説明

Fターム[4G072JJ25]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 非珪素系反応剤、原料、処理剤 (2,734) | 水素化物 (12)

Fターム[4G072JJ25]に分類される特許

1 - 12 / 12


【課題】各樹脂への分散性に優れ、成形物の諸物性を低下させずに難燃性を付与でき、更に耐水性を向上できる表面処理無機粉体を提供する。
【解決手段】無機粉体を、Xm(R2nSi(OR1(4-m-n)
(X、R1、R2は1価炭化水素基、mは1又は2、nは0又は1、m+nは1又は2)
の化合物或いはその部分加水分解縮合物、又はこれと、
(OR13-q(R2qSi−Y−Si(R2p(OR13-p
(Yは2価有機基又は−(R4−Si(R32s−(OSi(R32r−R5t−、R3は1価炭化水素基、R4は2価炭化水素基、R5はO又は2価炭化水素基、rは1〜40、s,tは0又は1、p,qは0〜3、p+qは0〜4)
の化合物或いはその部分加水分解縮合物を含む原料を、生成するポリシロキサンと分離状態となる液状加水分解縮合触媒を用いて得たオルガノポリシロキサンで表面処理してなる表面処理無機粉体。 (もっと読む)


本発明は、水素化ポリゲルマシランを純粋な化合物または化合物の混合物として製造するための方法であって、ハロゲン化ポリゲルマシランが水素化される方法に関する。本発明はまた、水素化ポリゲルマシラン、該水素化ポリゲルマシランから製造されるゲルマニウム層、およびかかる層を製造するための方法にも関する。 (もっと読む)


本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、a)i)一般式Sin2n+2[式中、n≧3であり、かつX=F、Cl、Br及び/又はIである]の少なくとも1のハロゲンシランと、ii)一般式NRR’aR’’bc[式中、a=0又は1であり、b=0又は1であり、かつc=0又は1であり、かつ式(I)であり、その際、aa)R、R’及び/又はR’’は、−C1〜C12−アルキル、−C1〜C12−アリール、−C1〜C12−アラルキル、−C1〜C12−アミノアルキル、−C1〜C12−アミノアリール、−C1〜C12−アミノアラルキルであり、かつ/又は、基R、R’及びR’’のうち2つ又は3つは、c=0である場合には、一緒になって、Nを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基R、R’又はR’’のうち少なくとも1つは−CH3ではなく、かつ/又は、bb)R及びR’及び/又はR’’は、(c=1である場合には)−C1〜C12−アルキレン、−C1〜C12−アリーレン、−C1〜C12−アラルキレン、−C1〜C12−ヘテロアルキレン、−C1〜C12−ヘテロアリーレン、−C1〜C12−ヘテロアラルキレン及び/又は−N=であるか、又は、cc)(a=b=c=0である場合には)R=≡C−R’’’(但し、R’’’=−C1〜C10−アルキル、−C1〜C10−アリール及び/又は−C1〜C10−アラルキルである)である]の少なくとも1の触媒とを、一般式Sim2m+2[式中、m>nであり、かつX=F、Cl、Br及び/又はIである]の少なくとも1のハロゲンシランとSiX4[式中、X=F、Cl、Br及び/又はIである]とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、b)一般式Sim2m+2の少なくとも1のハロゲンシランを、一般式Sim2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
(もっと読む)


【課題】モノシランの精製方法を提供する。
【解決手段】(1)モノシラン及びエチレンを含有する原料から分別蒸留工程を用いて不純物を除去する工程;及び(2)前記工程(1)で精製された原料を活性炭に通過させ、エチレン及び残余不純物を除去する工程;を含むモノシランの精製方法を提供するものである。本発明によると、活性炭を用いて分別蒸留によって分離され難いエチレンを選択的に吸着除去することによって追加副産物の生成無しに、より簡単で効率的に高純度のモノシランを提供できる。 (もっと読む)


【課題】同一工程を多数回繰り返す必要のない簡単な方法によって均一で粒径の大きいシリコンナノ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】カリックスアレーンを含む溶媒中でSi塩を出発原料としてシリコンナノ粒子を合成させる工程、次いで、当該溶媒中で前記シリコンナノ粒子の表面を水素化させてSiの水素化物を形成させる工程、さらに当該溶媒中で前記Siの水素化物と表面修飾化合物とを反応させる工程を含むSiナノ粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高純度のゲルマニウム合金化された多結晶シリコンインゴットを提供すること、並びにその簡単でかつ低コストの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン心棒又はゲルマニウムで合金化されたシリコン心棒に堆積された、ゲルマニウム0.1〜50mol%及びシリコン99.9〜50mol%からなる高純度合金からなり、前記合金は多結晶構造を有する0.5m〜4mの長さ及び25mm〜220mmの直径のインゴット。 (もっと読む)


【課題】中空ガラス球体内に金属水素化物を封入する方法が提供される。
【解決手段】この方法は中空ガラス球体を用意することを含み、中空ガラス球体は内部容積を囲む殻を有する。中空ガラス球体は封室内部に配置され、室は負圧がその中に存在するほど排気される。排気される封室内の中空ガラス球体は殻がそれによって分子を拡散する余地があるほど外界要素に暴露される。ある場合に外界要素は熱、赤外線及びそれらの組合せである。その後は金属水素化物が蒸気の形態で用意され、中空ガラス球体を加えて排気される封室は金属水素化物蒸気にさらされ、金属水素化物の分子は殻を通じて内部容積に拡散する。その後は外界要素が殻を通じた分子拡散を大体禁じられ、中空ガラス球体内の金属水素化物が凝縮状態になるように中空ガラス球体から取り除かれる。 (もっと読む)


【課題】安価なケイ酸ナトリウムを原料とし、噴霧乾燥法を利用した簡易な操作で、微細で均質な多孔性球状シリカゲル粒子を大量に製造する方法を提供すること。
【解決手段】ケイ酸ナトリウムにカルシウム、マグネシウム、アルミニウム等の2価又は3価の金属イオンを含む溶解度の低い塩の飽和水溶液又は過飽和水溶液を添加して混合溶液とし、これを噴霧乾燥することによってシリカゲル粒子を形成できる。さらに、このシリカゲル粒子を酸性溶液中で中和すれば、多孔性球状シリカゲル粒子とすることができる。 (もっと読む)


本発明は、水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式:SiHn1(GeHn2)yによって定義される。式中、yは2,3または4であり;n1は、0,1,2または3であって原子価を満たし;n2は、化合物中の各Ge原子に関して独立に0,1,2または3であって原子価を満たす。
(もっと読む)


本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式:(SiHn1)x(GeHn2)yによって定義される。式中、xは2,3または4であり;yは1,2または3であり;x+yは3,4または5であり;n1は、化合物中の各Si原子に関して独立に0,1,2または3であって原子価を満たし;n2は、化合物中の各Ge原子に関して独立に0,1,2または3であって原子価を満たし;但し、yが1のとき、n2は0ではなく;さらに、xが3、かつ、yが1のとき、n2は2または3であり;さらに、xが2、かつ、yが1のとき、n2は3である。
(もっと読む)


【課題】 希少元素の含有量が少なく、軽量であり、かつ、多量の水素を相対的に低温で吸蔵/放出することが可能な水素吸蔵材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 組成式: (Ca1−xLi)1−zSi(但し、0.25≦x≦0.4、0.38≦z≦0.58)で表される水素吸蔵材料。また、Ca、Li及びSiの比が、組成式: (Ca1−xLi)1−zSi(但し、0.25≦x≦0.4、0.38≦z≦0.58)となるように、CaHと、LiHと、Siとを配合し、配合物を機械的混合プロセスで複合化する複合工程と、該複合工程で得られた水素化物複合体を熱処理する熱処理工程とを備えた水素吸蔵材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 化学式が(HGe)4−xSiHであって、x=0、1、2または3である珪素−ゲルマニウム水素化合物を合成するための方法を提供する。
【解決手段】 該方法は、珪素−ゲルマニウム水素化合物が形成される条件下で、シラン・トリフレートとGeH配位子を有する化合物とを化合させるステップを含む。該GeH配位子を有する化合物は、KGeH、NaGeHおよびMRGeHであってMが第IV族元素でありRが有機配位子である物質からなる群から選択される。該シラン・トリフレートは、HSi(OSOCF4−xまたはHSi(OSO4−xであることができる。該方法は、水素化珪素が形成される条件下でシラン・トリフレートとSiH配位子を含む化合物とを化合させることにより、トリシラン(HSi)SiHおよびイソ−テトラシラン類似物(HSi)SiHを合成するために使用することができる。該シラン・トリフレートは、HSi(OSOCF4−xまたはHSi(OSO4−xであってx =1または2である物質を含むことができる。(HGe)2 SiHを合成するための方法は、(HGe)2 SiHが形成される条件下でHGeSiH(OSOCF)とKGeHとを化合させるステップを含む。 (もっと読む)


1 - 12 / 12