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Fターム[4G072KK09]の内容

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Fターム[4G072KK09]に分類される特許

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【課題】スラグ材料に添加物を加えることによって、シリコン中Bのスラグへの移動速度を高め、復B現象を抑制し、シリコン中のB除去効果を高める方法を提供することを目的とする。
【解決手段】溶融シリコンに、アルカリ金属の酸化物もしくは炭酸塩、または、アルカリ土類金属の酸化物または炭酸塩と、SiOまたはAlからなるスラグ用材料を添加することにより、溶融シリコンの上にスラグ層を形成させて、シリコンを高純度化する方法であって、溶融シリコンの上に、カーボンを基材とした物質とスラグ用材料との混合物を添加することを特徴とするシリコンの精錬方法。 (もっと読む)


【課題】 カーボンナノチューブを細孔内に有するメソ構造体の管状細孔の方向性を、基板表面の異方性に基づく配向規制力を用いて、マクロスコピックなスケールで制御されている構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された、均一な径の管状の細孔が一軸方向に配列した構造を有するメソ構造体膜と、前記メソ構造体膜の細孔内にカーボンナノチューブを有する構造体において、前記カーボンナノチューブが一軸配向を有していることを特徴とするものである。 (もっと読む)


本発明は、当初、0.2 ppma〜10 ppmaのホウ素と0.1 ppma〜10 ppmaのリンを含有する珪素供給原料から、太陽電池用のウエファーを製造するための、指向的に凝固させたチョクラルスキー、フロートゾーン又は多結晶質珪素インゴット又は薄いシート又はリボンを製造する方法に関する。珪素供給原料のホウ素含有量がリン含有量より大きい場合には、溶融珪素に非連続的に、連続的に又は実質的に連続的にホウ素を添加して、指向的凝固プロセス中、溶融珪素中のホウ素含有量をリン含有量より高く保持することにより、p−型材料として凝固する、指向的に凝固させたインゴット又は薄いシート又はリボンの部分を伸長させる。珪素供給原料のリン含有量がホウ素含有量より大きい場合には、溶融珪素に非連続的に、連続的に又は実質的に連続的にリンを添加して、指向的凝固プロセス中、溶融珪素中のリン含有量をホウ素含有量より高く保持することにより、n−型材料として凝固するインゴット又は薄いシート又はリボンの部分を伸長させる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、狭い細孔直径分布を有し且つ細孔を形成する壁材がゼオライト構造である中空シリカマイクロカプセルを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の中空シリカマイクロカプセルは、(A)アルカリ金属の珪酸塩含有水溶液に、有機溶剤及び界面活性剤を混合してW/O型乳濁液を得る工程、(B)得られる乳濁液に、無機酸のアンモニウム塩等を含有する水溶液を混合して、中空シリカマイクロカプセルを形成する工程、(C)アルコール洗浄を行うことなく、中空シリカマイクロカプセルを水洗し、乾燥後、焼成する工程、(D)焼成後の中空シリカマイクロカプセルに構造規定剤含有水溶液を含浸させる工程、(E)構造規定剤含有水溶液を含浸した中空シリカマイクロカプセルを、ゼオライトの結晶化温度まで加熱し、水熱合成反応を行う工程及び(F)水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルから構造規定剤を除去する工程を経て、製造される。 (もっと読む)


水素を、四塩化ケイ素及び/又は塩化水素と、銅等の触媒材料の一種以上の化学気相成長によって表面を変性したシリコンと反応させて、水素含有クロロシランを合成する。 (もっと読む)


【課題】シリカを含有した熱水とシードとを簡単な構造の設備内にて反応させ、高温高圧地熱水から継続的に容易かつ低コストにてシリカを除去、低減可能なシリカ除去装置及びシリカ除去方法及びシリカ粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】熱水中のシリカを除去する方法であって、ケイ酸カルシウムからなるシード18を充填したカラム12に地熱水20を供給し、シード18と地熱水20を反応させて殿物25を下方に沈殿させるとともに、シリカが除去された処理水21をカラム12の上方から排出させることを特徴とする。また、シード18は、ケイ酸カルシウムを構成するSiとCaのモル比Si/Caが0.81以上4.48以下であり、ケイ酸カルシウムを粒度分布させた場合に、粒径が200μm未満の粒子が10%以下、且つ粒径が1000μmより大きい粒子が10%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


本発明のナノ粒子含有複合多孔体は、固体骨格部1aと細孔1bとを有する多孔体1と、無機物質のナノ粒子2とを含む。ナノ粒子2は、互いに凝集することなく、且つ、固体骨格部に化学結合することなく担持されている。ナノ粒子2を有機凝集体3で覆った複合粒子体4として固体骨格部に担持してもよい。有機凝集体3としては、球殻状タンパク質やデンドリマーなどの球状有機凝集体を好適に用いることができる。また、有機凝集体は必要に応じて分解除去してもよい。
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本発明は、高周波帯域において、高い比誘電率を有しつつ誘電損失が低く抑えられた誘電体を提供することを主な目的とする。すなわち、本発明は、無機酸化物の多孔体に導電性粒子が分散してなる複合誘電体であって、 1)1GHz以上の高周波帯域における当該誘電体の比誘電率εrが4以上であり、2)1GHz以上の高周波帯域における当該誘電体の誘電損失tanδが2×10−4以下である複合誘電体及びその製造方法に係る。
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【課題】 平均粒子径がミクロン以上と比較的大きく、しかも粒子密度の低い多孔質シリカ系粒子を製造するための新規な方法および該方法から得られる多孔質シリカ系粒子に関する。
【解決手段】 (a)有機珪素化合物の層と水の層とからなる二層分離液を調合し、次いで該有機珪素化合物層と該水層が完全に混合しない程度に撹拌しながら、前記水層中に有機溶媒、アルカリおよび界面活性剤を添加して、該混合水溶液中で前記有機珪素化合物を部分加水分解および/または加水分解してシリカ系粒子前駆体を調製する工程、(b)前記シリカ系粒子前駆体を含む混合水溶液にアルミン酸ナトリウムを添加して、粒子内部に空孔部または空隙部を有するシリカ系粒子を調製する工程および(c)前記シリカ系粒子を洗浄して乾燥する工程を含むことを特徴とする多孔質シリカ系粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】従来のマイクロフィルター濾材を支持体とし、マイクロフィルター濾材上にボトムアップ方式でナノチューブまたはナノ繊維を直接合成・成長させることにより、従来のナノ繊維製造方法では製造できない直径のナノチューブまたはナノ繊維からなるナノフィルター濾材を製造する方法およびその装置を提供する。
【解決手段】反応器内に設けられたマイクロフィルター濾材を支持体として使用し、ナノ触媒粒子を反応器内に供給して支持体上に付着させ、ナノ触媒粒子上に原料ガス及び反応ガスを供給し、反応器を加熱装置で加熱して、反応器内のナノ触媒粒子からナノチューブまたはナノ繊維を合成・成長させることにより、マイクロフィルター濾材上にナノチューブまたはナノ繊維が合成・成長されたナノフィルター濾材を製造する。 (もっと読む)


【課題】 熱安定性、機械的安定性、耐溶媒性などが良好で、高湿度においても低湿度においてもプロトン伝導性の優れたプロトン伝導性材料を1段階で操作性よく安価に製造することが可能なプロトン伝導性材料の製造方法を提供する。
【解決手段】 3−メルカプトプロピルトリアルコキシシランと、過酸化水素のような酸化剤と、界面活性剤と、必要に応じてテトラエチルオルトシリケートおよび水酸化アンモニウムのような塩基を0〜80℃で反応させることによって1段階で、下記一般式(1): (HO3S-CH2-CH2-CH2-SiO3/2)n(HS-CH2-CH2-CH2-SiO3/2)m(SiO)z ‥(1)
(式中、n=0.35〜0.57、z=0.57以下、n+m+z=1である。)で表されるプロトン伝導性材料を製造する。このプロトン伝導性材料は、燃料電池、キャパシター、電解セルなどの電気化学素子に応用される。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、水熱合成法によって製造される人工水晶の製造方法において、製造される人工水晶のインクルージョン密度を減少させる人工水晶の製造方法を提供することである。
【解決手段】
上記の目的を達成する為に本発明は、水熱合成法により製造される人工水晶の製造方法において、オートクレーブ内の任意の位置に表面の粗い多数の直方体の無機物を、先の直方体の無機物の主面の法線ベクトルが重力と垂直となるように設置し、また、直方体の無機物が鉄系の金属より成ることを特徴として課題を解決する。 (もっと読む)


本発明は少なくとも1種の水素含有化合物で汚染された四塩化珪素または四塩化ゲルマニウムの精製法に関し、前記方法において、精製すべき四塩化珪素または四塩化ゲルマニウムを目的とする方法で、冷たいプラズマを使用して処理し、こうして処理した相から精製した四塩化珪素または四塩化ゲルマニウムを単離する。本発明は更に本発明の方法を実施する装置に関し、前記装置は、四塩化珪素または四塩化ゲルマニウムの貯蔵装置および蒸発装置(4.1または5.1)を有し、これらの装置は接続管により調節装置(4.4または5.4)を有する反応器(4.3または5.3)の入口に接続され、反応器は誘電的に阻止される放電を生じ、その出口はパイプにより直接的にまたは少なくとも1個の他の反応器(5.5)により間接的に凝縮装置(4.5または5.11)に案内され、凝縮装置は下流収集容器(4.6または5.12)を有し、収集容器は排出管(4.6.2または5.12.1)により蒸留装置(4.8または5.13)に接続され、場合により装置(4.1)への供給管(4.6.1)が備えられている。
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