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Fターム[4G072KK11]の内容

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Fターム[4G072KK11]に分類される特許

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【課題】ケイ素の純度が高くなくても電子部品に悪影響を与え難い球状シリカ粉末を得ることができる球状シリカ粉末製造用ケイ素含有合金を提供すること。
【解決手段】火炎中で酸素と反応させて球状シリカ粉末を製造する原料であるケイ素含有合金であって、ケイ素を80質量%以上含有し、(13族元素の含有量)/{(5族元素の含有量)+(6族元素の含有量)+(7族元素の含有量)}の値が質量基準で4以上である。5〜7族元素の含有量に応じて、13族元素を含有させることにより、高い性能を発揮させることが可能になる。5〜7族元素がシリカ粉末中に含有されていると、溶出などのおそれがある。溶出などした5〜7族元素は電子部品に対して望ましくない作用を及ぼすおそれがあるが、所定の比率で13族元素を含有させることにより5〜7族元素における溶出などのおそれを小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、生産フローが短く、汚染が無く、操作が簡単で、原料の獲得が容易で、設備が低廉であるだけでなく連続的な生産が容易である、シリコン化合物SiX或いはシリコン化合物SiXを含有する混合物から直接にシリコンナノ粉末、シリコンナノワイヤー及びシリコンナノチューブのいずれか一種以上を製造する、電気化学的方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、化合物SiX又は化合物SiXを含有する混合物を陰極とし、且つ陽極を設けて、金属化合物の溶融塩を含有する電解質中に設置すると共に、陰極と陽極に間に電圧を印加させ反応条件を制御して、陰極でSiナノ粉末、Siナノワイヤー及びSiナノチューブのいずれか一種以上を製造する、電気化学的方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】広い表面積を有する分枝状ナノワイヤーを容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系ナノワイヤ-50の表面を湿式エッチングし、表面欠陥56を形成する。次いで、シリコン系ナノワイヤー50を脱イオン水または空気中に露出させ、表面に酸化物層52を形成する。この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。この後、シリコン核より分枝状ナノワイヤーを成長させる。本方法によれば、単一形状のナノワイヤーではなく枝が付いたナノワイヤーを製造できる。 (もっと読む)


【課題】シェルが無機酸化物などを含有する多孔質体であり、かつコアが中空であり、たとえば塗料用着色剤などとして有用な中空無機粒子を提供する。
【解決手段】無機酸化物と、粒径1nm〜100nmの金属および金属イオンから選ばれる少なくとも1つの特性付与成分とを含有するスラリーを好ましくは200℃未満の加熱下で噴霧造粒し、シェルが無機酸化物と特性付与成分とを含有する多孔質体であり、かつコアが中空である中空無機粒子を得る。 (もっと読む)


一般式H−(SiH−H(式中、n≧2である)の高級ヒドリドシランの製造方法において、−1種又は複数種の低級ヒドリドシラン−水素、及び−周期律表の第VIII属遷移金属の元素及びランタニドを含む1種又は複数種の遷移金属化合物を、5バールを上回る絶対圧で反応させ、その後減圧し且つ得られた反応混合物から高級ヒドリドシランを分離する、高級ヒドリドシランの製造方法。 (もっと読む)


ケイ素含有触体から流動床反応器内でオルガノハロシランまたはハロシランを製造する半連続法であって、(i)未反応有機ハロゲン化物またはハロゲン化水素流および/またはオルガノハロシランまたはハロシラン生成物流中での水簸および(ii)重力または圧力差法を用いての直接取出し法により当該反応器中で用いられたケイ素含有触体を取り出し、取り出されたケイ素含有触体を流動床反応器に戻し、および/または新しいシリコン含有触体で置換することを含む方法。オルガノハロシラン(例えば、アルキルハロシラン)の生産に用いられる場合、シリコン含有触体はシリコンに加えて触媒および助触媒を含有し得る。 (もっと読む)


【課題】物理的に異なる低次元構造体から構成される装置を受取基板上に製造する方法を提供する。
【解決手段】複数の細長い構造体(7)の各々の物質組成がその長さ方向に沿って変化することにより、細長い構造体内において物理的に異なる第1および第2の部分が形成されるように、第1の基板(3)上に、細長い構造体(5)を形成する工程を含む。物理的に異なる第1および第2の装置(1,2)が細長い構造体中において形成される。物理的に異なる第1および第2の部分は、それらが製造された後に、細長い構造体の中において形成されてもよい。細長い構造体は被覆され、第2の基板(7)に移動されてもよい。物理的に異なる第1および第2の装置(1,2)を共通の基板上に設けることが必要とされる回路基板の形成方法を改善することができる。特に、移動工程は1回だけしか必要とされない。 (もっと読む)


【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約200nm未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも2つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー(LOHN)及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー(COHN)を含む。 (もっと読む)


【課題】高温で熱処理を施すことなく、結晶性の高い良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を調製(S101)したのち、基体の上にポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を用いて塗布膜を形成(S102)し、この塗布膜を加熱する(S103)ことにより、シリコン膜を形成する。これにより、高温で加熱せずに、塗布膜中においてシリコンの結晶化が促進される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ニッケルシリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明のニッケルシリサイドナノワイヤの製造方法は、表面に二酸化珪素層が形成されたシリコン基板を提供する第一ステップと、前記シリコン基板に形成された二酸化珪素層の表面にチタン層を形成する第二ステップと、生長装置を提供し、前記チタン層が形成されたシリコン基板を前記生長装置に置き、該生長装置を500℃〜1000℃に加熱する第三ステップと、前記シリコン基板の表面にニッケルクラスターを形成し、ニッケルシリサイドナノワイヤを生長させる第四ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】ナトリウム系副生成物のリサイクルを可能とし、ナトリウム系副生成物から安定的な成分を有する珪酸ナトリウム溶液を安全に製造し、更に、当該溶液を地盤改良剤、鋳型造型時の粘結剤、古紙の脱墨剤、紙・パルプ漂泊時の過酸化水素の安定剤のうちいずれか1つの薬剤代替が可能な珪酸ナトリウム溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンの純度向上プロセスから副生され、シリコンを含有すると共に珪酸ナトリウムを主成分とするナトリウム系副生成物を、水に溶解させて、前記シリコンを溶解して水素ガスを発生させると共に、珪酸ナトリウム溶液を製造することを特徴とする珪酸ナトリウム溶液の製造方法。 (もっと読む)


本発明は、四フッ化ケイ素原料ガスを1つ以上の精製工程にさらすことにより、四フッ化ケイ素原料ガスを精製する方法であって、精製工程が、四フッ化ケイ素原料ガスをイオン交換樹脂に接触させて酸性の汚染物質を除去する工程と、吸収液体を用いた二酸化炭素の除去と低温蒸留による不活性化合物の除去とにより、四フッ化ケイ素原料ガスを触媒に接触させて一酸化炭素を除去する工程と、を含む精製方法と、四フッ化ケイ素原料ガスから一酸化炭素を除去するのに適した触媒と、そのような触媒を製造する方法とに関する。
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シリコンと塩化水素、又はシリコンの存在下で四塩化ケイ素と水素、及び触媒を反応させることによってトリクロロシランを製造する方法。シリコンと触媒は一緒に積層され、反応の前に粒度を低減される。 (もっと読む)


【課題】従来よりも簡易に、低温で、かつ短時間で粉末およびバルク体の金属ケイ素化物を製造することができる金属ケイ素化物の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、Naの融液または蒸気を付加した状態で、金属とSiとを加熱する。金属およびSiは、それぞれ単独の粉末を混合したもの、それぞれ単独の粉末を混合し圧縮成形したもの、金属のバルク体の上にSiの粉末またはバルク体を接触させたもの、金属のバルク体または粉体、およびSiのバルク体または粉体を同一Na融液に浸したもののうち、いずれか一種類である。金属は、Fe、Mg、Cr、Moから選択される一種類の金属、もしくはそれを主構成金属とする合金であり、得られる主たる金属ケイ素化物は、β−FeSi、MgSi、CrSiまたはMoSiである。更に、加熱温度は、500℃以上、1200℃以下である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、生体に安全で環境負荷が少なく、資源的にも豊富な元素から構成されるシリサイド半導体としてのβ鉄シリサイドを製造する方法を提供する。
【解決手段】還元対象酸化物としての鉄酸化物,シリコン酸化物を主成分とする酸化物原料に鉄シリサイドのβ化促進剤として微量の銅もしくは銅酸化物を混合した後、加熱して溶融状態なった時点で還元剤としてシリコンを投入し、直接溶融還元することによりβ鉄シリサイドを得ることができる。 (もっと読む)


本発明はナノワイヤー成長用システム及び方法に関する。1態様では、1個以上の核生成粒子を堆積した基板材料を反応チャンバーに準備する段階と、基板材料の表面の洗浄を助長するエッチャントガスを第1の温度で反応チャンバーに導入する段階と、核生成粒子を少なくとも第1の前駆体ガスと接触させ、ナノワイヤー成長を開始する段階と、合金液滴を第2の温度まで加熱することにより、核生成粒子の部位にナノワイヤーを成長させる段階を含む、エピタキシャル垂直配向ナノワイヤー成長法を含むナノワイヤー成長及びドーピング方法を提供する。テーパーの小さいナノワイヤーを提供するために、ワイヤーの成長中にもエッチャントガスを反応チャンバーに導入することができる。 (もっと読む)


【課題】ナノワイヤの取り扱い性が良好なナノワイヤ部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材12と、該基材12上に形成されたナノワイヤ10と、を含むことを特徴とするナノワイヤ部材である。SiおよびFeを含有する基材上にGaを介在させ、650℃以上で加熱処理を施すことを特徴とするナノワイヤ部材の製造方法である。 (もっと読む)


基板上に非触媒金属アイランドを形成し、該非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属ドーナッツを形成し、該触媒金属ドーナッツ上にシリコンナノチューブを成長させてシリコンナノチューブを製造する。これにより、該触媒金属ドーナッツを利用してシリコンナノチューブを効果的に成長させることができる。
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【課題】素子の実現が容易であり且つ構造による効率の改良が可能な、シリコンナノワイヤーの製造方法、及びこれにより形成されたシリコンナノワイヤーを含む素子の提供。
【解決手段】並列に配置された、複数のワイヤー状気孔を含む多孔性ガラステンプレートにエルビウムまたはエルビウム前駆体をドープする段階と、前記エルビウムまたはエルビウム前駆体がドープされたガラステンプレートを、前記ワイヤー状気孔の一方の開口部が面するように金属触媒層が形成された基板上に配置する段階と、前記ガラステンプレート内の気孔に沿ってシリコンナノワイヤーを形成して成長させる段階とを含む、シリコンナノワイヤーの製造方法を提供する。 (もっと読む)


還元剤、好ましくは、炭素質の作用物質の存在下で、水溶液中で予備精製したシリカの還元を用いる、光電池に適する高純度シリコンの調製方法であって、前記予備精製したシリカが光電池に適する少量のホウ素を有する方法が開示される。

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