説明

Fターム[4G072KK11]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 添加剤・触媒 (693) | 金属元素 (57)

Fターム[4G072KK11]に分類される特許

1 - 20 / 57


【課題】低湿度下でも高湿度下でも吸湿率が高いシリカゲル及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】全細孔容積が0.45〜1.0cm/gであり、且つ、細孔直径2.5nm以下の領域に細孔分布のピーク(最大値)が存在することを特徴とするシリカゲル。珪酸アルカリ水溶液に鉱酸水溶液を加えて、pH10.5〜11.5でゾルを形成後、ゲル化させて、熟成前シリカヒドロゲルを得るゲル化工程と、該熟成前シリカヒドロゲルを、pH4〜7で一次熟成し、一次熟成シリカヒドロゲルを得る一次熟成工程と、該一次熟成シリカヒドロゲルを、pH0.5〜2で二次熟成し、二次熟成シリカヒドロゲルを得る二次熟成工程と、該二次熟成シリカヒドロゲルを乾燥し、シリカゲルを得る乾燥工程と、を有することを特徴とするシリカゲルの製造方法。 (もっと読む)


【課題】結晶性が高く、微細であり、しかも不純物量の少ないMg2Si微粒子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】比表面積が30m2/g以上であり、Mg2SiのXRD最強線強度(IMg2Si)に対するSiのXRD最強線強度(ISi)の比(=ISi×100/IMg2Si)が5.0%以下であるMg2Si微粒子。このようなMg2Si微粒子は、Na−Si系化合物及びMgのハロゲン化物、並びに、必要に応じてNaを、Mg/Si比(モル比)が2以下となり、かつ、Na/Si比(モル比)が1以上9以下となるように配合し、配合物を、0.7Tmin以上Tmin未満の温度(但し、Tminは、前記Na−Si系化合物の融点、共晶点、及び分解温度の内の最も低い温度)で加熱し、反応物を溶媒で洗浄し、未反応原料及び副生成物を除去することにより得られる。 (もっと読む)


【課題】配管閉塞等を生じさせることなく、塩化アルミニウムを効率的に除去する。
【解決手段】金属シリコンとテトラクロロシラン、水素を反応させて、その反応ガスを凝縮した後、その凝縮液を粗蒸留塔13及び二次蒸留塔15を有する蒸留系7で蒸留してトリクロロシランを精製するトリクロロシラン製造方法において、凝縮液中の塩化アルミニウム濃度が飽和溶解度以下となるように高温状態に維持し、その高温状態に維持したまま凝縮液を粗蒸留塔13まで流通させ、粗蒸留塔13において留出する液を二次蒸留塔15で蒸留してトリクロロシランを精製するとともに、粗蒸留塔13の底部より塩化アルミニウムが濃縮した液を抜き出し、その抜出し液を濃縮、乾燥させて塩化アルミニウムを含む固形物を排出する。 (もっと読む)


【課題】不純物濃度が低い多結晶シリコン焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン焼結体の製造方法は、シリコン粉末と成形助剤とを含む成形体をシリコンの焼結温度で焼成することを具備している。この成形助剤は、前記焼結温度における蒸気圧が10−1atm以上である、金属、合金、酸素及び炭素原子を実質的に含有していない金属化合物、又はこれらの混合物である。 (もっと読む)


【課題】本発明では、被表面処理部材の材質および形状を問わず、所望の位置に微細構造体を形成することができる、被表面処理部材の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被表面処理部材に対する表面処理方法であって、(a)被表面処理部材を準備するステップと、(b)シリコン系高分子を含む表面処理剤を調製するステップと、(c)前記被表面処理部材の少なくとも一部に、前記表面処理剤を設置するステップと、(d)触媒を含み、ガス流が存在する環境下において、前記表面処理剤が設置された被表面処理部材を800℃以上の温度で焼成することにより、ケイ化物の繊維状構造体を形成するステップであって、前記ガス流は、前記被表面処理部材の表面積50mあたり0.01L/min以上の流量で供給されるステップと、を有する表面処理方法。 (もっと読む)


【課題】例えば、太陽電池の光起電力の電力素子をはじめ、充放電による膨張と収縮を繰り返し受けた場合であっても粉末化しがたいことからリチウム電池の負極材料などに有用である、アルミニウムの混入がない高純度を有するシリコンナノワイヤーを低温で製造することができるシリコンナノワイヤーの製造方法を提供すること。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中で亜鉛の存在下で四塩化ケイ素を450〜600℃の温度に加熱することを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。 (もっと読む)


【課題】回収シリコンくず、特に酸化珪素及び炭化珪素を含む回収シリコンくずからシリコンを効率的に再生して回収するシリコン回収方法を提供することを目的とする。また、回収シリコンくずをそのまま利用可能なフェロシリコンに再生させるシリコン回収方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るシリコン回収方法は、溶融スラグの基に、酸化珪素、または、酸化珪素及び炭化珪素を含む回収シリコンくずをアーク放電により再溶解し、シリコンに再生させるシリコン回収方法であって、前記溶融スラグの温度が1750℃以上で再溶解を行うことにより実施される。 (もっと読む)


【課題】生産効率の良いSi系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素系るつぼ12、または、炭素系サセプタ16内に配置した耐熱ガラスるつぼ18内に純Siまたは純Siおよび下記合金原料Xを投入し、高周波誘導加熱により炭素系るつぼ12または炭素系サセプタ16を加熱して、るつぼ12、18内の純Siまたは純Siおよび下記合金原料Xを溶解し、溶湯14を得る工程と、合金原料X:長周期型周期表の2A族元素、遷移元素、2B族元素、3B族元素、および、4B族元素から選択される1または2以上の元素、アトマイズ法またはロール急冷法を用いて、溶湯14からSi系材料を得る工程とを有する製造方法とする。 (もっと読む)


アルミニウム含有シリコンの精製方法が提供され、アルミニウム含有シリコンを加熱し、溶融アルミニウム含有シリコンを形成する工程、カルシウム、酸化カルシウム、及び炭酸カルシウムからなる群から選択されるカルシウムの供給源、及び任意でシリカを該アルミニウム含有シリコンに添加する工程と、該溶融アルミニウム含有シリコンを酸素に曝露し、精製シリコン及び副生スラグを製造する工程とを具え、該精製シリコンは前記アルミニウム含有シリコン中のアルミニウムの量より少ない量のアルミニウムを含有する。
(もっと読む)


高純度シリコンを製造するためのプラズマ蒸着装置は、高純度シリコンを蒸着させるチャンバと、少なくとも1つの誘導結合プラズマトーチとをそなえ、チャンバは、その上端を実質的に形成する上部と、上端と下端とを有する1つ又はそれ以上の側部であって、上部が1つ又はそれ以上の側部の上端を実質的に密封的に接合する側部と、チャンバの下端を実質的に形成し、1つ又はそれ以上の側部の下端を実質的に密封的に接合する基部とを含み、少なくとも1つの誘導結合プラズマトーチは、チャンバの上部に配置され、実質的に垂直な位置に向けられて上部から基部に向かう下向きのプラズマフレームを生成し、プラズマフレームが、1つ又はそれ以上の反応剤を反応させて高純度シリコンを生成するための反応区画を形成する。さらに、溶融シリコンを収集する方法も提供する。 (もっと読む)


本発明は、触媒を含む水素化脱塩素反応器内での、水素を用いた四塩化ケイ素の変換のための改善された方法に関する。本発明は、さらに、かかる水素化脱塩素反応器のための触媒系に関する。 (もっと読む)


【課題】繊維状多結晶Siを製造する方法、及び、当該方法により製造される繊維状多結晶Siを提供する。
【解決手段】Siとアルカリ金属を主成分として含む混合融液より糸状物を紡糸する行程と、当該紡糸された糸状物からアルカリ金属を蒸発させて除去する行程を有する繊維状多結晶Siの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】改善された破砕挙動を有する高純度シリコンからなる直径>100mmを有する多結晶シリコンロッドを提供し、破砕に関連するシリコン破砕破片の汚染を大きく減らし、そして不所望な寸法を有するシリコン破砕破片の割合を減らす。
【解決手段】ロッド直径>100mmを有するロッド状の多結晶シリコンの製造にあたり、シーメンス法によりケイ素含有ガスを用いた析出を採用し、該シリコンロッドを、析出法の終わりに反応器中で冷却の間に水素と接触させ、その際、水素流量及び/又は水素圧力を、この流量及び/又は圧力で、析出温度の保持に必要な出力が析出の終わりの出力の少なくとも50%であるが、1mのロッド長あたり5kWを下回らず、かつ冷却されたシリコンロッドが、垂直な断面において亀裂及び/又は少なくとも1・10-4cm-1の大きさの放射状張力を有するように選択する。 (もっと読む)


本発明は、金属溶媒を使用して物質を精製する方法に関する。本発明は、カスケードプロセスを利用してシリコンを精製する方法を含む。カスケードプロセスでは、シリコンが精製プロセスを進行するにつれて、反対方向にプロセスを進行して徐々に純粋になる溶媒金属と接触する。

(もっと読む)


一般式RnCl4-nSiのクロロシランを、金属酸化物をベースとする担体上の、亜鉛および/または亜鉛を含有する合金の触媒量の触媒(K)の存在下に水素ガスと反応させることにより、一般式RnCl3-nSiHのハイドロジェンシランを製造する方法[上記式中でRは両方の式において、同時に、かつ相互に無関係に水素を表すか、1〜18個の炭素原子を有する置換されているか、もしくは非置換であってよい炭化水素基を表し、かつnは1〜3の値をとることができる]。 (もっと読む)


【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】種類の異なる元素Aと元素Mとを含み、前記元素AがSi、Sn、Al、Pb、Sb、Bi、Ge、InおよびZnからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素であり、前記元素MがCu、AgおよびAuからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素であり、前記元素Aの単体または固溶体である第1の相と、前記元素Aと前記元素Mとの化合物または前記元素Mの単体もしくは固溶体である第2の相を有し、前記第1の相と前記第2の相の両方が外表面に露出し、前記第1の相と前記第2の相が球形状であることを特徴とするナノサイズ粒子と、ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 (もっと読む)


【課題】機械的強度が強く、かつ比表面積も大きなシリカ系材料であって、しかも化学的安定性に優れたシリカ系材料を提供すること。
【解決手段】本発明は、ケイ素と、アルミニウムと、鉄、コバルト、ニッケル及び亜鉛からなる群より選択される少なくとも1種の第4周期元素と、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素及び希土類元素からなる群より選択される少なくとも1種の塩基性元素と、を、前記ケイ素と前記アルミニウムと前記第4周期元素と前記塩基性元素との合計モル量に対して、それぞれ、42〜90モル%、3〜38モル%、0.5〜20モル%、2〜38モル%、の範囲で含有するシリカ系材料を提供する。 (もっと読む)


【課題】Si結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化がおこらない高品質な太陽電池用のSi結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ドープ元素としてGaとGeとを含有し、チョクラルスキー法またはキャスト法で製造される。ドープ元素として、Bを含有していてもよい。Gaの濃度は2×1014atoms/cm以上、3×1018atoms/cm以下の範囲であり、Geの濃度は1×1015atoms/cm以上、2×1020atoms/cm以下の範囲であることが好ましい。Gaを単独で添加したときの結晶(a)に比較してGaとGeとを添加した結晶(b)は、V字模様で表されるFPD(Flow Pattern Defect)の密度が低下する。 (もっと読む)


【課題】バイオスクリーニングにおいて標的物質を回収するために用いる構造体であって、加工性が高くまたは融点が低くかつ密度が小さなシリコンを用いて、表面積が大きくかつ磁気特性を帯びたシリコン構造体を提供する。
【解決手段】基材11と、基材11のシリコンを主成分とする表面に直接接合された二酸化珪素を主成分とする複数の繊維状突起物12とを備えたシリコン構造体10であり、繊維状突起物12に磁性体を担持させた。二酸化珪素からなる複数の繊維状突起物12を互いに絡み合うように密集して形成させることにより、表面積を増大しかつ、繊維状突起物12に磁性体13を担持させることにより磁気分離が可能で高効率な回収を可能とする。 (もっと読む)


【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約200nm未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも2つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー(LOHN)及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー(COHN)を含む。 (もっと読む)


1 - 20 / 57