又は焼成珪藻土内部に、コロイド溶液化した活性炭や黒鉛等の粉末炭素、フラーレンやカーボンナノチューブ等の炭素物質を含浸させ、乾燥後、不活性ガス雰囲気下、1500℃まで加熱して得られる。炭素源は珪藻土内に無数に存在する珪藻土粒子の粒界や細孔内で二酸化珪素と反応を起こし、炭素源の形状を維持した、微細炭化珪素が合成される。又、炭素源の形状が維持される性質を利用し、予め炭素源を等粒に揃えておくことにより、等粒微細炭化珪素も作製できる。 (もっと読む)


【課題】水素化クロロポリシランを含む液体中の水素化クロロポリシランを選択的に塩素化してクロロポリシランを製造して、塩素化反応で発生する有害な塩素を含む排ガスを生成させないクロロポリシランの製造方法を提供する。
【解決手段】水素化クロロポリシランの量から算出される反応当量未満の塩素を添加し、密封下で反応させることにより、塩素を完全に消費して選択的にクロロポリシランを生成させる省エネルギーで安全な製造方法。 (もっと読む)


【課題】カーボン部品を高純度に効率よく精製する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造に用いられるカーボン部品を処理炉内に収容して、処理炉内を不活性ガス等で置換後、処理炉内を乾燥温度まで昇温し不活性ガス等を流通させてカーボン部品を乾燥する乾燥処理と、乾燥処理後に処理炉内を乾燥温度よりも高い純化温度に消音するとともに、処理炉内に塩素ガスを流通させる塩素流通処理(ステップ2)と、塩素流通処理の後に処理炉内部を減圧する減圧処理(ステップ3)と、減圧処理により生じた減圧状態に処理炉内を保持する減圧保持処理(ステップ4)と、減圧保持処理後の処理炉に塩素ガスを導入して処理炉内を加圧状態とする塩素加圧処理(ステップ5)とを複数回繰り返した後、処理炉内を冷却する。 (もっと読む)


本発明は、ハロゲン化ポリシランの熱分解によって得られたハロゲン化合物を含むシリコン及びその製造方法に関する。シリコンは1atm%〜50atm%の含有量のハロゲン化合物を有する。更に、本発明は金属シリコンの精製のため、ハロゲン化合物を含有したシリコンの使用方法に関する。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコン製造プロセスから排出される四塩化珪素を水素と反応させて三塩化シランを生成する転換反応プロセスにおいて、この生成ガスから三塩化シランを分離回収した後に六塩化二珪素などを回収する転換反応ガスの分離回収方法を提供する。
【解決手段】四塩化珪素と水素ガスから三塩化シランを生成する転換反応プロセスにおいて、生成ガスを冷却して凝縮液とし、この凝縮液から三塩化シランおよび四塩化珪素を蒸留分離した後に六塩化二珪素を留出回収することを特徴とする転換反応ガスの分離回収方法であり、例えば、凝縮液から三塩化シランを留出させる第1蒸留工程と、第1蒸留工程の残液から四塩化珪素を留出させる第2蒸留工程と、第2蒸留工程の残液から六塩化二珪素を留出させる第3蒸留工程とを有する転換反応ガスの分離回収方法。 (もっと読む)


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