【課題】シーメンス法により多結晶シリコンを製造する際のシリコン芯線の効率的な加熱を実現し、シリコン芯線へのダメージを軽減するとともに、カーボンヒータの寿命を延ばし得る技術を提供すること。
【解決手段】水素ガス気密テスト完了後に一旦炉内圧力を所定の値にまで下げ、多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低い炉内圧力下でシリコン芯線を通電加熱する。シリコン芯線１２のバルク温度は、カーボンヒータ１４からの輻射熱量、シリコン芯線１２から雰囲気ガスへの対流伝熱量、シリコン芯線ホルダへの伝導伝熱量、ベルジャ１やベースプレート５への輻射熱量等のバランスによって決まり、入熱量が不変でも出熱量が低下すればシリコン芯線１２のバルク温度は上昇する。本発明においては、シリコン芯線１２の表面から対流により奪われる熱量を抑えるため、初期加熱工程時の炉内圧力を多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低く設定する。 （もっと読む）

【課題】ナノオーダーの微細な粒径を有していながら、高い疎水性を示し、透明樹脂に対しての分散性が著しく高められた表面処理シリカ系粒子を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡で測定して平均粒子径が１〜５０ｎｍの範囲あるシリカ系粒子であって、個々の粒子が、疎水性シランカップリング剤により表面処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決課題】反応炉内に析出した多結晶シリコンの反応炉内からの取り出しが容易であり、製造効率が高い多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内で四塩化珪素と亜鉛を反応させて、反応炉内に多結晶シリコンを生成させる第一工程と、９０７〜１２００℃で、該反応炉内に、四塩化珪素のみを供給するか、又は四塩化珪素に対する亜鉛のモル比が、該第一工程でのモル比よりも小さくなる供給量で、四塩化珪素及び亜鉛を供給する第二工程と、該反応炉内の温度が８００℃以上で、反応炉内を不活性ガス雰囲気にし、次いで、多結晶シリコンを、８００℃以上の反応炉内から、該反応炉に繋がる不活性ガス雰囲気の冷却空間へ移動させることにより、多結晶シリコンを反応炉内から反応炉外へ取り出し、冷却する第三工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 流動性を大幅に改善した粉体のキトサン組成物を製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ酸塩を含有する第１水溶液と、キトサンの酸水溶液である第２水溶液と、を混合し、第１の懸濁液を形成する第１ステップと、第１ステップにより形成された第１の懸濁液とカチオン性界面活性剤とを混合し、カチオン性界面活性剤に接触したキトサン−ケイ酸複合体を含む第２の懸濁液を形成する第２ステップと、を含んでなる、キトサン−ケイ酸複合体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ用研磨材等の研磨材として好適な異形シリカゾルを提供する。
【解決手段】本異形シリカゾルは、動的光散乱法の測定により得られた平均粒子径（ｒ）と窒素吸着法により測定された平均比表面積から算出した等価球換算粒子径（ｒ′）の比（ｒ／ｒ′、以下「会合比」と称する。）が１．２〜１０の範囲にあり、等価球換算粒子径（ｒ′）が５〜２００ｎｍの範囲にあり、比表面積が１３〜５５０ｍ^２/ｇの範囲にあって、形状が不均一な異形シリカ微粒子が溶媒に分散した異形シリカゾルであって、該異形シリカ微粒子の含有するＣａおよびＭｇの割合（酸化物換算）が、ＳｉＯ_２分に対してそれぞれ１０００ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ溶融析出反応器の下部に配置されるポリシリコン受け容器であって、収容されたポリシリコンに表面変質を生じせしめないポリシリコン受け容器を提供する。
【解決手段】Ｓｉ溶融析出反応器１の下部に配置され、該反応器１の内面から溶融落下したポリシリコンを受けるための受け容器１５であって、該受け容器１５の少なくとも内面に、水分の吸脱湿を防止する表面処理層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの製造に用いられる反応炉内の電極回りに付着した微粒子の除去作業を簡略化すること。
【解決手段】シリコン芯線１１が炭素製の芯線ホルダ１５に保持され、この芯線ホルダ１５が金属性の電極１０の頂部に保持されている。電極１０はシリコン芯線１１に通電するための電極であって、反応炉の底板部５に設けられた貫通孔を介して反応炉内に挿入されている。カバー１８は、反応炉内に挿入された電極１０の表面のうち、少なくとも、底板部５の近傍部の表面を被覆している。カバー１８は、原料として供給される反応ガスが多結晶シリコンとしてシリコン芯線の上に析出する際に発生する微粒子が、反応炉内において比較的温度の低い部材表面に直接付着するのを防止するためのものである。つまり、微粒子をカバー１８の表面に付着させ、電極１０、絶縁部材１３、或いは、アダプタ１４の表面に直接付着するのを防止している。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】ＣＶＤ反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 （もっと読む）

【課題】簡便で、環境への負荷が小さく、表面修飾の制御が容易な製造方法により、表面が有機修飾された球状シリカを提供する。
【解決手段】アルコキシシランＡと有機化アルコキシシランＢをアルコール水溶液中で混合する工程（Ｉ）を含む表面が有機修飾された球状シリカの製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素と酸化錫粉末を基材とし、アンチモン等を含有せずに優れた導電性を有し、導電性酸化錫粉末／樹脂分を７／３の質量比で含む透明導電膜を１０^１１Ω／□以下の表面抵抗値にすることができ、かつ環境汚染等を生じる虞がなく、環境への負担が少ない酸化ケイ素含有導電性酸化錫粉末を提供する。
【解決手段】 実質的にアンチモンを含まない酸化錫と、酸化ケイ素とを含み、酸化錫と酸化ケイ素の合計１００質量部に対して、酸化ケイ素が４〜２０質量部であることを特徴とする、酸化ケイ素含有導電性酸化錫粉末である。好ましくは、ＢＥＴ値が９０ｍ^２／ｇ以上２００ｍ^２／ｇ以下である。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ大面積化された自己支持性のナノ薄膜を有する薄膜積層基材；従来に比べ大面積化された自己支持性のナノ薄膜を、少ない工程数で、簡便にかつ確実に形成できる薄膜積層基材の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の凸部２を表面に有する基材（Ａ）３と、複数の凸部２の頭頂部４および複数の凸部２の間の空隙５を覆うように連続して形成された厚さ１〜１００ｎｍの薄膜（Ｂ）６とを有する薄膜積層基材１；基材（Ａ）３を金属酸化物析出反応液に浸漬し、基材（Ａ）３の表面に金属酸化物または金属酸化物前駆体を析出させることによって、複数の凸部２の頭頂部４および複数の凸部２の間の空隙５を連続して覆う厚さ１〜１００ｎｍの薄膜（Ｂ）６を形成する薄膜積層基材１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及びより良い収率を達成することができる方法を提供する。
【解決手段】高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第２の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】 連続的に、かつ安定的に多結晶シリコンを製造することができ、生産性を高め、製造原価を下げることができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、前記反応管内のシリコン粒子に流動ガスを供給する流動ガス供給部と、前記反応管で発生されたガスを排出するガス排出部と、前記ガス排出部あるいは前記流動ガス供給部内に装着された圧力センサーと、前記圧力センサーで測定された圧力が基準圧力値以上の場合、前記反応管の内部に形成された多結晶シリコンを外部に排出させる粒子排出口と、を含む。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に、耐久性の高い硬化物を形成することができ、しかも硬化性樹脂に対して優れた分散性を有し良好な流動性を確保して高密度実装などのアンダーフィル実装にも好適に使用することができる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、半導体用封止材に用いる非晶質シリカ粒子であって、フーリエ変換赤外線吸収スペクトル（ＦＴ−ＩＲ）において、３４００〜３５００ｃｍ^-1にピークトップを有するシラノール基のＯＨ結合のピークの最大吸光度（Ｉ（ａｄＯＨ））とシロキサン結合のピークの最大吸光度（Ｉ（ＳｉＯ））との比（Ｉ（ａｄＯＨ）／Ｉ（ＳｉＯ））が０．００１０以上０．００２５未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 反応ガスを安定的に供給することができ、シリコン析出の効率を向上することができ、シリコン析出工程時に不純物による多結晶シリコンの汚染を防止することができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、内部の反応ガスチャンネルに沿って前記反応管の内部にシリコン元素を含む反応ガスを供給し、前記反応ガスチャンネルを取り囲むチャンネルを有する反応ガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 連続的に、かつ安定的に多結晶シリコンを製造することができ、生産性を高め、製造原価を下げることができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部でシリコン析出反応が起きる反応管と、前記反応管内のシリコン粒子に流動ガスを供給する流動ガス供給部と、前記反応管の内部でシリコン析出反応時に反応温度を一定に維持させるための手段と、を含む。 （もっと読む）

【課題】硬質化、低白色度化の問題、スラリー化した際の増粘・固化の問題が解決された再生粒子を簡易にかつ安定的に得ることができる再生粒子の製造方法とする。
【解決手段】製紙スラッジＳを脱水（１０）及び熱処理（３０）して再生粒子を製造し、この再生粒子にシリカを複合する（６０）シリカ複合再生粒子Ｒの製造方法であって、製紙スラッジＳの主原料を、新聞古紙パルプの製造工程において排出された脱墨フロスとする。 （もっと読む）

【課題】高純度を有しながら微細で粒状がそろったシリコンを最小のエネルギーで高効率に、更に、多量に得ることの出来るシリコン製造装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は高純度シリコン微細粒子の製造装置において（１）金属亜鉛を亜鉛の沸点以上で加熱蒸発すると共に生成ガスを加熱して１０００℃以上の亜鉛ガスを供給する機構と（２）該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、（３）前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、（４）前記反応ガスの温度を１０００℃以下に下げてガス中に生成したシリコン粒を凝集し成長させる機構と（５）前記成長したシリコン粒を反応ガス中に含むガス物質を塩化亜鉛水溶液と接触させ水溶液中にシリコンを沈殿・回収する沈殿回収機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微細粒子の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 球状でなく異形のシリカ微粒子であり、特に高分散性、低凝集性を有する異形シリカ微粒子であって、トナーへの付着性、及びトナーへの流動性の付与効果が良好な異形シリカ微粒子、及び該異形シリカ微粒子からなる静電荷像現像用トナー外添剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 各工程の反応温度を４０℃〜１００℃の範囲内とし、一般式（１）：Ｓｉ（ＯＲ^１）_４（１）で示される４官能性シラン化合物又はその部分加水分解縮合生成物を、塩基性物質の存在下で親水性有機溶媒と水との混合媒体中で加水分解、縮合して、親水性シリカ微粒子の核粒子を生成する工程と、異形化促進触媒を系内に添加する工程と、引き続き、前記一般式（１）で示される４官能性シラン化合物又はその部分加水分解縮合生成物を系内に添加することで異形シリカ微粒子を生成する工程とを有することを特徴とする異形シリカ微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、低比重で衝撃安定性の高いハイブリッド微粒子を提供することにあり、更に詳しくは、電子写真用トナーの外添剤としての基本的な性能を保持し、且つ低比重で衝撃安定性の高いハイブリッド微粒子を提供することである。
【解決手段】本発明は、内殻が有機物であり、外殻がシリカ化合物及び酸化アルミニウムからなる複合化合物、シリカ化合物及び酸化チタンからなる複合化合物、及びシリカ化合物及び酸化アルミニウム及び酸化チタンからなる複合化合物の群から選択されるいずれかであることを特徴とするハイブリッド微粒子に関する。 （もっと読む）