【課題】ボロン含有量を制御することができる球状シリカ粒子の製造方法の提供。
【解決手段】原料シリコン粒子と酸素とを反応させて球状シリカ粒子の製造方法である。ボロン含有量がシリカの質量を基準として下限０ｐｐｍ、上限３０ｐｐｍに含まれる所定範囲に含まれる粗シリコン粒子中に含有するボロン量を制御する。ボロン含有量を小さくすることにより、樹脂との密着性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】処理剤を用いて溶融シリコン中の不純物を除去する際、処理剤を溶融シリコンに確実に接触させることができ、不純物との反応に効率的に寄与させることが可能な、シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】系内の溶融シリコンの液面よりも下方に処理剤を押し込む、押込工程と、溶融シリコン中の不純物と処理剤とを反応させ、該不純物を系外に除去する、除去工程とを有する、シリコンの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池用正極材料として有用であり、新規なリチウムシリケート系材料を提供する。
【解決手段】Li_1.5FeSiO_4.25で表されるリチウムシリケート系化合物。リチウム（Li）と、鉄（Fe）と、シリコン（Si）と、酸素（O）とからなるリチウムシリケート系化合物であり、組成式：Li_1+2δFeSiO_4+δ-C(-0.25≦δ≦0.25、0≦C≦0.5)で表されることを特徴とするリチウムシリケート系化合物。鉄(Fe)が三価に存在できるので、Li₂FeSiO₄に比べて化学的安定性に優れている。 （もっと読む）

【課題】シリカ殻の任意の部位に選択的に金属ナノ粒子または金属酸化物ナノ粒子を担持させたシリカ殻からなる複合ナノ中空粒子を提供すること、またナノ粒子の分散性を維持しつつ、中空粒子が持つ特性を保持したまま安定して供給する方法を提供することである。
【解決手段】平均細孔径の異なるシリカ殻からなるナノ中空粒子を製造し、シリカ殻外表面、シリカ殻内、あるいはシリカ殻内表面の少なくとも一部位に選択的に金属または金属酸化物を担持させる。 （もっと読む）

【課題】溶融金属塩または溶融金属を冷却するために用いられた場合、高い除熱性および耐侵食性を発揮できる除熱器を提供することを提供すること。
【解決手段】本発明に係る、溶融金属塩または溶融金属を冷却するための除熱器は、耐火物から構成された柱状体（Ａ）と、該柱状体（Ａ）に埋設された有底筒状体（Ｂ）と、該有底筒状体（Ｂ）の内部に配置された冷却管（Ｃ）とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決課題】反応炉内に析出した多結晶シリコンの反応炉内からの取り出しが容易であり、製造効率が高い多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内で四塩化珪素と亜鉛を反応させて、反応炉内に多結晶シリコンを生成させる第一工程と、９０７〜１２００℃で、該反応炉内に、四塩化珪素のみを供給するか、又は四塩化珪素に対する亜鉛のモル比が、該第一工程でのモル比よりも小さくなる供給量で、四塩化珪素及び亜鉛を供給する第二工程と、該反応炉内の温度が８００℃以上で、反応炉内を不活性ガス雰囲気にし、次いで、多結晶シリコンを、８００℃以上の反応炉内から、該反応炉に繋がる不活性ガス雰囲気の冷却空間へ移動させることにより、多結晶シリコンを反応炉内から反応炉外へ取り出し、冷却する第三工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムシリサイドとの相性が良好なドーパントを含有する新規な材料を提供する。
【解決手段】マグネシウムシリサイドにドープするドーパントとして、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔａ及びＺｎを用いる。本発明のマグネシウムシリサイドに含まれるドーパントの量は特に限定されないが、上記のドーパントの含有量は、原子量比で０．１０〜２．００ａｔ％であることが好ましい。また、本発明のマグネシウムシリサイドを焼結してなる焼結体は、熱電変換素子として好ましく用いることができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの回収時間が短い多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内で四塩化珪素と亜鉛を反応させて、反応炉内に多結晶シリコンを生成させる第一工程と、９０７〜１２００℃で、該反応炉内に、四塩化珪素のみを供給するか、又は四塩化珪素に対する亜鉛のモル比が、該第一工程でのモル比よりも小さくなる供給量で、四塩化珪素及び亜鉛を供給する第二工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な多孔質シリカ内包粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）多孔質シリカを準備する工程と、（ｂ）多孔質シリカと金属または前記金属を元素組成として有する化合物を含有する液とを接触させ、多孔質シリカの孔内に前記液を含浸させる工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程の後、熱処理を施すことにより、前記多孔質シリカの孔内において前記金属または前記金属化合物を含有する微細粒子を形成する工程と、を有する。また、無溶媒系でアルコキシシランの加水分解することにより多孔質シリカを合成すれば、微細な孔径を有する多孔質シリカの合成が可能であり、この多孔質シリカを鋳型とすることで、バルクの状態では見られない特異な性質を示す粒子（例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏまたはＮｉやこれらの金属酸化物）も容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】モノシランガスの原料であるシリサイドを安定かつ安価に提供する。
【解決手段】炭素-珪素化合物をマグネシウム含有金属存在下で加熱する。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコン系クラスレートを安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系クラスレートの製造方法は、Ｓｉ粉末とＧｅ粉末とＮａとを混合して６５０℃以上の温度で加熱し、ＳｉとＧｅとＮａとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたＳｉとＧｅとＮａとからなる化合物を、１０^−２Ｐａ以下の陰圧下で３００℃以上４５０℃以下の温度により２時間以上７２時間以下加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ｇｅ粉末は、Ｓｉ粉末とＧｅ粉末の総モル数に対する割合が１モル％以上２０モル％以下となるように使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【解決課題】シリコンを溶融するときに、溶融し易く、且つ、表面酸化を受け難い高純度シリコン及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】棒状、粒状若しくは板状のシリコン、又は棒状、粒状及び板状のもののうちの少なくとも１種が複数接合したシリコンであり、径が２ｍｍを超える部分の割合が７５質量％以上であることを特徴とする高純度シリコン。 （もっと読む）

【課題】 高温の気相で行う反応を用いず、低温の液相で行う反応を採用することにより、シリコンを多量で安定的に連続生成させる多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】 溶融金属亜鉛中においてクロルシランと金属亜鉛を反応させ多結晶シリコンと塩化亜鉛とを反応生成物として生じさせる還元反応部分の位置が、反応生成物である塩化亜鉛を電気分解することによって塩素と金属亜鉛を生成させる電解部分の位置より下部にある。還元反応部分でクロルシランと金属亜鉛とを反応させ多結晶シリコンと塩化亜鉛を反応生成物として生じさせる。反応生成物である多結晶シリコンを分離し、塩化亜鉛を電気分解することによって塩素と金属亜鉛を生成させこの塩素はクロルシランの製造用に使用する。金属亜鉛はクロルシランとの反応に使用する。 （もっと読む）

【課題】Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ系多結晶体であって、性能指数が高い、熱電変換素子および、熱電変換モジュールの提供。
【解決手段】Ｓｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉ、Ａｌから選択される少なくとも１種のドーパントＡでドーピングされたＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ中に、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される少なくとも１種の遷移金属Ｂの元素および/または遷移金属Ｂのシリサイドが分散していることを特徴とする下記式（１）で表されるＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ多結晶体。Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ、式（１）［ただし、式（１）中のｘは０〜1、ａはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対するドーパントＡの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％であり、ｂはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対する遷移金属Ｂの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％である。］ （もっと読む）

【課題】充放電を繰り返した場合の体積エネルギー密度に優れる非水電解質二次電池用負極合金材料を提供する。
【解決手段】ＴｉＦｅＳｉ合金相、又は、ＴｉＦｅＳｉ_２合金相を含有する合金を用いる。これは、Ｔｉ、Ｆｅ及びＳｉを含有し、これらの原子比をＴｉ：Ｆｅ：Ｓｉ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）としたとき、ｃ≦６９である合金を含むものである。組成がＴｉＦｅＳｉ_２である合金よりも、組成がＴｉＦｅＳｉである合金の方が、放電容量、サイクル容量維持率共に優れる結果となった。 （もっと読む）

【課題】 不純物濃度が低く、かつ成形性が良好であるシリコン−成形助剤複合粉の製造方法、およびその複合粉を原料とした多結晶シリコン焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 非酸化性ガス雰囲気の第１の炉内にシリコン生成ガスを導入してシリコンを析出する工程、及び第２の炉内に前記析出したシリコンを導入するとともに、成形助剤の蒸気を固化することにより、シリコン粉末と成形助剤の複合粉を生成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 リチウムイオン２次電池やハイブリットキャパシタなど、充放電時にリチウムイオンの移動を伴う蓄電デバイスの導電性に優れるＳｉ系合金負極材料を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ相とＳｉとＣｕとの金属間化合物であるＳｉｘＣｕｙ合金からなるＳｉｘＣｕｙ相の複合相からなる粉体であり、かつ、ＳｉｘＣｕｙ相の組成がｘ＜ｙであり、ＳｉｘＣｕｙ相からなる金属間化合物相の平均硬さが８００ＨＶ以下であることを特徴とするＳｉ系合金負極材料。 （もっと読む）

【課題】残存酸素濃度が低い多結晶シリコン焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン焼結体の製造方法は、例えば、シリコン粉末を成形して成形体を得る第１工程と、前記成形体を加熱装置中に装入する第２工程とを具備している。これら第１及び第２工程は、非酸化性ガス雰囲気下で行われる。 （もっと読む）