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Fターム[4G072TT17]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 性質 (2,293) | 導電率 (21)

Fターム[4G072TT17]に分類される特許

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【課題】高EW(又は、低IEC)で、かつ、無加湿条件下においても高いプロトン伝導度を示す電解質を提供すること。
【解決手段】シラノール基又はその前駆体からなる親水性基の縮重合により形成されるシリカ層と、シリカ層の内表面を修飾する有機スルホン酸基とを備え、その内部に界面活性剤の除去に由来する細孔を持たない緻密体からなる電解質。このような電解質は、シラノール基又はその前駆体からなる親水性基と有機スルホン酸基の前駆体からなる疎水性基とを備えた両親媒性分子を含む溶液中に、必要に応じて親水性基を備えたSiO2源を添加し、溶液中において両親媒性分子を自己組織化させ、親水性基を縮重合させることにより得られる。 (もっと読む)


【課題】種々の金属イオンについて室温で高いイオン伝導性を示し、安価かつ簡便に製造可能な無機固体イオン伝導体とその製造方法およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】無機固体イオン伝導体は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される1または複数からなる非晶質の金属酸化物と、前記金属酸化物中に含有された1価、2価、または3価の金属イオンとを含み、25℃(室温)において1×10−7S・cm−1以上のイオン伝導度を有する。 (もっと読む)


【課題】種々の金属イオンについて室温で高いイオン伝導性を示し、安価かつ簡便に製造可能な無機固体イオン伝導体とその製造方法およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】無機固体イオン伝導体は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される1または複数からなる非晶質の金属酸化物と、前記金属酸化物中に含有された1価、2価、または3価の金属イオンとを含み、25℃(室温)において1×10−7S・cm−1以上のイオン伝導度を有する。 (もっと読む)


【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】電磁鋳造法によって多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、シリコン融液にリンを連続的又は断続的に添加することによって比抵抗を1Ωcm以上、10Ωcm以下に制御する。本発明によれば、ドーパントを連続的又は断続的に添加可能な電磁鋳造法を用いていることから、多結晶シリコンインゴットの比抵抗を結晶軸方向において1Ω以上、10Ωの範囲に制御することが可能となる。しかも、ドーパントがリンであることから、B−O複合体が形成されることによる転位密度の増加も生じない。 (もっと読む)


【課題】酸素プラズマ耐性に優れたシリカ膜を形成することができ、且つ、安定性に優れたシリカ膜前駆体組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランと溶媒と酸触媒を混合してアルコキシシランの加水分解反応及び縮重合反応を生じさせた後、前記アルコキシシランのアルコキシ基1モルに対し、0.005〜0.2モルのシリル化剤を添加して前記縮重合反応により生じたアルコキシシランの重合体の反応末端をシリル化する。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能又は機能の異なる2以上の多結晶シリコンウエハを備えたハイブリッドシリコンウエハを提供する。
【解決手段】一方を溶融状態とし他方を固体状態として相互に一体化した、同心円状の比抵抗が2桁以上異なる2種類以上の単結晶シリコン又は多結晶シリコンを主成分とするウエハからなることを特徴とするハイブリッドシリコンウエハであり、高比抵抗のシリコン又はシリコンを主成分とするインゴット1を、坩堝2内の中心部又は偏芯させた一部に配置すると共に、前記坩堝とインゴット周囲の空隙部に、前記インゴットよりも比抵抗が2桁以上低いナゲット3又は粉末状のシリコンを充填し、前記ナゲット又は粉末状のシリコンを選択的に溶解して、前記インゴットと一体化させて複合体とし、これをさらにウエハ状に切り出すことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体層の側面からの出射光を効率的に利用することができる、例えばLEDの輝度向上を実現しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、支持基板18の上方に半導体層11が形成され、半導体層11の側面に絶縁層14が形成され、半導体層11の側方に絶縁層14を介して保護層17が形成されてなる。保護層17は、(A)一般式:(R1PSi(X)4-P[式中、R1は炭素数が1〜12である非加水分解性の有機基、Xは加水分解性基、およびpは0〜3の整数である。]で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、及びその縮合物から選択される一つ以上の化合物を含有する組成物の硬化物である。 (もっと読む)


本方法は電極の冷却面上における堆積物の形成を抑止する。電極は担体上に材料を堆積する製造システムで使用される。冷却面は銅を含む。本システムはチャンバを画定する反応器を含む。電極は少なくとも部分的にチャンバ内に配置され、担体を支持する。電極と流体連通する循環装置は冷却面との間で冷却液組成物を行き来させる。冷却液組成物は冷却液および冷却面からの溶解銅を含む。濾過システムは循環装置と流体連通している。本方法では電極を加熱する。電極の冷却面は冷却液組成物と接触している。材料は担体上に堆積され、冷却液組成物は濾過システムで濾過され、溶解銅の少なくとも一部は冷却液組成物から除去される。
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シリコーンゴム配合物(RTV−1、RTV−2、HTV、およびLSR)中での使用に適し、とりわけHTVシリコーンゴム配合物中での使用に適した、親水性沈降シリカが提供される。これは、BET表面積185〜260m2/g、CTAB表面積100〜160m2/g、BET/CTAB比1.2〜2.6、および導電率<250μS/cmを有する。また、当該沈降シリカを製造するための方法、およびシリコーンゴム配合物の増粘および補強のための当該沈降シリカの使用も提供される。 (もっと読む)


所定のアルカリ金属イオンおよび一価の金属イオンに対する低温での高いイオン伝導度、金属イオンの高い選択性、良好な電流効率、並びに静的及び電気機械的条件下における水及び腐食性媒体中での安定性の特徴を有する金属イオン伝導性セラミック材料が開示される。金属イオン伝導性セラミック材料は、金属イオンが欠損するように製造される。金属イオン伝導性セラミック材料の1つの一般式は、Me1+x+y−zIIIIV2−ySi3−x12−z/2であり、ここで、MeはNa、Li、K、Rb、Cs、Ag、あるいはそれらの混合物であり、2.0≦x≦2.4、0.0≦y≦1.0および0.05≦z≦0.9であって、ここで、MIIIはAl3+、Ga3+、Cr3+、Sc3+、Fe3+、In3+、Yb3+、Y3+またはそれらの混合物であり、MIVはTi4+、Zr4+、Hf4+、あるいはそれらの混合物である。
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UMG-Si原料バッチ中のボロンおよびリンの濃度を決定するための品質管理プロセスを提供する。シリコン検査インゴットは、UMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの方向性凝固によって形成される。シリコン検査インゴットの抵抗率を上部から底部まで測定する。次いで、シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルをマッピングする。シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルから、UMG-Siシリコン原料バッチのボロンおよびリンの濃度を算出する。さらに、UMG-Si原料バッチにそれぞれ対応する複数の検査インゴットを、多るつぼ結晶成長器において同時成長させてもよい。

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【課題】従来のポリマー材料を用いたプロトン伝導体では、耐熱性、化学的安定性および寸法安定性に課題があり、さらに、100℃を越える温度では、プロトン伝導体として安定に作動させることが困難なため、燃料電池の電解質に用いた場合に高温で安定に作動することができなかった。
【解決手段】少なくとも下記(1)式のアニオン基を有し、150℃、相対温度100%におけるプロトン伝導度が0.1S/cm以上であることを特徴とするプロトン伝導性シリカ。
【化1】


(ただし、XはC2m(m=1〜10)、C2m(m=1〜10)、CCl2m(m=1〜10)、CBr2m(m=1〜10)、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、アンスリル基から選ばれる置換基である。) (もっと読む)


結晶材料(3)を溶融させかつ凝固させる溶融凝固炉(1)は、底部(4)および側壁(5)を有する坩堝(2)と、電磁誘導によって結晶材料を加熱するための手段と、を備える。炉は、側壁(5)の周囲の坩堝(2)の周辺に配置された少なくとも1つの側部断熱システム(6)を含む。側部断熱システム(6)の少なくとも1つの側部エレメントは、側壁(5)に対して、断熱位置と熱損失を助長する位置との間を移動する。側部断熱システム(6)は、1S/m未満の電気伝導率と、15W/m/K未満の熱伝導率と、を有する。
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本発明は、多結晶シリコンロッドにおいて、該ロッドが、シリコンの50〜99%の電気伝導に利用される面積分を有するロッド横断面を有し、かつ、該ロッドが0.1〜80N/mm2の曲げ強さを有することを特徴とするシリコンロッドに関する。 (もっと読む)


【課題】貴金属ナノ粒子が高密度で分散しており、貴金属ナノ粒子間の距離が短く、及び/又は、貴金属ナノ粒子の径が小さい貴金属ナノ粒子分散薄膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】貴金属を含む貴金属ナノ粒子と、前記貴金属ナノ粒子より電気比抵抗が高い無機材料とを備え、前記貴金属ナノ粒子の面内数密度は、4.0×104個/μm2以上3.0×106個/μm2以下である貴金属ナノ粒子分散薄膜、及び、パルスレーザーアブレーションを用いて基板上に貴金属ナノ粒子と無機材料からなる薄膜を形成するアブレーション工程を備えた貴金属ナノ粒子分散薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電極層を損傷することがなく電極間距離を一定に保つことが可能であり、しかも、接触抵抗が小さく、ある程度の凹凸があっても確実に電極を接続可能である導電性微粒子を提供する。
【解決手段】球状コア粒子1と、該球状コア粒子表面に形成された弾性被覆層2と、該弾性被覆層表面に形成された導電性薄膜層3とからなり導電性微粒子であり、前記弾性被覆層が次の工程により形成することを特徴とする導電性微粒子の製造方法。(a)球状コア粒子表面に疎水性官能基を付与する工程。(b)前記疎水性球状コア粒子を水および/または有機溶媒に分散させて疎水性球状コア粒子の分散液を調製する工程。(C)前記疎水性球状コア粒子分散液に界面活性剤を添加する工程。(d)疎水性球状コア粒子分散液に有機ケイ素化合物を添加し、更にアルカリを添加して前記疎水性球状コア粒子表面に有機ケイ素化合物の加水分解縮重合物からなる弾性被覆層を形成させる工程。 (もっと読む)


【課題】バーミキュライトを出発原料とし、これを酸処理することにより得られ、SiOの薄層が積層された劈開性積層体粒子からなっているにもかかわらず、吸湿性が大きく低減され、樹脂等に対して配合したときの含有水分による発泡が防止された非晶質シリカを提供する。
【解決手段】非晶質シリカ薄層の劈開性積層体粒子からなり、SiO含量が98.0乃至99.6重量%の範囲にあり、アスペクト比が2乃至20の板状粒子形状を有し、レーザ回折法で測定して中位径(D50)が1乃至30μmの範囲にあるとともに、BET比表面積が150m/g以下、75%RHでの平衡水分量が10.0%以下である。 (もっと読む)


【課題】固形分濃度が20重量%以上で、なおかつ正電荷で長時間安定な高濃度シリカスラリ−を提供する。
【解決手段】シリカ濃度が20〜50%、pHが1.5〜5.5、導電率が300〜1500μS/cmであって、且つ、高濃度シリカスラリー中のシリカ粒子のゼータ電位が+10〜+80mVである高濃度シリカスラリーを用いる。その様な高濃度シリカスラリーはシリカゲルと水を粉砕、分散化し、負電荷スラリーを得た後、分子量2000〜100000のカチオン性高分子と混合し、得られたシリカ含水ゲルを、水洗し塩を除去した後、再分散することによって製造する。 (もっと読む)


保護的な条件下において結合された酸化ケイ素および電気的に導電性のドープされたケイ素材料から物体を作って、SiOxの特性を示すがSiが存在するために電気的に導電性がある複合SiOx:Si材料を作製する。このような複合材料からの物体は、タッチスクリーンの用途、LCDディスプレイにおけるバリア薄膜、および幅広い種類の用途で使用される光学薄膜向けに酸化ケイ素薄膜を生産するためのDCおよび/またはACスパッタリングプロセス用のターゲットのためなどに多く用いられる。 (もっと読む)


酸化ケイ素および電気的に導電性があるドープされたケイ素材料を保護的な条件下において焼結して、SiOxの特性を示すがSiが存在するために電気的に導電性がある複合SiOx:Si材料を作製する。このような複合材料は、タッチスクリーンの用途、LCDディスプレイにおけるバリア薄膜、および幅広い種類の用途で使用される光学薄膜向けに酸化ケイ素薄膜を生産するためのDCおよび/またはACスパッタリングプロセス用のターゲットなど、多く用いられる。 (もっと読む)


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