Fターム［4G072NN00］の内容
珪素及び珪素化合物 (39,499) | 結晶、薄膜系操作 (908)
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Fターム［4G072NN00］に分類される特許
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多結晶シリコンウェーハ及びその鋳造方法
【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることによって太陽電池の変換効率の低下を抑制することのできる多結晶シリコン及びその鋳造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の多結晶シリコンは、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が1.0×1017atoms/cm3以下であり、該多結晶シリコンウェーハを基板として用いた太陽電池の変換効率の低下率が3%以下であることを特徴とする。
また、本発明の多結晶シリコンの鋳造方法は、冷却銅モールドの酸素含有率が低く、且つチャンバ内の酸素分圧が低いことを特徴とする。
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