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Fターム[4G072QQ02]の内容

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【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型2の内側に設けられた内層シリカ層3と、内層シリカ層3の内側に設けられ、0.2〜4.0μmの窒化ケイ素粉末41を75〜90重量%含有するとともに残部が10〜6000ppmのナトリウムを含有するシリカ6から構成される混合体素地層40を少なくとも1層含む窒化ケイ素コーティング層4と、窒化ケイ素コーティング層4の表面に設けられたバリウムコーティング層5と、を備えることを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ1を選択する。 (もっと読む)


【課題】水等の液体と接触しても崩壊しにくく、且つ十分な断熱性能を示す成形体、上記成形体が外被材に収容された被包体、上記成形体の製造方法並びに上記成型体及び/又は被包体を使用した断熱方法を提供する。
【解決手段】シリカを含み、細孔を有しており、細孔径が0.003μm以上150μm以下である細孔の積算細孔容積V0.003に対する、細孔径が0.05μm以上0.5μm以下である細孔の積算細孔容積Vの割合Rが70%以上であり、細孔径が0.05μm以上150μm以下である細孔の積算細孔容積V0.05が0.5mL/g以上2mL/g以下であり、30℃における熱伝導率が0.05W/m・K以下である、成形体。 (もっと読む)


【課題】電気伝導性および安全性を高めると共に、組成や粒径を良好に制御できる二次電池用正極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】Aabcd1e1(AはLi、Na、K、MはFe、Mn、Co、Ni、XはSi、P、S、B、Al、V、Mo、W、As、Ge、Sb、Zはハロゲン、0.8≦a≦2.7、0.6≦b≦1.4、0.9≦c≦1.1、d1はa、b、c、e1、Mの価数、Xの価数に依存する数、e1≦a、0≦e1≦2.2)組成を有する溶融物を冷却して固化物を得る。固化物を粉砕した後に不活性ガス中または還元ガス中で加熱し、Aabcde組成を有する化合物の表面の少なくとも一部が導電材で被覆された被覆粒子を得る。被覆粒子と溶媒と、該溶媒に分散または溶解した含フッ素ポリマーとを混合した後、溶媒を除去し、次に加熱して二次電池用正極活物質を得る。 (もっと読む)


【課題】二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、シリコンからなる陰極3上に二酸化ケイ素4を載置させた状態で当該二酸化ケイ素4を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。 (もっと読む)


【課題】均一な混合状態を維持できる粉体を提供すること。
【解決手段】シリカを含み、安息角が35度以上55度以下であり、30℃における熱伝導率が0.05W/m・K以下である粉体。 (もっと読む)


【課題】スプリングバックやラミネーションを抑制可能であり、且つ十分な断熱性能を示す成形体を提供すること。
【解決手段】シリカを含み、細孔を有しており、細孔径が0.003μm以上150μm以下である細孔の積算細孔容積V0.003に対する、細孔径が0.1μm以上150μm以下である細孔の積算細孔容積V0.1の割合R0.1が50%以上85%以下であり、V0.1が0.2mL/g以上3mL/g以下であり、30℃における熱伝導率が0.05W/m・K以下である成形体。 (もっと読む)


【課題】付着性が抑制され、水蒸気が発生しにくい粉体を提供する。
【解決手段】シリカを含有し、BET比表面積が10m/g以上400m/g以下であり、含水率が0.2質量%以上2.5質量%以下であり、30℃における熱伝導率が0.05W/m・K以下である、粉体。 (もっと読む)


【課題】微粒子状炭素がシリカ骨格の内部にまで均一に分散した状態にあって優れた電気伝導性を示すシリカ・炭素複合多孔質体と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ・炭素複合多孔質体は、ケイ酸エステル又はその重合体をシリカ原料として、当該シリカ原料中に微粒子状の炭素を添加、混合して、その混合物中でシリカ原料を加水分解することにより、シリカと炭素の共分散体を作製して、当該共分散体中に含まれるシリカをゲル化させ、共分散体を多孔質化することによって得られる。このシリカ・炭素複合多孔質体は、比表面積が20−1000m2/g、細孔容積が0.3−2.0ml/g、平均細孔径が2−100nmに調製される。このようなシリカ・炭素複合多孔質体は、微粒子状炭素がシリカ骨格の内部にまで均一に分散した状態にあり、優れた電気伝導性を示すものとなる。 (もっと読む)


【課題】成形時の飛散や成形欠陥の発生を抑制することができる粉体を提供すること。
【解決手段】シリカとゲルマニウムとを含む粉体であって、ゲルマニウムの含有率が10ppm以上1000ppm以下であり、BET比表面積が10m/g以上400m/g以下であり、圧縮度が31%以下であり、かつ、30℃における熱伝導率が0.05W/m・K以下である、粉体。 (もっと読む)


【課題】成形時の飛散や成形欠陥の発生を抑制することができる粉体を提供すること。
【解決手段】シリカとナトリウムとを含む粉体であって、ナトリウムの含有率が0.005質量%以上3質量%以下であり、BET比表面積が10m/g以上400m/g以下であり、圧縮度が31%以下であり、かつ、30℃における熱伝導率が0.05W/m・K以下である、粉体。 (もっと読む)


【課題】残存酸素濃度が低い多結晶シリコン焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン焼結体の製造方法は、例えば、シリコン粉末を成形して成形体を得る第1工程と、前記成形体を加熱装置中に装入する第2工程とを具備している。これら第1及び第2工程は、非酸化性ガス雰囲気下で行われる。 (もっと読む)


【課題】コア材の成形欠陥発生を抑制することができる断熱材を提供する。
【解決手段】シリカを含む第一の無機化合物からなり、平均粒子径Dが5nm以上50nm未満であり、比重がCである複数の小粒子と、第二の無機化合物からなり、平均粒子径Dが50nm以上100μm以下であり、比重がCである複数の大粒子と、を含むコア材と、コア材を収容する外被材と、を備え、複数の小粒子の質量の合計値Mと複数の大粒子の質量の合計値Mとの比率M/Mが0.035C/C以上3以下である、断熱材。 (もっと読む)


【課題】高温での熱収縮の小さい断熱材を提供すること。
【解決手段】シリカを含む第一の無機化合物からなる複数の小粒子Sと、石英の結晶構造を有する第二の無機化合物からなり、小粒子Sよりも粒子径が大きい複数の大粒子Lと、を備える断熱材。 (もっと読む)


【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】電磁鋳造法によって多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、シリコン融液にリンを連続的又は断続的に添加することによって比抵抗を1Ωcm以上、10Ωcm以下に制御する。本発明によれば、ドーパントを連続的又は断続的に添加可能な電磁鋳造法を用いていることから、多結晶シリコンインゴットの比抵抗を結晶軸方向において1Ω以上、10Ωの範囲に制御することが可能となる。しかも、ドーパントがリンであることから、B−O複合体が形成されることによる転位密度の増加も生じない。 (もっと読む)


【課題】断面形状が正方形のアフターヒーターを具備する電磁鋳造装置で断面形状が長方形のインゴットを製造する場合、インゴットの切断時に発生するクラックやササクレを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】(1)無底冷却モールド2と、誘導コイル1と、インゴット5を徐冷するアフターヒーター4を有し、アフターヒーターの出力制御を、対面する2面のヒーター(例えば、ヒーター14−1と14−3)を1対として2対以上のヒーターについて個別に実施できるように構成されている電磁鋳造装置。(2)前記の電磁鋳造装置を用い、アフターヒーターの出力を、2対以上のヒーターについて個別に制御する電磁鋳造方法。アフターヒーターの出力を、インゴットの面内温度のばらつきが10℃以下になるように制御することとすれば、クラックやササクレの防止に極めて有効である。 (もっと読む)


【課題】 不純物汚染防止及び離型性に優れ、結晶粒の大きさ及び結晶軸方位が揃った多結晶シリコンインゴットを製造することができる、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、少なくとも前記角形シリカ容器の側部をなす前記多孔質シリカ板体における両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高く、前記角形シリカ容器の底部をなす前記多孔質シリカ板体の内表面部分は、溝又は穴を所定間隔で複数有しており、前記溝又は穴の側面の少なくとも一部が、鉛直方向に対して15〜60°の角度をなす斜面で形成されている多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 (もっと読む)


【課題】シリコン細棒の製造における欠点を回避して従来技術を改善する。
【解決手段】シリコン細棒(1)の製造方法であって、a)多結晶シリコン製のロッドを準備して、これから前記多結晶シリコン製のロッドに対して縮小された断面積を有する少なくとも2つの細棒(11,12)を分離する工程;b)前記分離された少なくとも2つの細棒(11,12)を、材料侵食性液状媒体での処理によって清浄化する工程;c)前記清浄化された少なくとも2つの細棒(11,12)を溶接して、1つのより長い細棒(1)とする工程;d)前記のより長い細棒(1)をチューブラフィルム(100)中にパッケージングする工程を含む前記製造方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】一辺が118mm以上の四角形である多結晶シリコンウェーハであって、第1乃至第4の外周領域a1〜a4と、いずれも外周領域にも属さない中央領域bとを含み、第1の外周領域a1におけるライフタイムは、中央領域bにおけるライフタイムよりも短く、第2及び第3の外周領域a2,a3におけるライフタイムは、中央領域bにおけるライフタイムと実質的に等しく、中央領域bにおけるライフタイムは、30μs以上である。本発明によれば、多結晶シリコンインゴットの断面をマトリクス状に4分割又は6分割することによって切り出すことができるとともに、ライフタイムが30μs以上である領域を全体の1/3以上とすることができる。これにより、16%以上の変換効率を確保することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】保温装置の外枠の溶損等を防止して、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、前記保温装置13の外枠16の構成部材として非導電性部材が使用されている電磁鋳造装置。前記非導電性部材を、特に溶損の大きい外枠の特定の面のみ、または外枠全面の上部のみに使用することもできる。非導電性部材としては、アルミナ、炭化珪素が望ましい。 (もっと読む)


【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制しながらも、離型性に優れた、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体の両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 (もっと読む)


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