【課題】 珪素の高い初期効率と電池容量を維持しつつ、サイクル特性に優れ、充放電時の体積変化を減少させた非水電解質二次電池の負極用として有効な活物質としての珪素粒子からなる負極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極活物質の製造方法であって、金属珪素を原料とした電子線蒸着法により、温度を８００−１１００℃に制御した基板上に、１ｋｇ／ｈｒを超える蒸着速度で、蒸着膜厚が２−３０ｍｍの範囲で珪素を堆積させる工程と、該堆積させた珪素を粉砕・分級して、前記負極活物質を得る工程とを含むことを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属級シリコン材料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で、高純度シリコンの量産が可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】金属級シリコンまたはシリカ粉末１を、２４００℃程度のオゾン含有酸素ガス雰囲気のプラズマ領域８に投入し、前記粉末に含まれるボロンを酸化して気化物として除去し、粉末１ａとして回収し、ボロン除去後の粉末１ａを、還元性雰囲気のプラズマ領域２８に投入し、還元処理により酸素を除去して、シリコン粉末１ｂとして回収し、前記シリコン粉末を加熱して溶湯１ｃとなし、電磁石３５の磁場中に前記溶湯を流すことで、金属不純物元素をトラップして除去する。さらに、金属不純物元素を除去したシリコンの溶湯１ｃを、遠心噴霧によりシリコンの粉末１ｄとなして回収する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることにより、太陽電池の変換効率を向上した多結晶ウェーハ及びその製造方法を提供することにある。また、かような多結晶ウェーハを得るための、多結晶材料の鋳造方法を提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶ウェーハは、ウェーハ中のCu濃度を所定の範囲としたものである。 （もっと読む）

【課題】高効率で、且つ高容量の非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】本発明の非水電解質二次電池は、正極と、負極と、非水電解質とを備え、前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の上に形成された負極活物質含有層とを含み、前記負極活物質含有層は、ケイ素と、酸素と、水素とを構成元素として含む負極活物質を含み、前記酸素の前記負極活物質中での含有量は、前記ケイ素に対して原子比で０．５以上１．５以下であり、前記負極活物質を構成する水素は、前記負極活物質を構成する酸素と結合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に、粉塵爆発が発生する危険性を低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気に維持されるチャンバー内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を投入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを鋳造する方法において、リンがドープされたシリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に不活性ガス雰囲気の温度を２００℃以下にした状態でチャンバーを開放して清掃することを特徴とする。また、ボロンがドープされたシリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に不活性ガス雰囲気の温度を４００℃以下にした状態でチャンバーを開放して清掃する。 （もっと読む）

【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】電磁鋳造法によって多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、シリコン融液にリンを連続的又は断続的に添加することによって比抵抗を１Ωｃｍ以上、１０Ωｃｍ以下に制御する。本発明によれば、ドーパントを連続的又は断続的に添加可能な電磁鋳造法を用いていることから、多結晶シリコンインゴットの比抵抗を結晶軸方向において１Ω以上、１０Ωの範囲に制御することが可能となる。しかも、ドーパントがリンであることから、Ｂ−Ｏ複合体が形成されることによる転位密度の増加も生じない。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末からなる小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量バラツキが小さい多数の小塊を相互に確実に離間させた状態で加熱用基板上に形成する。これにより、半導体粒子の高品質化と生産性向上が可能となる。
【解決手段】相互に間隔を設けて型板の表側に形成された所定形状の多数の凹部内に半導体粉末を充填し、その型板の表側に加熱用基板の平面部を重ね合わせる。その状態を維持しつつ表裏を反転させる。次いで、加熱用基板上に配置されている型板を上方に引きあげて、凹部に充填された半導体粉末を加熱用基板上に転写する。上記の凹部の横断面積は開口部に近いほど大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】サイクル特性に優れた非水電解質二次電池を与える正極活物質を提供することを課題とする。
【解決手段】ＬｉＦｅ_1-xＭ_xＰ_1-yＳｉ_yＯ₄（但し、式中、Ｍは、３〜１４族から選択される少なくとも１種であり、０＜ｘ＜１であり、０＜ｙ＜１である）
で表される単位格子を有するリチウム含有金属酸化物であり、０．３０°以上の（０１１）面の回折ピークの半値幅を有するとともに、一般式（１）で表される物質の単位格子が、２９１．４〜３００．０ųもしくは２８５．０〜２９１．０ųの体積を有することを特徴とする正極活物質により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】二硫化ケイ素を低エネルギー消費で製造する。
【解決手段】本発明の硫黄変性ケイ素化合物の製造方法は、光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物に、光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第１の加熱処理を行って前記環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる。この硫黄変性ケイ素化合物に不活性雰囲気で第２の加熱処理を行って硫黄変性ケイ素化合物を分解するともに、この硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子および硫黄原子を結合させる。 （もっと読む）

【課題】低エネルギー消費で硫黄ドープシリコン膜を製造する。
【解決手段】光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物を用意する工程と、混合物に光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第１の加熱処理を行って環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる工程と、を行って硫黄変成ケイ素化合物を製造する。混合物の環状硫黄とケイ素化合物の混合比は、混合物に含まれる硫黄原子の数がケイ素原子の数に対して１／１０００００以上１／３以下となる混合比にする。硫黄変性ケイ素化合物を含んだ溶液を不活性雰囲気で基板上に塗布した後に第２の加熱処理を行って、硫黄変性ケイ素化合物を分解するとともに硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子を他のケイ素原子または硫黄原子と結合させて硫黄ドープシリコン膜を製造する。 （もっと読む）

本発明は、水素化ポリゲルマシランを純粋な化合物または化合物の混合物として製造するための方法であって、ハロゲン化ポリゲルマシランが水素化される方法に関する。本発明はまた、水素化ポリゲルマシラン、該水素化ポリゲルマシランから製造されるゲルマニウム層、およびかかる層を製造するための方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、アルミニウムを含有するｎ型太陽電池用シリコンを提供することである。また、アルミニウムを含有するシリコンから精製されたリン添加シリコンを経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】質量濃度が、０．００１〜１．０ｐｐｍのアルミニウムおよび０．００１１〜１．１ｐｐｍのリンを含有し、かつリン／アルミニウム質量濃度比が１．１以上であるｎ型太陽電池用シリコンを提供する。また、アルミニウムを含有するシリコンを加熱溶融して溶融物を得、得られた溶融物にリンを添加することにより、又は、アルミニウムを含有するシリコンにリンを添加して混合物を得、得られた混合物を加熱溶融することによって、アルミニウム、リン及びシリコンを含有する溶融混合物を調製した後、鋳型内において一方向の温度勾配の下で、前記溶融混合物を凝固させるリン添加シリコンの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】光学的な特性のすぐれたＥｒ添加Ｓｉ複合粒子を、確実、容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２基板上の中央にＥｒチップを配置し、その周囲のエロージョン領域にＳｉチップを複数個配置してＳｉＯ_２ターゲットを構成するとともに、該ＳｉＯ_２ターゲットに対してＳｉ基板を対置し、真空雰囲気下で前記ＳｉＯ_２ターゲットと前記Ｓｉ基板との間に高周波電力を印加して前記ＳｉＯ_２ターゲットから前記Ｓｉ基板に対して３〜１２時間スパッタリングさせＥｒとＳｉを添加したＳｉＯ_２薄膜を備えたＳｉ基板を形成し、ＡｒまたはＮ_２雰囲気下で前記ＳｉＯ_２薄膜を備えたＳｉ基板を９００〜１２００℃の温度条件で３０〜１２０分間熱処理して前記ＳｉＯ_２薄膜中のＥｒとＳｉを結晶化させＥｒ添加Ｓｉ複合粒子を含有するＳｉＯ_２薄膜とし、前記Ｅｒ添加Ｓｉ複合粒子を含有するＳｉＯ_２薄膜をエッチングしてＳｉＯ_２を除去しＥｒ添加Ｓｉ複合粒子を得ることを特徴とするＥｒ添加Ｓｉ複合粒子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用などに用いられるシリコンシートにおいて、良好な半導体特性を付与し、そのシリコンシートを用いた太陽電池のさらなる高効率化を図ること。
【解決手段】本発明は、シリコン融液に被接触体を接触させて形成される多結晶シリコンシートであって、０．０４〜０．２ｐｐｍｗのボロンを含有することを特徴とする多結晶シリコンシートである。両方または一方の主面に凹凸を有することが好ましい。また、前記両方の主面の凹凸の周期が同一であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】高次シラン化合物にドーパントソースを混合して加熱するとき、大気圧下におけるドーパントソースの蒸発温度がドーパントソースの分解温度より低いため、分解する前に蒸発してしまい、高次シラン化合物内に残留する率が低下するという問題があった。
【解決手段】ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化ケイ素を金属アルミニウムにより還元して還元シリコンを得、この還元シリコンから、経済的に、ホウ素添加シリコンを製造しうる方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化ケイ素を金属アルミニウムにより還元して還元シリコンを得、得られた還元シリコンを加熱溶融し、ホウ素を添加した後、鋳型内で温度勾配を一方向に設けた状態で凝固させることにより精製することを特徴とする。好ましくは、還元シリコンを酸洗したのちに、加熱溶融し、ホウ素を添加する。還元シリコンを減圧下に加熱溶融させたのちに、ホウ素を添加する。還元シリコンを加熱溶融した後に一方向に凝固させて精製し、その後に加熱溶融し、ホウ素を添加する。 （もっと読む）

【課題】ガラス資源のリサイクルのために、ガラス材料から金属不純物等を除去してガラス材料を回収する。
【解決手段】ガラス溶解槽を用いて、ガラス材料を、酸化シリコンが飽和になるまで、フッ素イオンを含む溶液に溶解し飽和状態のケイフッ化水素酸水溶液を形成させると共に、酸化シリコンが溶解する際の熱を回収し、添加剤溶解槽を用いて、前記飽和状態のケイフッ化水素酸水溶液に、アルミニウム、カリウム、バリウム、ニッケル、亜鉛、銅、およびこれらの化合物、ホウ酸、マグネシウム化合物、水から選択される少なくとも一種を添加して、前記飽和状態のケイフッ化水素酸水溶液中のＨ₂ＳiＦ₆を過飽和状態にして、該反応における下記式で表される平衡反応（３）に示す該平衡状態を、下記平衡式（３）を右に移行させて高純度の酸化シリコンを析出させる。
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前駆体ガスからＩＶ族半導体ナノ粒子の組を生成するためのプラズマ処理装置が開示される。この装置は、外側チューブ内面と外側チューブ外面とを含み、外側チューブ内面は外側チューブ内面エッチング速度を有する、外側誘電体チューブを含む。この装置はまた、内側チューブ外面を含み、外側チューブ内面及び内側チューブ外面は環状チャネルを定め、さらに内側チューブ外面は内側チューブ外面エッチング速度を有する、内側誘電体チューブも含む。この装置は、外側チューブ外面上に配置された第１の外側電極内面を有する、第１の外側電極をさらに含む。この装置はまた、内側誘電体チューブの内部に配置され、第１のＲＦエネルギー源が第１の外側電極及び第１の中央電極の一方に加えられたとき、第１の外側電極に結合されるようにさらに構成された第１の中央電極と、第１の外側電極と第１の中央電極との間に定められた第１の反応域とを含む。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。具体的に、本発明は、薄膜トランジスタにおいて、半導体層のチャネル物質としてＳｉを含む酸化亜鉛系物質を用いる薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。また、本発明は、チャネル物質の蒸着後にプラズマ窒化工程および酸素熱処理工程を経る薄膜トランジスタの製造方法に関する。さらに、本発明は、基板、ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極、およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層が、Ｓｉを含む酸化亜鉛系半導体チャネル物質を含む薄膜トランジスタに関する。
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