【課題】高い充放電容量を有するリチウムイオン二次電池を得ることが可能であるとともに、空気や水と反応して発火することがなく取り扱いが容易であって工業的実用性が高い、リチウムイオン二次電池用負極材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】リチウムを含有する珪素酸化物粉末を、Ｃｕ−ｋα線源でのＸ線回折（ＸＲＤ）において、２θ＝２２．１°±０．２°、２８．４°±０．２°、４０．５°±０．２°、５６．２°±０．２°におけるピークの面積強度を夫々Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄとしたとき、０．０１＜Ｂ／Ａ＜５．０、Ｃ／Ａ＜１．０、Ｄ／Ａ＜１．０を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ異物が少なく、高品質かつ大きなサイズの多結晶シリコンインゴットを製造することができる、多結晶シリコンインゴット製造装置を提供すること。
【解決手段】上方開口部を有する坩堝と、前記坩堝の外周に設けられて坩堝内に収容されたシリコン原料を加熱し溶融する加熱部と、前記坩堝と前記加熱部とを相対的に上下方向に移動させる移動機構と、不活性ガス導入孔を有すると共に前記坩堝の上方開口部を開閉可能に覆うカバーと、前記不活性ガス導入孔へ不活性ガスを導入する不活性ガス導入管とを備えたことを特徴とする、多結晶シリコンインゴット製造装置。 （もっと読む）

【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層２を利用して、複数のシリコン粒子３４が前記核形成促進層２上にシリコン融液３２から核形成するとともに、シリコン融液３２を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。 （もっと読む）

【課題】凝固偏析により金属融液から得られた精製塊中の不純物濃度を簡易にスクリーニングし得る金属精製塊の検査方法、それを含む高純度金属の製造方法およびその用途を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含む金属融液に精製塊支持体を接触させ、次いで凝固偏析により前記精製塊支持体の表面に析出させた前記金属融液の金属精製塊に含まれる不純物濃度により規定される前記金属精製塊の良または不良を、前記金属精製塊外周面の表面状態に基づいて検査することを特徴とする金属精製塊の検査方法により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】 珪素の高い初期効率と電池容量を維持しつつ、サイクル特性に優れ、充放電時の体積変化を減少させた非水電解質二次電池の負極用として有効な活物質としての珪素粒子からなる負極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極活物質の製造方法であって、金属珪素を原料とした電子線蒸着法により、温度を８００−１１００℃に制御した基板上に、１ｋｇ／ｈｒを超える蒸着速度で、蒸着膜厚が２−３０ｍｍの範囲で珪素を堆積させる工程と、該堆積させた珪素を粉砕・分級して、前記負極活物質を得る工程とを含むことを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の濃度のポリシリコン溶液を直接製造することができ、ポリシリコンの製造に必要な時間とコストを大幅に短縮することができるソーラーグレードポリシリコンの真空循環精錬装置及びソーラーグレードポリシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】真空脱ガス炉と、循環法真空処理炉とからなる。真空脱ガス炉は、真空室と、シリコン収容部と、希ガス取り込み装置と、からなる。その内、真空室は、第一真空ノズルと、結合孔とを備える。シリコン収容部は、真空室内に設けられるとともに、結合孔の下方に配置される。希ガス取り込み装置は、シリコン収容部に設けられる。循環法真空処理炉は、第二真空ノズルと単一ノズル連通管とからなり、前記単一ノズル連通管は、前記結合孔を介して前記シリコン収容部に差し込まれる。 （もっと読む）

【課題】処理剤を用いて溶融シリコン中の不純物を除去する際、処理剤を無駄なく利用することができ、処理剤と不純物とを効率的に反応させることが可能な、シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】系内の溶融シリコンの液面よりも下方から処理剤を導入する、導入工程と、溶融シリコン中の不純物と処理剤とを反応させ、不純物を系外に除去する、除去工程とを有する、シリコンの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を利用し、高機能材料となる金属シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属シリコンの製造方法は、珪藻土の細孔内部に、炭素物質、難分解性有機塩素化合物又は有機物を混合又は吸収させ、不活性ガス、水素ガス、窒素ガス、空気又は真空雰囲気下で加熱することにより、炭素源と二酸化珪素の接触面積を増大させ、効率よく金属シリコンを製造することができる。また、前記有機物が、使用済珪藻土濾過助剤に充填された有機物である。 （もっと読む）

【課題】サイクル特性及び充放電容量が向上させることが可能であり、活物質層に適用可能なシリコン膜の作製方法を提供する。また、当該シリコン膜を用いた蓄電装置の作製方法を提供する。
【解決手段】導電層上に、ＬＰＣＶＤ法により、結晶性を有するシリコン膜を形成し、原料ガスの供給を停止し、当該原料ガスを排気すると共に、当該シリコン膜を加熱処理し、当該原料ガスを反応空間に供給し、ＬＰＣＶＤ法で当該シリコン膜をウィスカー形状に成長させることである。また、ウィスカー形状に成長させたシリコン膜を負極に含まれる活物質層に用いて蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】炭素や酸素等の不純物を含有するシリコン粉末から、それを放電プラズマ焼結法によって焼結するだけでは達成できない高純度なシリコン材料を得ることができるシリコン製造方法を提供する。
【解決手段】放電プラズマ焼結法によりシリコン粉末を焼結させた後（ステップＳ０２〜ステップＳ０４）、その焼結したシリコン粉末を容器内で溶融させて（ステップＳ１１〜ステップＳ１２）、高純度なシリコン材料の溶融体（例えば、不純物濃度がｐｐｍオーダーの溶融シリコン）を生成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、微細であり、しかも不純物量の少ないＭｇ₂Ｓｉ微粒子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】比表面積が３０ｍ²／ｇ以上であり、Ｍｇ₂ＳｉのＸＲＤ最強線強度（Ｉ_Mg2Si）に対するＳｉのＸＲＤ最強線強度（Ｉ_Si）の比（＝Ｉ_Si×１００／Ｉ_Mg2Si）が５．０％以下であるＭｇ₂Ｓｉ微粒子。このようなＭｇ₂Ｓｉ微粒子は、Ｎａ−Ｓｉ系化合物及びＭｇのハロゲン化物、並びに、必要に応じてＮａを、Ｍｇ／Ｓｉ比（モル比）が２以下となり、かつ、Ｎａ／Ｓｉ比（モル比）が１以上９以下となるように配合し、配合物を、０．７Ｔ_min以上Ｔ_min未満の温度（但し、Ｔ_minは、前記Ｎａ−Ｓｉ系化合物の融点、共晶点、及び分解温度の内の最も低い温度）で加熱し、反応物を溶媒で洗浄し、未反応原料及び副生成物を除去することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンからボロンを除去する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ボロンを含有する金属シリコン粉末を還元性雰囲気下、１３００℃以上で熱処理することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。前記金属シリコン粉末は、例えば（ａ）ボロンを含有する金属シリコンを非酸化性雰囲気下でアトマイズすることにより調製されるか、又は（ｂ）表面が１３００℃以上で酸化された金属シリコン粉末であることが好ましい。また、前記還元性雰囲気での熱処理温度が１４１４℃以下であることが好ましい。前記（ａ）の場合において、非酸化性雰囲気は、不活性ガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンから速い速度でボロンを除去する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ボロンを含有する金属シリコン多孔質体にプラズマを照射して溶融し、非酸化性雰囲気で冷却することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。前記金属シリコン多孔質体は、充填率が６０％以上であること、金属シリコン粉末を還元性ガス雰囲気下で焼結することによって調製されること、又は金属シリコン粉末を８００℃以上で焼結することによって調製されること、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンから速い速度でボロンを除去する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、水素、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも１種と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによってジェット流を形成しておき、このジェット流にボロンを含有する金属シリコン粉末を供給することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。本発明において、水素と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによって形成されるジェット流の中流に、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも１種を供給することも好ましい。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコン系クラスレートを安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系クラスレートの製造方法は、Ｓｉ粉末とＧｅ粉末とＮａとを混合して６５０℃以上の温度で加熱し、ＳｉとＧｅとＮａとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたＳｉとＧｅとＮａとからなる化合物を、１０^−２Ｐａ以下の陰圧下で３００℃以上４５０℃以下の温度により２時間以上７２時間以下加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ｇｅ粉末は、Ｓｉ粉末とＧｅ粉末の総モル数に対する割合が１モル％以上２０モル％以下となるように使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】帯状の基板を搬送しつつ連続的に活物質層の形成と、リチウムの付与を行なうにあたって、単一の真空容器内で差圧構造を設けて、両処理を安定して実施できる生産性に優れたリチウム二次電池用負極の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】真空中で、帯状の基板の表面上に、負極を形成するリチウム二次電池用製造装置は、活物質形成エリア１０とリチウム付与エリア５０の間にスリット部を設けて分離された差圧構造であり、基板４を搬送する搬送機構と、搬送機構によって保持されている基板の表面上に、蒸着可能領域５内で活物質層を形成するための活物質形成手段と、リチウム付与可能領域５５内でリチウムを付与するためのリチウム付与手段と、活物質層を酸化するガスノズル２２と、圧力を制御するガスノズル６２とを収容する真空容器１と、を有する。 （もっと読む）

【解決手段】一方向凝固法により金属ケイ素を精製する方法であって、溶融した金属ケイ素を撹拌翼により最大線速５０ｃｍ／ｓｅｃ以下で撹拌しながら一方向凝固する金属ケイ素の精製方法。
【効果】遠心法や沈降法等の他の工程を特に行わないで一方向凝固法だけでも金属ケイ素中の炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化カルシウム等の不純物を効率よく低減することができる。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、かつ放充電時体積変化が抑制されたシリコン二次粒子を提供すること。
【解決手段】５０〜１００ｎｍ粒径のシリコン微粒子を核とし、該核の周囲にアモルファスグラファイトのカーボンシェルが形成された被覆シリコン微粒子が凝集してなる、シリコン二次粒子。このシリコン二次粒子は、５０〜１００ｎｍ粒径のシリコン微粒子０．１〜１．０質量部が１００質量部の純水にコロイド状に浮遊する上澄みを有する溶液を調製し、上澄みに、０．３〜３．０質量部のアニリンを添加し溶解させ、５〜２０質量部の過酸化水素水を添加し、攪拌しながらシリコン微粒子を核としてアニリンを重合させて、周囲にポリアニリンシェルが形成されたシリコン微粒子を製造し、シリコン微粒子を凝集させて二次粒子を製造し、乾燥させた後、６５０〜７５０℃で焼成し、ポリアニリンシェルをカーボンシェルに変性させることによって得ることができる。 （もっと読む）