【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】電気化学系において有用であり、高い電気化学容量、良好なサイクル容量、低い自己放電率及び良好な環境耐性のうちの少なくとも１つを示す電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも部分的に炭素で被覆された多孔質ケイ素を基材とする電気化学系のためのアノードであって、多孔質ケイ素でできている絶縁性支持体上に被覆されたポリマー層を熱分解する工程を含む、多孔質材料から電気化学系のためのアノードを製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】発光強度の強いナノ粒子を提供する。
【解決手段】ナノ粒子１０は、炭化水素１と、シリコンナノ粒子２とを備える。炭化水素１は、８個のカーボンが繋がった構造、６個のカーボンが繋がった構造、８個のカーボンと１個の酸素とが繋がった構造、２個のカーボンと１個の酸素とが繋がった構造、および１個のカーボンと１個の酸素とが繋がった構造のいずれかからなる。シリコンナノ粒子２は、炭化水素１のカーボンまたは酸素に接続される。そして、シリコンナノ粒子は、２〜３ｎｍの粒径を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体（１１０）を製造する本発明の方法は、（ａ）基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び（ｃ）未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体（１１０）は、基材（１１２）及び半導体シリコン膜（１１８）を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、１．０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】比較的低純度のシリコン原料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で量産が可能なシリコン原料の精製方法を提供する。
【解決手段】原料となるシリコンまたはシリカの粉末１を落下させ、その粉末をオゾンを含む高温領域８を通過させる。高温領域中のオゾンにより粉末に含まれるボロンが酸化され、酸化物として気化して除去される。高温領域８を通過した粉末が冷却され、ボロンを除去した粉末として回収する。高温領域８を高周波誘導熱プラズマまたはレーザビーム照射にて形成する。また、ボロンを除去した粉末を水素を含む高温領域２８を通過させ、高温領域中の水素により粉末に含まれる二酸化硅素成分を還元してシリコンとなす。 （もっと読む）

【課題】粒子径がナノサイズであり、かつ内部が中空で、しかもシリカ層からなる外殻に十分な大きさの貫通穴を有する穴あき中空シリカ粒子の提供である。
【解決手段】シリカ層からなる外殻を有し、平均粒子径が１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、前記外殻に、開口部の形状が円形状、楕円形状及び多角形状から選択される少なくとも１つである貫通穴を有する穴あき中空シリカ粒子である。 （もっと読む）

【課題】体積の均一な球状の半導体材料を提供する。
【解決手段】板状の半導体材を分割し複数の半導体分割片を形成する第一の工程と、半導体分割片のそれぞれを、複数の装填部を有する基材の各装填部内に装填する第二の工程と、装填部内に装填された半導体分割片を加熱して、装填部内で融解した後に、融解された溶融体を冷却して固化する第三の工程と、を有している製造方法とした。これによって、板状の半導体材を分割し、半導体分割片にする事により、それぞれの半導体分割片の体積のバラツキを抑える事ができ、粉体を用いる場合と比較して、融解、固化され得られた球状の半導体材の体積を均一にできる。この事により、光−電気変換性能を一定にする事ができ、球状半導体型太陽電池モジュールの組立工程での工程不良や、外観不良を低減できる。 （もっと読む）

【課題】高純度のケイ素を収集したり、二酸化炭素量を効果的に削減させたりする。
【解決手段】酸化マグネシウム、酸化カリウム又は酸化カルシウムなどの第１の酸化物と二酸化炭素又は一酸化ケイ素などの第２の酸化物との混合物又は化合物に対してレーザを照射することによって、前記第１又は第２の酸化物から酸素を脱理させる。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性及び光特性に優れたシリコンナノワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンナノワイヤは、金属ナノクラスターが、シリコンナノ構造体の表面上に形成されてなる点に特徴を有する。金属ナノクラスターは、シリコンナノワイヤの電気的特性及び光学的特性を向上させる役割を果たす。よって、本発明のシリコンナノワイヤは、リチウム電池、太陽電池、バイオセンサー、メモリ素子などの多様な電気素子に有効に使用できる。 （もっと読む）

【課題】極めて高いバリア性能、ＵＶカット性、密着性に優れるバリア性フィルムを提供し、それを用いた有機光電変換素子や有機ＥＬ素子の様な有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】ガスバリア性フィルムとして、樹脂基板の両面上にガスバリア層が、それぞれ、紫外線カット層と、酸化珪素層および酸化窒化珪素層から選ばれる少なくとも１種の層とをこの順に設けてあることを特徴とするガスバリア性フィルム及び有機電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】低エネルギー消費で硫黄ドープシリコン膜を製造する。
【解決手段】光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物を用意する工程と、混合物に光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第１の加熱処理を行って環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる工程と、を行って硫黄変成ケイ素化合物を製造する。混合物の環状硫黄とケイ素化合物の混合比は、混合物に含まれる硫黄原子の数がケイ素原子の数に対して１／１０００００以上１／３以下となる混合比にする。硫黄変性ケイ素化合物を含んだ溶液を不活性雰囲気で基板上に塗布した後に第２の加熱処理を行って、硫黄変性ケイ素化合物を分解するとともに硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子を他のケイ素原子または硫黄原子と結合させて硫黄ドープシリコン膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】凝集が進行しにくく分散性が優れる球状ナノ粒子の製法を提供する。
【解決手段】液相中に１〜１０００ｎｍの大きさの原料粒子あるいは金属酸化物粒子を分散させ、この液相中の粒子に１レーザーパルスあたり０．５Ｊ／ｃｍ^２以下の弱いレーザー光を照射して、原料粒子を一旦溶融かつ融合させ、その後液相中で急冷することにより１０〜１０００ｎｍの大きさの球状ナノ粒子を製造する、あるいは金属酸化物粒子に還元反応を起こさせて、これにより金属球状ナノ粒子若しくは還元球状ナノ粒子またはこれらの複合構造の粒子を生成させる。 （もっと読む）

【課題】大がかりな設備を用いずに、不純物汚染の少ない球状シリコン粒子を製造する。
【解決手段】発散コーン部１１、収束コーン部１２、発散コーン部１１と収束コーン部１２との接続部に形成されたスロート部１３、および収束コーン部１２から発散コーン部１１へと浮遊ガスを供給するガス供給部１４を備えるガス浮遊装置を用いて、浮遊ガスが供給されている発散コーン部１１に、スロート部１３の内径よりも小さい球状の熔解シリコン粒が形成される量のアスペクト比が１：１〜１：４である原料３０を供給する原料供給工程と、浮遊状態の原料３０を非接触加熱装置４１により加熱して熔解する熔解工程と、熔解された原料３０が浮遊状態のまま非接触加熱装置４１の熱出力を下げ原料３０を凝固させる凝固工程とを行って、シリコンまたはシリコン系半導体材料の球状シリコン粒子３２を製造する。 （もっと読む）

【課題】電気加熱の負担を減少させ、電気消耗量を減少させるとともに、従来に比べて短期間にポリシリコンを製造できる装置及び方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバーと、前記反応チャンバー内にシランガスを供給するためのガス供給部と、前記ガス供給部で供給されるシランガスにレーザービームを照射し、前記シランガスを熱分解してポリシリコン粒子を形成するためのレーザー照射部と、前記ポリシリコン粒子を収容するためのポリシリコン粒子収容部とを含んでポリシリコンの製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いたシリコンシートの製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際に、形成途中のシリコンシートが液面から受ける影響を小さくし、シリコンシートを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液４に下地板１を浸漬させた後に下地板１をシリコン融液４から脱出させて、シリコン融液４の凝固により下地板１上にシリコンシート２を形成するシリコンシート２の製造装置であって、下地板１の表面に形成されたシリコンシート２がシリコン融液４から脱出し終えるときの下地板１の移動速度が、下地板１がシリコン融液４に没入し始めるときの下地板１の移動速度に比べて大きくなるように、下地板１の速度を制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池セル又は太陽電池モジュールにおいて用いるのに好適なシリコンを鋳造するためのシード層及びシード層の製造方法に関する。本方法は、好適な表面上において、タイルを端部を整列させて配置して継ぎ目を形成する工程、及び継ぎ目においてタイルを結合させてシード層を形成する工程を含む。結合工程は、タイルを加熱してタイルの少なくとも一部を溶融させること、タイルを少なくとも１つの継ぎ目の両端において電極と接触させること、アモルファスシリコンのプラズマ堆積を用いること、光子を照射してタイルの少なくとも一部を溶融させること、及び／又は層堆積を行うことを含む。本発明のシード層は、幅及び長さが少なくとも約５００ｍｍの直線形状を有する。 （もっと読む）

【課題】高次シラン化合物にドーパントソースを混合して加熱するとき、大気圧下におけるドーパントソースの蒸発温度がドーパントソースの分解温度より低いため、分解する前に蒸発してしまい、高次シラン化合物内に残留する率が低下するという問題があった。
【解決手段】ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を有する分枝状ナノワイヤーを容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系ナノワイヤ-50の表面を湿式エッチングし、表面欠陥56を形成する。次いで、シリコン系ナノワイヤー50を脱イオン水または空気中に露出させ、表面に酸化物層52を形成する。この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。この後、シリコン核より分枝状ナノワイヤーを成長させる。本方法によれば、単一形状のナノワイヤーではなく枝が付いたナノワイヤーを製造できる。 （もっと読む）

【課題】貴金属ナノ粒子が高密度で分散しており、貴金属ナノ粒子間の距離が短く、及び／又は、貴金属ナノ粒子の径が小さい貴金属ナノ粒子分散薄膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】貴金属を含む貴金属ナノ粒子と、前記貴金属ナノ粒子より電気比抵抗が高い無機材料とを備え、前記貴金属ナノ粒子の面内数密度は、４．０×１０⁴個／μｍ²以上３．０×１０⁶個／μｍ²以下である貴金属ナノ粒子分散薄膜、及び、パルスレーザーアブレーションを用いて基板上に貴金属ナノ粒子と無機材料からなる薄膜を形成するアブレーション工程を備えた貴金属ナノ粒子分散薄膜の製造方法。 （もっと読む）

本発明はレーザ熱分解によるシリコン含有ナノ粒子合成に関する。この目的のため：熱分解リアクタ（ＲＥＡＣ）内部に、移動流体（Ｈｅ）により、元素ケイ素を含む前駆体（ＳｉＨ４）が供給され；移動流体と前駆体とが形成する混合物に対してレーザ放射（ＬＡＳ）がリアクタ内で実施され；シリコン含有ナノ粒子（ｎＰ）がリアクタ出口で回収される。特に、レーザ放射の出力が制御される。さらに、有効パルス持続時間がレーザ放射時間の中で制御される。典型的には、５００ワットを超える出力及びレーザ放射時間の４０％を越えるパルス持続時間に対して、１ナノメートルのオーダー以下のサイズの結晶構造を有するナノ粒子が、１時間あたり８０ミリグラムのオーダーを超える速度で得られる。最適な条件下で、１時間あたり７４０ミリグラムを超える顕著な速度を得ることができた。
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