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Fターム[4G072RR22]の内容

Fターム[4G072RR22]に分類される特許

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【課題】本発明は、生成する金属Siの収率を落とさず、かつ作業効率を落とさずに、太陽電池や化学製品などを製造するための原料となる高純度金属Siを製造可能な高純度金属Siの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】アーク炉1内に原料7としてのSiOを主成分とするシリコン鉱石並びにSiC及び炭素系還元剤を含有した還元剤を供給し、SiOを還元することにより、金属Si9を製造する方法であって、この還元剤の全量を100%とした場合に、前記還元剤中のSiC量をモル比で20〜80%とすると共に、残部を炭素系還元剤とし、且つ、前記還元剤中に含まれるPおよびBの合計量を20質量ppm以下とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ケイ砂を主原料としてアーク炉によって還元することにより金属ケイ素を製造するに際し、還元時間が短く、かつアーク放電の電力使用量を小さくすることができ、生産性に優れた金属ケイ素の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属ケイ素の製造方法は、ケイ砂と、粒径が前記ケイ砂と同じか又は小さい、石炭、コークス、木炭から選択される少なくとも1種の還元剤と、を混合してケイ砂と還元剤との混合物を得る工程、前記ケイ砂と還元剤との混合物を5cm〜20cmの大きさの塊状に成形する工程、前記塊状に成形されたケイ砂と還元剤との混合物と木材チップとを混合してアーク炉に投入し、前記アーク炉内で前記ケイ砂を炭素熱還元させる工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】充放電を繰り返した場合の体積エネルギー密度に優れる非水電解質二次電池用負極合金材料を提供する。
【解決手段】TiFeSi合金相、又は、TiFeSi合金相を含有する合金を用いる。これは、Ti、Fe及びSiを含有し、これらの原子比をTi:Fe:Si=a:b:c(a+b+c=100)としたとき、c≦69である合金を含むものである。組成がTiFeSiである合金よりも、組成がTiFeSiである合金の方が、放電容量、サイクル容量維持率共に優れる結果となった。 (もっと読む)


【課題】アーク炉に抵抗加熱炉などを併設しないでアーク炉のみで回収シリコンくずを加熱、融解することができ、回収シリコンくずに印加する電圧も400V以下で稼動することができ、高電圧を使用するような大きな設備を要しない回収シリコンくずの融解方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る回収シリコンくずの融解方法は、回収されたシリコンくずをアーク炉により融解する回収シリコンくずの融解方法であって、該アーク炉の電極間電圧を40〜400Vに保持するとともに、電極を導電材に接触させた状態で通電し、該導電材の昇温に伴って発生するアーク放電により前記シリコンくずが加熱され、アーク放電及び電極間電流が安定したのち通常のアーク炉操業に移行することによって実施される。 (もっと読む)


【課題】鋳造されるシリコンインゴットが金属不純物により汚染されるのを低減でき、シリコンインゴットから切り出されたウェーハを太陽電池に用いた際に光電変換効率を向上させることができるシリコンインゴットの鋳造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ7に装入されたシリコン原料を加熱して融解させた後、凝固させて多結晶シリコンインゴットを鋳造する方法において、ルツボ7にシリコン原料を供給する経路上に、シリコン材料からなる保護部材17および18を配置して鋳造を行うことを特徴とするシリコンインゴットの鋳造方法である。保護部材として、Fe濃度が1015atoms/cc以下、Ni濃度が1014atoms/cc以下およびCr濃度が1014atoms/cc以下であるシリコン材料から作製されたものを用いるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際、サイドアークの発生を抑制しつつ、溶解速度を上昇できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却ルツボ7に原料導入管10を通じてシリコン原料11を投入し、誘導コイル8からの電磁誘導加熱、およびルツボ7の上部に挿入されたプラズマトーチ13からのプラズマアーク加熱によりシリコン原料11を溶解させ、この溶融シリコン12をルツボ7から引き下げながら凝固させてインゴット3を連続鋳造する電磁鋳造装置において、原料導入管10が絶縁部材21を介して支持されるとともに、原料導入管10の先端がルツボ7内でプラズマトーチ13の先端と同じ高さの位置、またはそれよりも高くてルツボ7の上端よりも低い位置に配置されており、この原料導入管10を通じてシリコン原料11が溶融シリコン12の湯面の中央に投入される。 (もっと読む)


【課題】原料融液に下地板を浸漬させることにより、下地板表面に薄板を製造する薄板製造装置および製造方法において、薄板の板厚のむらの発生を防止して、板厚を制御することのできる薄板製造装置および薄板製造方法、ならびに坩堝を提供する。
【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させることにより、下地板表面に薄板を製造する薄板製造装置であって、原料融液を内部に充填可能な坩堝と、坩堝内の原料融液に下地板を浸漬させる浸漬部とを備える。坩堝は、坩堝本体と、下地板の浸漬方向に応じて原料融液の表面の液流の方向を制御する制御部とを含む。 (もっと読む)


【課題】冷却ルツボへのシリコン原料の投入に伴ってシリコン原料がプラズマトーチと接触するのを防止し、溶融シリコンの金属不純物汚染を抑制するとともに、シリコン原料の融解を安定させることができるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】導電性を有する無底冷却ルツボ7に原料導入管10を通じてシリコン原料11を投入し、冷却ルツボ7を囲繞する誘導コイル8からの電磁誘導加熱、および冷却ルツボ7の上部に挿入されたプラズマトーチ13からのプラズマアーク加熱によりシリコン原料11を融解させ、この溶融シリコン12を冷却ルツボ7から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット3を連続鋳造する電磁鋳造装置において、冷却ルツボ7の側壁に貫通穴7cが形成され、この貫通穴7cに原料導入管10が接続されている。 (もっと読む)


【課題】回収シリコンくず、特に酸化珪素及び炭化珪素を含む回収シリコンくずからシリコンを効率的に再生して回収するシリコン回収方法を提供することを目的とする。また、回収シリコンくずをそのまま利用可能なフェロシリコンに再生させるシリコン回収方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るシリコン回収方法は、溶融スラグの基に、酸化珪素、または、酸化珪素及び炭化珪素を含む回収シリコンくずをアーク放電により再溶解し、シリコンに再生させるシリコン回収方法であって、前記溶融スラグの温度が1750℃以上で再溶解を行うことにより実施される。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素砥粒およびシリコンを含む切削屑を原料として、これらを分離せずとも、シリコンを回収または製造することができる、シリコンの回収または製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットまたはシリコンウェーハの切削または研削時に発生する炭化珪素を含む削屑から、シリコンを回収または製造する方法であって、該炭化珪素を含む削屑とシリカ原料とを加熱してシリコンを製造する工程を含む、シリコンの回収または製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】熱電変換素子に好適な、優れた熱電変換特性を有するSiクラスレート化合物を
用いた熱電変換材料を提供する。
【解決手段】クラスレート化合物ASi46−b−c(元素Aは、Ba、Sr
から選択した1成分以上の元素、元素Mは、Cu、Ag、Auから選択した1成分以上の
元素、元素Qは、Al、Ga、Inから選択した1成分以上の元素)を用いた熱電変換材
料であって、D=−2a+3b+cで定義されるD値が−3以上である。好ましくは、a
が7.7以上8.0以下、かつbが3.4以上3.9以下、かつcが2.2以上3.6以
下である。また、焼結密度が理論密度の95%を超える焼結体であること、クラスレート
化合物相の最強ピーク比が85%以上であることがより好ましい。 (もっと読む)


高品質シリコン材料(例えば、多結晶シリコン) を形成するためのシステム。特定の実施態様において、溶融材料には、シリコン材料及び不純物(例えば、リンの種)が含まれる。システムには、内側領域を備えるるつぼが含まれる。特定の実施態様において、るつぼは、適切な材料(例えば石英材料又は他のもの)でできている。石英材料は、シリコンを処理するために少なくとも摂氏1400度の温度に耐えることができる。特定の実施形態において、るつぼは、直立に配置されて、溶融材料を露出させる開放域を備える。特定の実施形態において、本システムは、エネルギー源を備える。かかるエネルギー源は、アークヒーター又は他の適切な加熱装置であってもよい。これには、複合加熱装置が含まれ、それらは、同じものか異なるものであってもよい。アークヒーターは、開放域より上に構成されて、露出溶融材料とアークヒーター銃口部との間の隙間によって間隔が開いている。露出溶融材料の中心付近内で、規定の温度プロファイルを形成させると共に、溶融材料の外側領域をるつぼの石英材料の融点より低い温度に維持する。システムは、結果としてリン種を0.1ppm以下含む溶融材料を生産する。これが、精製されたシリコンである。 (もっと読む)


本発明は、新規なシリコン融液の脱炭法、及びシリコン、好ましくはソーラーシリコン又は半導体シリコンの製造のためのその使用に関する。 (もっと読む)


【課題】MnSi相の含有量が少ないMnSix粉末及びその製造方法、並びに、MnSix粉末製造用CaSiy粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】MnSi2-z相を主成分とし、MnSi相の含有量が7%以下、Si/Mn比(x)が1.5≦x<2.0、一次粒子のアスペクト比が5以下、比表面積が2.5m2/g以上であるMnSix粉末。CaSi2相を主成分とし、CaSi相の含有量が10%以下、Si/Ca比(y)が1.5≦y≦2.0であるMnSix粉末製造用CaSiy粉末。Ca源とSi源とを、Si/Ca比(モル比)が1.5〜2.0となるように配合し、原料を溶解させ、溶湯を凝固させるMnSix粉末製造用CaSiy粉末の製造方法。MnSix粉末製造用CaSiy粉末と塩化Mnとを、Mn/Ca比(モル比)が1以上となるように混合し、混合物を加熱し、反応物を溶媒で洗浄するMnSix粉末の製造方法。 (もっと読む)


本発明は、プラズマアークトーチの位置調節装置に関する。本発明は、シリコン溶湯に対してプラズマアークトーチを昇降させる昇降装置と、前記シリコン溶湯に対してプラズマアークトーチを周方向に回転させる回転装置と、前記シリコン溶湯に対してプラズマアークトーチの角度を調節する角度調節装置と、を含む。また、前記プラズマアークトーチは、多数個が放射状に一定の間隔で配置される。このような本発明によれば、固相のシリコンを溶融し、初期溶湯を形成するのにかかる時間が短縮され、鋳造速度が増加する効果がある。また、原料の溶解性を向上させることができ、安定的な原料の溶解が可能なので、経済的に有利な連続鋳造及び高品質の太陽電池用シリコンインゴットを製造することができる効果がある。
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【課題】99.99%以上の高純度のシリカまたはシリコンを工業的にかつ安価に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の高純度シリカの製造方法は、珪砂または水晶の細粒子を1ミクロン以下に粉砕する粉砕工程と、粉砕したものを水を加えてスラリー状にするスラリー工程と、磁石分離器を用いて、鉄・アルミ・カリウム等の不純物を取り除いて、二酸化硅素を取り出し回収する磁力分離回収工程と、回収した二酸化硅素から加熱により水分を蒸発させ、若しくは、遠心分離により水分を除去し、二酸化硅素を乾燥させる乾燥工程とを備え、99.99%以上の高純度シリカを得る。磁石分離器に電磁回転型磁力分離器を用い、長時間運転を可能とし製造コストを安価にする。更に、カーボンアーク炉内で還元する工程を加え、高純度シリコンを得る。 (もっと読む)


各種実施形態では、異なる密度の不純物が遠心力を用いて分離及び集積されるシリコンの精製方法が提供され、溶融シリコンの制御結晶化は、固体/液体界面での不純物の集積によって、さらなる精製をもたらす。
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光起電分野用の材料に関するシリコンを精製する方法には、金属シリコンをルツボ装置に提供することが含まれる。金属シリコンは、少なくとも熱工程を施され、金属シリコンの状態が第一状態から摂氏1500℃を超えない溶融状態の第二状態に変化する。少なくとも不純物の一部は、溶融状態において金属シリコンから除かれる。溶融金属シリコンの下方領域から上方領域までを冷却して下方領域を凝固させる一方で残りの不純物の一部を分離させて液状領域に留める。液状領域を凝固させることで精製領域及び不純物領域を有するシリコン構造物が形成される。精製領域は、99.9999%を超える純度によって特徴づけられる。
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本発明は、炭水化物及び炭水化物混合物の、非晶質炭素の添加での工業的熱分解のための方法に、得られる熱分解生成物に、及び特に高温でシリカ及び炭素からのケイ素の製造における還元剤としてのそれらの使用に関する。 (もっと読む)


【課題】高純度シリコン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】特純石英鉱石を原料として選択するステップと、前記石英鉱石を洗浄し粉砕するステップと、光学分析装置で粒度が20mm〜80mmの石英鉱石を正確に選択するステップと、石英鉱石を浄化するステップと、石英鉱石を溶鉱炉に入れ、高温で石英鉱石を溶融するステップと、溶融した石英鉱石と純炭素還元剤とに炭素熱還元法および反応純化を行い、液体シリコンを得るステップと、前記溶鉱炉のバルブを介して前記液体シリコンを収容タンクに流し込むステップと、前記収容タンクにおいて、エアブロー除湿法およびスラグ処理法を行い、液体シリコンの不純物を除去するステップと、液体シリコンを結晶成長炉の鋳造品領域に注入するステップと、前記鋳造品領域において方向性凝固法で液体シリコンを固化し、固体シリコン材料を得るステップとを含む。 (もっと読む)


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