【課題】内部に空洞を有するシリカ系粒子の圧縮強度および耐湿性を向上することで、高温高湿条件下において比誘電率の変化量および誘電正接の変化量が殆どない塗膜を形成できる半導体封止用樹脂組成物、および高い耐湿性を長時間維持できる基材を提供する。
【解決手段】シリカ系粒子は無孔質の外殻シリカ層の内部に空洞を有し、空隙率が２０〜９５体積％の範囲にあり平均粒子径が０．１〜５０μｍの範囲にある。シリカ系粒子の空洞は負圧であり、１３３ｈＰａ以下である。シリカ系粒子の圧縮強度は０．１〜２００ｋｇｆ／ｍｍ²の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】シリカ殻の任意の部位に選択的に金属ナノ粒子または金属酸化物ナノ粒子を担持させたシリカ殻からなる複合ナノ中空粒子を提供すること、またナノ粒子の分散性を維持しつつ、中空粒子が持つ特性を保持したまま安定して供給する方法を提供することである。
【解決手段】平均細孔径の異なるシリカ殻からなるナノ中空粒子を製造し、シリカ殻外表面、シリカ殻内、あるいはシリカ殻内表面の少なくとも一部位に選択的に金属または金属酸化物を担持させる。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の上に、膜厚みの均一性に優れた凹凸膜が形成されたウエハを提供する。また、結晶基板の上に、膜厚みの均一性に優れた凹凸膜が形成されたウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶基板に凹凸膜が形成された凹凸膜付きウエハであって、該凹凸膜は、最大厚みの平均が０．０５〜５μｍであり、シロキサンオリゴマーを含み、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定による炭素、酸素、ケイ素の各原子数の合計に対するケイ素原子の含有率が５〜３３ａｔｏｍ％であり、残膜厚みの均一性が２５％以下であることを特徴とする凹凸膜付きウエハ。
凹凸形状を表面に有する支持体フィルムの上に、最大厚みの平均が０．０５〜５μｍであり、シロキサンオリゴマーを含み、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定による炭素、酸素、ケイ素の各原子数の合計に対するケイ素原子の含有率が５〜３３ａｔｏｍ％である凹凸膜が積層された転写フィルムから、結晶基板の上に前記凹凸膜を転写することを特徴とする凹凸膜付きウエハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い水蒸気吸着能を備える多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】界面活性剤の存在下、製造しようとする多孔体の骨格原料を構成する金属酸化物の金属原子の、溶液中における濃度が０．４ｍｏｌ／ｌ以下、（界面活性剤／骨格原料の骨格構成金属原子）のモル比が０．０７以上２５以下である溶液中で、前記骨格原料を縮合させる工程と、縮合物から界面活性剤を除去する工程と、縮合物を、酸又は３価以上の金属イオンと酸との塩の溶液に接触させる工程、とを備える。前記縮合物を得る工程をアルカリ条件下で行い、テトラアルコシキシシラン又はアルキルアルコキシシランを骨格原料とする。 （もっと読む）

【目的】
ゾルーゲル法によってシリカ系の湿潤ゲルを合成する際に、シリカ末端のＯＨ基に疎水化反応をさせるシラン系表面処理剤を添加する方法において、所望の疎水化された湿潤ゲルを得、最終的に疎水性に優れたナノ構造を有する多孔質体を提供することを目的とする。
【構成】
本発明は、テトラアルコキシシランにシラン系表面処理剤を添加し、アルカリ触媒下でのゾルーゲル法で湿潤ゲルを得、得られた湿潤ゲルを超臨界炭酸ガス乾燥法によって乾燥して得られるナノ構造多孔質体の製造方法であって、前記シラン系表面処理剤は、Ｓｉ(ＯＣＨ_３)_ｎＸ_４−ｎ(ｎ＝２〜３、Ｘ＝アルキル基)の化学式で表されるものであり、かつ、モル比率でテトラアルコキシシラン／シラン系表面処理剤＝９／１〜２／８の範囲で添加されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微粒子状炭素がシリカ骨格の内部にまで均一に分散した状態にあって優れた電気伝導性を示すシリカ・炭素複合多孔質体と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ・炭素複合多孔質体は、界面活性剤によって水に分散させた微粒子状の炭素と、アルカリ金属ケイ酸塩水溶液と、鉱酸とを混合することにより、アルカリ金属ケイ酸塩と鉱酸との反応生成物であるシリカと微粒子状の炭素が均一に分散した共分散体を作製し、当該共分散体中に含まれるシリカをゲル化させ、共分散体を多孔質化することによって得られる。このシリカ・炭素複合多孔質体は、比表面積が２０−１０００ｍ²／ｇ、細孔容積が０．３−２．０ｍｌ／ｇ、平均細孔径が２−１００ｎｍに調製される。このようなシリカ・炭素複合多孔質体は、微粒子状炭素がシリカ骨格の内部に均一に分散した状態にあり、優れた電気伝導性を示す。 （もっと読む）

【課題】低湿度下でも高湿度下でも吸湿率が高いシリカゲル及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】全細孔容積が０．４５〜１．０ｃｍ^３／ｇであり、且つ、細孔直径２．５ｎｍ以下の領域に細孔分布のピーク（最大値）が存在することを特徴とするシリカゲル。珪酸アルカリ水溶液に鉱酸水溶液を加えて、ｐＨ１０．５〜１１．５でゾルを形成後、ゲル化させて、熟成前シリカヒドロゲルを得るゲル化工程と、該熟成前シリカヒドロゲルを、ｐＨ４〜７で一次熟成し、一次熟成シリカヒドロゲルを得る一次熟成工程と、該一次熟成シリカヒドロゲルを、ｐＨ０．５〜２で二次熟成し、二次熟成シリカヒドロゲルを得る二次熟成工程と、該二次熟成シリカヒドロゲルを乾燥し、シリカゲルを得る乾燥工程と、を有することを特徴とするシリカゲルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】反射光の低減とガスバリア性を共に付与せることが可能なシリカ膜前駆体材料、これを用いたシリカ膜及び前記シリカ膜を形成させたガスバリア防眩成形体を、提供する。
【解決手段】シリカ前駆体であるシラザン化合物、層状粘土鉱物及び有機溶剤を含むシリカ膜前駆体材料を基材上に塗布し、加熱処理、加湿処理、紫外線照射処理、又は、前記加熱処理と紫外線照射処理とを同時に行う処理の何れかによりシリカ膜を形成し、ガスバリア防眩成形体とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、微細であり、しかも不純物量の少ないＭｇ₂Ｓｉ微粒子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】比表面積が３０ｍ²／ｇ以上であり、Ｍｇ₂ＳｉのＸＲＤ最強線強度（Ｉ_Mg2Si）に対するＳｉのＸＲＤ最強線強度（Ｉ_Si）の比（＝Ｉ_Si×１００／Ｉ_Mg2Si）が５．０％以下であるＭｇ₂Ｓｉ微粒子。このようなＭｇ₂Ｓｉ微粒子は、Ｎａ−Ｓｉ系化合物及びＭｇのハロゲン化物、並びに、必要に応じてＮａを、Ｍｇ／Ｓｉ比（モル比）が２以下となり、かつ、Ｎａ／Ｓｉ比（モル比）が１以上９以下となるように配合し、配合物を、０．７Ｔ_min以上Ｔ_min未満の温度（但し、Ｔ_minは、前記Ｎａ−Ｓｉ系化合物の融点、共晶点、及び分解温度の内の最も低い温度）で加熱し、反応物を溶媒で洗浄し、未反応原料及び副生成物を除去することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】 流動性を大幅に改善した粉体のキトサン組成物を製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ酸塩を含有する第１水溶液と、キトサンの酸水溶液である第２水溶液と、を混合し、第１の懸濁液を形成する第１ステップと、第１ステップにより形成された第１の懸濁液とカチオン性界面活性剤とを混合し、カチオン性界面活性剤に接触したキトサン−ケイ酸複合体を含む第２の懸濁液を形成する第２ステップと、を含んでなる、キトサン−ケイ酸複合体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性および安全性を高めると共に、組成や粒径を良好に制御できる二次電池用正極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａ_aＭ_bＸ_cＯ_d1Ｚ_e1（ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＭはＦｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＸはＳｉ、Ｐ、Ｓ、Ｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｚはハロゲン、０．８≦ａ≦２．７、０．６≦ｂ≦１．４、０．９≦ｃ≦１．１、ｄ１はａ、ｂ、ｃ、ｅ１、Ｍの価数、Ｘの価数に依存する数、ｅ１≦ａ、０≦ｅ１≦２．２）組成を有する溶融物を冷却して固化物を得る。固化物を粉砕した後に不活性ガス中または還元ガス中で加熱し、Ａ_aＭ_bＸ_cＯ_dＺ_e組成を有する化合物の表面の少なくとも一部が導電材で被覆された被覆粒子を得る。被覆粒子と溶媒と、該溶媒に分散または溶解した含フッ素ポリマーとを混合した後、溶媒を除去し、次に加熱して二次電池用正極活物質を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、シリカを含む植物を加熱処理や化学、生物学的処理などをして得られる分解処理残分を原料として、安価に高純度の四塩化ケイ素を製造できる方法を提供することである。
【解決手段】本発明者らは、シリカを含む植物を加熱して得られる、炭素／シリカの質量比が０．２以上２．０以下である分解処理残分に、ＪＩＳ標準篩の呼び寸法で１．０ｍｍ以上４．８ｍｍ以下の金属ケイ素を、分解処理残分中のシリカ１００質量部に対して、１０〜４０質量部加えて塩素化反応を行うことにより、外部からの余分なエネルギー供給の必要がなく、高いシリカ反応率で四塩化ケイ素が製造できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】簡便で、環境への負荷が小さく、表面修飾の制御が容易な製造方法により、表面が有機修飾された球状シリカを提供する。
【解決手段】アルコキシシランＡと有機化アルコキシシランＢをアルコール水溶液中で混合する工程（Ｉ）を含む表面が有機修飾された球状シリカの製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、かつ放充電時体積変化が抑制されたシリコン二次粒子を提供すること。
【解決手段】５０〜１００ｎｍ粒径のシリコン微粒子を核とし、該核の周囲にアモルファスグラファイトのカーボンシェルが形成された被覆シリコン微粒子が凝集してなる、シリコン二次粒子。このシリコン二次粒子は、５０〜１００ｎｍ粒径のシリコン微粒子０．１〜１．０質量部が１００質量部の純水にコロイド状に浮遊する上澄みを有する溶液を調製し、上澄みに、０．３〜３．０質量部のアニリンを添加し溶解させ、５〜２０質量部の過酸化水素水を添加し、攪拌しながらシリコン微粒子を核としてアニリンを重合させて、周囲にポリアニリンシェルが形成されたシリコン微粒子を製造し、シリコン微粒子を凝集させて二次粒子を製造し、乾燥させた後、６５０〜７５０℃で焼成し、ポリアニリンシェルをカーボンシェルに変性させることによって得ることができる。 （もっと読む）

【課題】微粒子状炭素がシリカ骨格の内部にまで均一に分散した状態にあって優れた電気伝導性を示すシリカ・炭素複合多孔質体と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ・炭素複合多孔質体は、ケイ酸エステル又はその重合体をシリカ原料として、当該シリカ原料中に微粒子状の炭素を添加、混合して、その混合物中でシリカ原料を加水分解することにより、シリカと炭素の共分散体を作製して、当該共分散体中に含まれるシリカをゲル化させ、共分散体を多孔質化することによって得られる。このシリカ・炭素複合多孔質体は、比表面積が２０−１０００ｍ²／ｇ、細孔容積が０．３−２．０ｍｌ／ｇ、平均細孔径が２−１００ｎｍに調製される。このようなシリカ・炭素複合多孔質体は、微粒子状炭素がシリカ骨格の内部にまで均一に分散した状態にあり、優れた電気伝導性を示すものとなる。 （もっと読む）

【課題】空隙率が高く、小粒径で、かつ温湿度等の環境変化に強い球状の中空粒子、これを用いた赤外線反射フィルム及び赤外線反射体を提供することにある。
【解決手段】シェルがシリカ（ＳｉＯ_２）と金属酸化物（ＭＯｘ）を含有し、その組成がモル比で、
１＜（Ｓｉ／Ｍ）＜１００
で、かつ体積換算平均粒子径が、１０〜２００ｎｍであることを特徴とする中空粒子。
（式中、Ｍは第３族、第４族、第５族、第１３族またはＳｉを除く第１４族の金属元素を表す。） （もっと読む）

【課題】 残留炭素に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造し、該粉末を溶融して得られる高純度、且つ、高品質の石英ガラスを提供する。
【解決手段】 テトラメトキシシランを加水分解する際、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節し、温度が低下し始めた後に静置し、得られた湿潤シリカゲル体を粉砕した後に乾燥して、該シリカゲル粉末を焼成する。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に、耐久性の高い硬化物を形成することができ、しかも硬化性樹脂に対して優れた分散性を有し良好な流動性を確保して高密度実装などのアンダーフィル実装にも好適に使用することができる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、半導体用封止材に用いる非晶質シリカ粒子であって、フーリエ変換赤外線吸収スペクトル（ＦＴ−ＩＲ）において、３４００〜３５００ｃｍ^-1にピークトップを有するシラノール基のＯＨ結合のピークの最大吸光度（Ｉ（ａｄＯＨ））とシロキサン結合のピークの最大吸光度（Ｉ（ＳｉＯ））との比（Ｉ（ａｄＯＨ）／Ｉ（ＳｉＯ））が０．００１０以上０．００２５未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂に添加してアンダーフィル材としバンプ接続などに供した際に、バンプ間への噛み込みが起こりにくく良好な導通を確保できる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、アンダーフィル材に用いる非晶質シリカ粒子であって、圧縮試験において粒子の直径が１０％変位したときの荷重値（１０％荷重値）と平均粒子径とが下記式（Ｉ）
１０％荷重値（ｍＮ）／平均粒子径（μｍ）＞１．２０ （Ｉ）
を満足することを特徴とする。 （もっと読む）