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Fターム[4G072RR03]の内容

Fターム[4G072RR03]に分類される特許

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【課題】ボロン含有量を制御することができる球状シリカ粒子の製造方法の提供。
【解決手段】原料シリコン粒子と酸素とを反応させて球状シリカ粒子の製造方法である。ボロン含有量がシリカの質量を基準として下限0ppm、上限30ppmに含まれる所定範囲に含まれる粗シリコン粒子中に含有するボロン量を制御する。ボロン含有量を小さくすることにより、樹脂との密着性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】帯状の基板を搬送しつつ連続的に活物質層の形成と、リチウムの付与を行なうにあたって、単一の真空容器内で差圧構造を設けて、両処理を安定して実施できる生産性に優れたリチウム二次電池用負極の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】真空中で、帯状の基板の表面上に、負極を形成するリチウム二次電池用製造装置は、活物質形成エリア10とリチウム付与エリア50の間にスリット部を設けて分離された差圧構造であり、基板4を搬送する搬送機構と、搬送機構によって保持されている基板の表面上に、蒸着可能領域5内で活物質層を形成するための活物質形成手段と、リチウム付与可能領域55内でリチウムを付与するためのリチウム付与手段と、活物質層を酸化するガスノズル22と、圧力を制御するガスノズル62とを収容する真空容器1と、を有する。 (もっと読む)


【課題】水蒸気等の酸化剤中における焼成工程での収縮が小さく、シリカ膜の亀裂や半導体基板との剥離が発生しにくい無機ポリシラザン及び無機ポリシラザンを含有するシリカ膜形成用塗布液を提供すること。
【解決手段】1H―NMRスペクトルにおいて、4.75ppm以上で5.4ppm未満の範囲のピーク面積をAとし、4.5ppm以上で4.75ppm未満の範囲のピーク面積をBとし、4.2ppm以上で4.5ppm未満の範囲のピーク面積をCとしたとき、A/(B+C)の値が0.9〜1.5であり、(A+B)/Cの値が4.2〜50であり、ポリスチレン換算値による質量平均分子量が2000〜20000である無機ポリシラザンをシリカ膜形成用塗布液に含有させる。 (もっと読む)


【課題】金属級シリコン材料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で、高純度シリコンの量産が可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】金属級シリコンまたはシリカ粉末1を、2400℃程度のオゾン含有酸素ガス雰囲気のプラズマ領域8に投入し、前記粉末に含まれるボロンを酸化して気化物として除去し、粉末1aとして回収し、ボロン除去後の粉末1aを、還元性雰囲気のプラズマ領域28に投入し、還元処理により酸素を除去して、シリコン粉末1bとして回収し、前記シリコン粉末を加熱して溶湯1cとなし、電磁石35の磁場中に前記溶湯を流すことで、金属不純物元素をトラップして除去する。さらに、金属不純物元素を除去したシリコンの溶湯1cを、遠心噴霧によりシリコンの粉末1dとなして回収する。 (もっと読む)


【課題】シリコン溶湯の表面に噴射ガスを噴射してSiOxナノ粉末を大量に生産できる揮発性に優れた高純度SiOxナノ粉末の製造方法及びその製造装置について開示する。
【解決手段】本発明にかかるSiOxナノ粉末の製造装置は、真空チャンバ;前記真空チャンバの内部に装着され、シリコンが装入される黒鉛るつぼ;前記黒鉛るつぼに装入されたシリコンを誘導加熱してシリコン溶湯を形成させる誘導溶融部;前記黒鉛るつぼの内部で前記シリコン溶湯の表面と直接接触するように噴射ガスを噴射するガス噴射部;及び前記黒鉛るつぼと離隔された上部に配置され、前記シリコン溶湯と前記噴射ガスとの反応によって揮発するSiOx蒸気を捕集する捕集部;を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、フラックス中にハロゲンガスを含む処理気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】本発明によれば、冶金的手法による太陽電池用等の高純度シリコンの製造に用いるフラックス中の不純物、特にホウ素、リンを効果的に低減することができる。この結果、極めて安価にホウ素、リン等が低減されたフラックスを得ることができる。 (もっと読む)


【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、この溶融フラックス中に水蒸気及び酸素のいずれか一方又は両方を含む気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】冶金的手法による太陽電池用高純度Siの製造に用いるフラックス中の不純物、特にBを効果的に低減することができる。本発明により得られたフラックスは、含有するBが極めて少量あるいは実質的に含有しない。従って、これを冶金的手法による太陽電池用高純度Siの製造に用いることで、Si中のBを容易、迅速、かつ多量に除去することができる。こうしてBを除去したSiに、高真空下、局所高温加熱等によりPを揮発除去し、更に一方向凝固等により、金属不純物を低減し、極めて安価に純度6N程度の太陽電池に使用可能な高純度Siとすることができる。 (もっと読む)


【課題】誘電率の上昇を抑制しつつも多孔質層の表面を改質できる半導体装置の製造方法および多孔質層の改質方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板102上に、表面にSiH基を有する多孔質絶縁層114を形成する工程と、SiH基をSiOH基に酸化させ、かつ多孔質絶縁層114のSi原子と結合を形成しない改質物質を含む液体を多孔質絶縁層114の表面に接触させる工程と、を含む (もっと読む)


【課題】ポリマーが熱により変質することを抑制してポリマーの表面に好適に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】超臨界流体に酸化剤のオゾンガスと酸化物用原料のTEOSとを供給し、構造体1及びその周囲を200℃の温度で加熱することによって、酸化物であるSiO2を生成させ、このSiO2によって構造体1のマイクロ流路3の内壁全面(従ってポリマーであるPDMS膜9の表面)に酸化物層5であるSiO2層を形成する。これにより、従来に比べて低い温度で酸化物層5を形成できるので、ポリマーが変質する等の問題が生じないという顕著な効果を奏する。また、ポリマー表面を隙間無く覆う様に酸化物層5を形成できるので、親水性やガス透過防止性を高めることができるという利点もある。 (もっと読む)


【課題】比較的低純度のシリコン原料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で量産が可能なシリコン原料の精製方法を提供する。
【解決手段】原料となるシリコンまたはシリカの粉末1を落下させ、その粉末をオゾンを含む高温領域8を通過させる。高温領域中のオゾンにより粉末に含まれるボロンが酸化され、酸化物として気化して除去される。高温領域8を通過した粉末が冷却され、ボロンを除去した粉末として回収する。高温領域8を高周波誘導熱プラズマまたはレーザビーム照射にて形成する。また、ボロンを除去した粉末を水素を含む高温領域28を通過させ、高温領域中の水素により粉末に含まれる二酸化硅素成分を還元してシリコンとなす。 (もっと読む)


【課題】エネルギー効率に優れ、ナノ粒子を低コストで製造可能なナノ粒子の製造方法およびその製造方法に好適なナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】ナノ粒子の原料となる原料ガスおよび非反応性のプラズマ生成ガスの混合ガスをプラズマ生成手段(11)に供給しプラズマジェットを生成する工程と、冷却可能な壁面を備え、圧力調整可能な密封可能なチャンバー(14)の内部を非反応性雰囲気あるいは酸素ガスを含む雰囲気で満たし、プラズマジェットを噴出させ、急冷することによりナノ粒子を生成させる工程とを有することを特徴とするナノ粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、平均粒径がサブミクロン以下の金属酸化物超微粉末をエポキシ樹脂に充填した際、極めて流動性の高いスラリー組成物を提供する。
【解決手段】 体積平均粒径(A)が0.04〜0.40μm、粒径分布標準偏差(B)が下記式(1)で表され、粉末の孤立シラノール(孤立OH)基の濃度が1.5〜4.0個/nm2である金属酸化物超微粉末である。

B≦A×1/2 ・・・・・式(1)
[測定方法]
水分気化装置/VA‐122型に金属酸化物超微粉末を0.3g入れ、加熱昇温し、発生した水分をカールフィッシャー電量滴定法にて測定したときに、温度200℃までに発生した水分を「物理吸着水分」、200℃をこえ550℃までに発生した水分を「水素結合OH基由来の水分」、550℃をこえ900℃にまでに発生した水分を「孤立OH基由来の水分」、と定義し、測定された水分量とBET比表面積値から、単位面積当たりの孤立OH基量を算出した。 (もっと読む)


【解決課題】製造コストが低く、運転管理及び装置管理が簡便な多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】高純度四塩化珪素と亜鉛との反応により生成する排出ガスから分離した該塩化亜鉛及び未反応亜鉛の混合物を酸化する酸化処理と、該混合物を塩酸水溶液に溶解させる塩酸水溶液溶解処理と、酸性抽出剤により亜鉛成分を抽出する亜鉛成分抽出処理と、硫酸水溶液により亜鉛成分を逆抽出する亜鉛成分逆抽出処理と、硫酸亜鉛水溶液を水溶液電解する硫酸亜鉛水溶液電解処理と、該亜鉛成分抽出処理で得られる塩酸水溶液のうちの一部の塩酸水溶液を精製する塩酸精製処理及び塩化水素ガスを気化させる塩化水素気化処理、又は該亜鉛成分抽出処理で得られる塩酸水溶液のうちの一部の塩酸水溶液を気化させ、塩化水素を精製する塩化水素気化精製処理とを有し、該塩酸水溶液のうちの他部、該酸性抽出剤を含有する有機溶媒、及び該硫酸水溶液を循環使用する高純度多結晶シリコンの製造方法。 (もっと読む)


【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ7に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン55を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス56、57を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜10を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド59を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 (もっと読む)


【課題】 接触抵抗、充填密度、流動性、および分散性の高いSi粉末、特に、高い接触抵抗を必要とする電子部品材料や、媒体中で分散性の高いSi原料として用いられるSi粉末を提供する。
【解決手段】 酸素分析値/比表面積が0.2〜10からなるSi粉末であることを特徴とする接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末。また、上記Si粉末はアトマイズ法により作製された接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたSi粉末、またはその製造方法。 (もっと読む)



【課題】極めて高いバリア性能、UVカット性、密着性に優れるバリア性フィルムを提供し、それを用いた有機光電変換素子や有機EL素子の様な有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】ガスバリア性フィルムとして、樹脂基板の両面上にガスバリア層が、それぞれ、紫外線カット層と、酸化珪素層および酸化窒化珪素層から選ばれる少なくとも1種の層とをこの順に設けてあることを特徴とするガスバリア性フィルム及び有機電子デバイス。 (もっと読む)


本発明は、シリコン融液の新規な粗脱炭法、及びシリコン、好ましくはソーラーシリコン又は半導体シリコンの製造のためのその使用に関する。 (もっと読む)


本発明は、トリクロロシラン及び四塩化ケイ素を金属シリコンから製造するための多段階の方法に関し、その際、第一の段階において、トリクロロシラン及び四塩化ケイ素を金属シリコンから製造し、かつ、第二の段階において、四塩化ケイ素を最終生成物のトリクロロシランへとさらに処理する。そのうえまた、本発明は、係る方法が組み込まれて実施されることができる装置に関する。 (もっと読む)


【課題】ヒュームド金属酸化物粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】揮発性の非ハロゲン化金属酸化物前駆体を含む液体供給原料の流れを提供する工程と、該液体供給原料を霧化及び燃焼又は熱分解するのに十分な線速度を有する燃焼ガスの流れを提供する工程と、該液体供給原料の流れを該燃焼ガスの流れに噴射して反応混合物を形成し、該燃焼ガスの温度がヒュームド金属酸化物粒子の凝固温度より低くなる前に、該液体供給原料を霧化して該ヒュームド金属酸化物粒子を形成するのに十分な温度及び該燃焼ガスの流れ中の滞留時間にさらすようにする工程とを含む、ヒュームド金属酸化物粒子の製造方法が提供される。比較的小さな凝集体サイズ及び/又は比較的狭い凝集体サイズ分布を有するヒュームドシリカ粒子がさらに提供される。 (もっと読む)


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