【課題】ＣＶＤ反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】ＣＶＤ反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 （もっと読む）

【課題】反応器の給電において、封止部を破壊する漏れ電流ないしはアークを検出して早期に遮断できるようにすると同時に、導電性の汚染物があっても、次の分解および洗浄を行うまでの反応器の動作時間を可能な限り長く維持できるようにすること。
【解決手段】電気エネルギー網の絶縁不良を監視し、所定の絶縁抵抗値を下回ることにより、電気エネルギー供給の遮断がトリガされる、ただし、前記電気エネルギー供給の遮断を行うスイッチング閾値は、前記封止部の幾何学的形状と、該封止部の材料と、給電電圧と、該封止部に流れる最大可能なクリープ電流によってトリガされ前記遮断直前に該封止部に入力可能な最大電気エネルギーとから成る群のうち、少なくとも１つのパラメータを考慮して求める。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及びより良い収率を達成することができる方法を提供する。
【解決手段】高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第２の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】 反応ガスを安定的に供給することができ、シリコン析出の効率を向上することができ、シリコン析出工程時に不純物による多結晶シリコンの汚染を防止することができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、内部の反応ガスチャンネルに沿って前記反応管の内部にシリコン元素を含む反応ガスを供給し、前記反応ガスチャンネルを取り囲むチャンネルを有する反応ガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 連続的に、かつ安定的に多結晶シリコンを製造することができ、生産性を高め、製造原価を下げることができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、前記反応管内のシリコン粒子に流動ガスを供給する流動ガス供給部と、前記反応管で発生されたガスを排出するガス排出部と、前記ガス排出部あるいは前記流動ガス供給部内に装着された圧力センサーと、前記圧力センサーで測定された圧力が基準圧力値以上の場合、前記反応管の内部に形成された多結晶シリコンを外部に排出させる粒子排出口と、を含む。 （もっと読む）

【課題】大気圧から超臨界雰囲気において行うプラズマＣＶＤによりポリシリコンを製造する。
【解決手段】ポリシリコン製造装置であって、高周波電力が印加される電極と、前記電極に前記高周波電力を供給する電力供給部と、前記電極にハロゲン化ケイ素化合物及び不活性ガスを含む反応ガスを供給する反応ガス供給部と、を備え、前記電極に前記高周波電力を印加し当該電極の間に電界を発生させた状態で前記反応ガスをプラズマ化させ当該電極の表面にシリコンを析出させることを特徴とするポリシリコン製造装置。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体（１１０）を製造する本発明の方法は、（ａ）基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び（ｃ）未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体（１１０）は、基材（１１２）及び半導体シリコン膜（１１８）を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、１．０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率に優れ、ナノ粒子を低コストで製造可能なナノ粒子の製造方法およびその製造方法に好適なナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】ナノ粒子の原料となる原料ガスおよび非反応性のプラズマ生成ガスの混合ガスをプラズマ生成手段（１１）に供給しプラズマジェットを生成する工程と、冷却可能な壁面を備え、圧力調整可能な密封可能なチャンバー（１４）の内部を非反応性雰囲気あるいは酸素ガスを含む雰囲気で満たし、プラズマジェットを噴出させ、急冷することによりナノ粒子を生成させる工程とを有することを特徴とするナノ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属珪化物の正方晶の薄膜を常温下で製造できる方法を提供する。
【解決手段】エアロゾル薄膜堆積法を用い、金属珪化物の微粒子をキャリアガスと混合してエアロゾル化したものを、常温減圧下の雰囲気で、ノズルを通じて所定の速度で基板に噴射し、衝撃固化現象を利用して微粒子を基板上に付着させることによって、金属珪化物の薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】塩化水素を用いてシラン中のMueller-Rochowによる直接合成の高沸点残留物を熱分解する方法。
【解決手段】二酸化ケイ素を含有し、アルミニウムを含まない粒子の流動層中で熱分解する。 （もっと読む）

【課題】
シリカ膜の形成において、膜厚が厚くクラックの発生を抑えたシリカ膜の容易な形成方法およびそれにより形成されるシリカ膜を提供する。
【解決手段】
本発明は、使用する紫外線を透過する基体にプレカーサを塗布し、プレカーサ塗布面の裏面側より紫外線を照射する方法により、膜厚が厚くクラックの発生を抑えたシリカ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】粒子径がナノサイズであり、かつ内部が中空で、しかもシリカ層からなる外殻に十分な大きさの貫通穴を有する中空シリカ粒子を効率的に得ることが可能な穴あき中空シリカ粒子の製造方法の提供である。
【解決手段】表面に還元性の官能基を有する樹脂粒子を作製する工程と、前記樹脂粒子表面に金属微粒子を固定する工程と、前記金属微粒子を有する樹脂粒子表面をシリカ層で被覆しコア・シェル粒子を作製する工程と、前記コア・シェル粒子を加熱することにより前記樹脂粒子を分解、除去し、中空粒子を作製する工程と、レーザー光を照射することにより前記金属微粒子を除去すると共に、前記中空粒子のシェルに貫通穴を形成する工程とを有する穴あき中空シリカ粒子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】粒子径のそろった珪素微粒子を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、不活性雰囲気下において、珪素源と炭素源とを含む混合物を焼成する焼成工程と、混合物を焼成することにより生成した気体を急冷し、珪素微粒子と酸化珪素とを含んだ複合粉体を得る急冷工程と、酸化雰囲気下において、複合粉体を加熱する加熱工程と、加熱された複合粉体から一酸化珪素及び二酸化珪素を除去する除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造バッチ間において安定したデバイス特性を有するシリコンエピタキシャルウエーハ製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層をシリコン原料ガスから気相成長させる工程を有するシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、複数のシリコン原料ガスのロットを用いてシリコンエピタキシャルウエーハが製造される場合において、前記シリコン原料ガスのロットに含まれる炭素含有化合物濃度のうち最大となる濃度を最小濃度値とし、１０００ｐｐｍｗを最大濃度値とし、該最小濃度値以上該最大濃度値以下の炭素含有化合物を、前記シリコン原料ガスに混入し、又は前記シリコン原料ガスと供に気相成長装置内に供給することにより、前記シリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 （もっと読む）

【課題】高純度のポリシリコンを高速で得る方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコンの製造方法であって、高周波熱プラズマトーチ１０中にハロゲン化ケイ素化合物を含む原料ガスを導入する原料ガス導入工程と、前記高周波熱プラズマトーチ１０中に導入された前記原料ガスを熱プラズマ処理し、溶融ポリシリコン２００を生成する熱プラズマ工程と、前記熱プラズマ工程において生成した前記溶融ポリシリコン２００を冷却固化する冷却工程と、を有することを特徴とするポリシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】異方導電接着剤などに配合した場合に十分な分散性を達成することが可能な無機酸化物粒子６の製造方法を提供すること。また当該製造方法によって得られた無機酸化物粒子６を用いた異方導電接着剤１０を提供すること。
【解決手段】重量平均分子量が５００〜１００００の範囲である３次元架橋されたシリコーンオリゴマーを、無機酸化物粒子表面に気相中で化学吸着させる工程を備える、無機酸化物粒子６の製造方法。 （もっと読む）

トリクロロシラン等の熱分解性を有したケイ素化合物から多結晶シリコンを生成する流動床リアクター・システムおよび分配器並びに方法が開示されている。この方法は、概して四ハロゲン化ケイ素を使用することによって、多結晶シリコンの生成の間リアクター壁上のケイ素付着物の低減を含んで成る。 （もっと読む）

【課題】塩化工程で分離したポリマーを原料の一部として用い、配管閉塞を防ぎながら効率的にトリクロロシランに転換する。
【解決手段】分解炉２に、分解炉２の内部を加熱する加熱手段１１と、分解炉２の内底部を除き内部空間を内側空間と外側空間とに二分する上下方向に沿う中心管体３と、中心管体３の内側空間又は外側空間のいずれか一方の空間にポリマー及び塩化水素を供給する原料供給管１５と、他方の空間から反応後のガスを導出する反応ガス導出管７とが設けられるとともに、原料供給管１５は、ポリマーを供給するポリマー供給管５と、塩化水素を供給する塩化水素供給管６とを備え、ポリマー供給管５及び塩化水素供給管６から供給されるポリマー及び塩化水素の合流部が、分解炉２の内部空間又は分解炉２の外部のいずれか一方で、少なくとも２００℃以上の温度領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】水素とトリクロロシランとを反応させてポリシリコンを製造する工程から排出される副生塩化水素含有排ガス中の塩化水素を回収するために使用するパージガスとしての水素ガスを、処理して水素源として利用する方法を提供する。
【解決手段】（１）ポリシリコンの製造工程から排出された排ガスを活性炭層に通すことにより塩化水素を吸着し、（２）塩化水素が吸着保持された活性炭層にパージガスとしての水素ガスを通して吸着された塩化水素を脱着し、（３）脱着された塩化水素及び水素を含むパージ排ガスを、例えばＰｄ／ＳｉＯ_２触媒などの塩素化触媒を充填した塩素化塔に通ぜしめて含有する水素化クロロシランを四塩化ケイ素に転化し、（４）転化された四塩化ケイ素を含むパージ排ガスを水酸化ナトリウム水溶液などの塩化水素吸収液と接触せしめて塩化水素並びに四塩化ケイ素を除去する。この処理方法で得られたパージ排ガスは、ヒュームドシリカ製造などの他の製造工程のための水素源としての利用することが可能である。 （もっと読む）