【課題】本発明は、生成する金属Ｓｉの収率を落とさず、かつ作業効率を落とさずに、太陽電池や化学製品などを製造するための原料となる高純度金属Ｓｉを製造可能な高純度金属Ｓｉの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】アーク炉１内に原料７としてのＳｉＯ_２を主成分とするシリコン鉱石並びにＳｉＣ及び炭素系還元剤を含有した還元剤を供給し、ＳｉＯ_２を還元することにより、金属Ｓｉ９を製造する方法であって、この還元剤の全量を１００％とした場合に、前記還元剤中のＳｉＣ量をモル比で２０〜８０％とすると共に、残部を炭素系還元剤とし、且つ、前記還元剤中に含まれるＰおよびＢの合計量を２０質量ｐｐｍ以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱交換器を通過した後のテトラクロロシランおよび水素の温度に熱変動が生じた場合でも、高い転換効率でトリクロロシランを製造することができるトリクロロシランの製造方法を提供する。
【解決手段】金属シリコンとテトラクロロシランおよび水素を含む混合ガスを反応させてトリクロロシランを製造する方法であって、反応により生じたガスと混合ガスとを熱交換させる熱交換工程と、熱交換した前記混合ガスをその反応温度以下まで金属製ヒーターにより加熱する加熱工程と、加熱工程により加熱された混合ガスを反応可能な温度に発熱させたカーボン製ヒーターに接触させて加熱する事前転化反応工程と、前記事前転化反応工程により加熱された混合ガスと金属シリコンとを反応させてトリクロロシランを含む反応ガスを生成する転化反応工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高圧化・高負荷化・高速化された反応系においても、ポップコーンの発生が抑制され、高純度な多結晶シリコン棒を安定的に製造するための技術を提供すること。
【解決手段】本発明では、シリコン芯線上にシリコンを析出させて多結晶シリコン棒を得る多結晶シリコンの製造方法において、析出反応の初期段階（前段工程）では原料ガスを反応炉に大量に供給することにより反応速度を上げることはせず供給する原料ガスの濃度を高濃度とすることにより反応速度を上げ、当該前段工程の後の後段工程では反応炉内に原料ガスを高速で吹き込むことにより生じる高速強制対流の効果を利用してポップコーンの発生確率を低く抑えることとした。これにより、高圧化・高負荷化・高速化された反応系においても、ポップコーンが少なく、かつ、高純度な多結晶シリコン棒を、生産効率を低下させることなく製造することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高ＥＷ（又は、低ＩＥＣ）で、かつ、無加湿条件下においても高いプロトン伝導度を示す電解質を提供すること。
【解決手段】シラノール基又はその前駆体からなる親水性基の縮重合により形成されるシリカ層と、シリカ層の内表面を修飾する有機スルホン酸基とを備え、その内部に界面活性剤の除去に由来する細孔を持たない緻密体からなる電解質。このような電解質は、シラノール基又はその前駆体からなる親水性基と有機スルホン酸基の前駆体からなる疎水性基とを備えた両親媒性分子を含む溶液中に、必要に応じて親水性基を備えたＳｉＯ₂源を添加し、溶液中において両親媒性分子を自己組織化させ、親水性基を縮重合させることにより得られる。 （もっと読む）

【課題】ボロン含有量を制御することができる球状シリカ粒子の製造方法の提供。
【解決手段】原料シリコン粒子と酸素とを反応させて球状シリカ粒子の製造方法である。ボロン含有量がシリカの質量を基準として下限０ｐｐｍ、上限３０ｐｐｍに含まれる所定範囲に含まれる粗シリコン粒子中に含有するボロン量を制御する。ボロン含有量を小さくすることにより、樹脂との密着性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ製造用シリコンインゴットを砥粒として炭化ケイ素又はダイヤモンドを用いた砥粒方式により切削する際に発生する砥粒含有廃シリコンの処理物から高い収率でハロシランを製造する方法を提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素又はダイヤモンドからなる砥粒を含有する廃シリコン処理物を用いる方法であって、砥粒含有廃シリコンスラリーから砥粒を主成分とする固形分を分離することなくハロゲン化水素と反応させるハロシランの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法により多結晶シリコンを製造する際のシリコン芯線の効率的な加熱を実現し、シリコン芯線へのダメージを軽減するとともに、カーボンヒータの寿命を延ばし得る技術を提供すること。
【解決手段】水素ガス気密テスト完了後に一旦炉内圧力を所定の値にまで下げ、多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低い炉内圧力下でシリコン芯線を通電加熱する。シリコン芯線１２のバルク温度は、カーボンヒータ１４からの輻射熱量、シリコン芯線１２から雰囲気ガスへの対流伝熱量、シリコン芯線ホルダへの伝導伝熱量、ベルジャ１やベースプレート５への輻射熱量等のバランスによって決まり、入熱量が不変でも出熱量が低下すればシリコン芯線１２のバルク温度は上昇する。本発明においては、シリコン芯線１２の表面から対流により奪われる熱量を抑えるため、初期加熱工程時の炉内圧力を多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低く設定する。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池用正極材料として有用であり、新規なリチウムシリケート系材料を提供する。
【解決手段】Li_1.5FeSiO_4.25で表されるリチウムシリケート系化合物。リチウム（Li）と、鉄（Fe）と、シリコン（Si）と、酸素（O）とからなるリチウムシリケート系化合物であり、組成式：Li_1+2δFeSiO_4+δ-C(-0.25≦δ≦0.25、0≦C≦0.5)で表されることを特徴とするリチウムシリケート系化合物。鉄(Fe)が三価に存在できるので、Li₂FeSiO₄に比べて化学的安定性に優れている。 （もっと読む）

【課題】粗面の割合が低い、高純度シリコンからの多結晶ロッドを、より経済的に製造する。
【解決手段】反応器壁、少なくとも２０本のフィラメントロッド、並びに反応器チャンバー内での反応ガス用のガス取り込み口を有する反応器チャンバーを包含する、多結晶シリコンを析出させるための装置であって、その際、各々のフィラメントロッドには、反応器壁付近のフィラメントロッドを除いて、１５０〜４５０ｍｍの間隔で、更に別の３本の隣接するフィラメントロッドと、１つ乃至３つの隣接するガス取り込み口とが存在している、多結晶シリコンを析出させるための装置によって解決される。 （もっと読む）

【解決課題】反応炉内に析出した多結晶シリコンの反応炉内からの取り出しが容易であり、製造効率が高い多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内で四塩化珪素と亜鉛を反応させて、反応炉内に多結晶シリコンを生成させる第一工程と、９０７〜１２００℃で、該反応炉内に、四塩化珪素のみを供給するか、又は四塩化珪素に対する亜鉛のモル比が、該第一工程でのモル比よりも小さくなる供給量で、四塩化珪素及び亜鉛を供給する第二工程と、該反応炉内の温度が８００℃以上で、反応炉内を不活性ガス雰囲気にし、次いで、多結晶シリコンを、８００℃以上の反応炉内から、該反応炉に繋がる不活性ガス雰囲気の冷却空間へ移動させることにより、多結晶シリコンを反応炉内から反応炉外へ取り出し、冷却する第三工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面移行性を維持しつつ塗膜形成時の面状欠陥が少なく、また層間の密着性が良好な塗料組成物、および前記塗料組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも下記の原料（ａ）〜（ｅ）を含む分散液を、下記条件１，２を共に満たす反応温度の下で原料（ｂ）の残存率が２０％以下、原料（ｃ）の残存率が５０％以下となるまで反応させるポリマー修飾無機粒子の製造方法。原料（ａ）被修飾無機粒子、原料（ｂ）下記式（Ｉ）で表されるシリコーン化合物、Ｘ−Ｒ^１−ＳｉＲ^２_ｎ（ＯＲ^３）_３−ｎ・・・（Ｉ）、原料（ｃ）少なくとも１つのフルオロ化合物含有基と反応性二重結合とを有するフッ素化合物、原料（ｄ）加水分解触媒、原料（ｅ）ラジカル重合開始剤。条件１：原料（ｂ）の残存率が５０％となる時間が１０〜８０分、条件２：原料（ｃ）の反応率が５０％に達する時間が１５〜６０分。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯線の初期通電時の通電傷の発生を防止し、反応初期段階におけるシリコン芯線の倒壊トラブルを防止すること。
【解決手段】２対のシリコン芯線１２の間にはバイパス回路１７が設けられており、スイッチ１６をＢ端子側に接続することにより、２対のシリコン芯線１２を直列に電源１５に接続可能である。スイッチ１６をＡ端子側に切り替えることで、１対のシリコン芯線（左側）のみを電源１５に接続することもできる。先ず、カーボンヒーター１３からの輻射Ｒにより２対のシリコン芯線を２００℃〜４００℃に加熱してする。その後、左側のシリコン芯線１２のみに通電する状態（半通電状態）として初期印加電圧を加える。このような通電開始により左側のシリコン芯線は自己発熱してその温度が上昇し抵抗率は低下する。この通電開始の後に、左側のシリコン芯線と右側のシリコン芯線を直列に接続し（全通電状態）、２対のシリコン芯線に通電する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー密度の高い蓄電装置の構造および作製方法を提供する。
【解決手段】空気極の構造を、第１の集電体と、第１の集電体に接して設けられた凸状構造物を有する第２の集電体と、１層以上１００層以下のグラフェン膜を有する触媒層と、を備える構造とする。これにより、まず、第２の集電体の効果により空気極の表面積を飛躍的に増大させることが可能となる、そして、グラフェン膜は貴金属などの触媒を用いことなく触媒反応を発現できるため、第２の集電体上に触媒層を備える構造とすることにより、蓄電装置のエネルギー密度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】モノシランガスの原料であるシリサイドを安定かつ安価に提供する。
【解決手段】炭素-珪素化合物をマグネシウム含有金属存在下で加熱する。 （もっと読む）

【課題】 流動性を大幅に改善した粉体のキトサン組成物を製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ酸塩を含有する第１水溶液と、キトサンの酸水溶液である第２水溶液と、を混合し、第１の懸濁液を形成する第１ステップと、第１ステップにより形成された第１の懸濁液とカチオン性界面活性剤とを混合し、カチオン性界面活性剤に接触したキトサン−ケイ酸複合体を含む第２の懸濁液を形成する第２ステップと、を含んでなる、キトサン−ケイ酸複合体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高純度のシリカを、簡易にかつ低コストで製造しうる方法を提供する。
【解決手段】（Ｂ）液分中のＳｉ濃度が１０．０質量％以上のケイ酸アルカリ水溶液と１０．０体積％以上の濃度の鉱酸を混合して、液分中のＳｉを非ゲル状の沈降性シリカとして析出させるシリカ回収工程と、（Ｃ）工程（Ｂ）で得られたＳｉＯ_２を含む固形分と鉱酸を混合する酸洗浄工程と、（Ｄ）工程（Ｃ）で得られたＳｉＯ_２を含む固形分と水道水を混合する水道水洗浄工程と、（Ｅ）前工程で得られたＳｉＯ_２を含む固形分とイオン交換水を混合するイオン交換水洗浄工程と、を含む高純度シリカの製造方法。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシランの分解とポリマーの生成を抑制し、ポリマー除去作業の負担が少なく、トリクロロシランの回収率が高いトリクロロシラン製造装置を提供する。
【解決手段】反応ガスを流通させ、前記反応ガス流通方向上流側が下流側よりも高くなるように配列された複数の伝熱チューブと、前記伝熱チューブを収容して内部に冷却媒体を流通させる円筒状のシェルと、前記伝熱チューブの両端をそれぞれ保持しながら前記シェルの両端を閉鎖する上流側チューブプレートおよび下流側チューブプレートと、内部に冷却媒体を流通させる空間が形成された二重壁構造を有し、前記上流側チューブプレートの上流側を覆い前記伝熱チューブに連通する供給室を形成する上流側ドームと、前記下流側チューブプレートの前記反応ガス流通方向下流側を覆い前記伝熱チューブに連通する回収室を形成する下流側ドームとを有する一次冷却器を備えるトリクロロシラン製造装置。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】ＣＶＤ反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 （もっと読む）