【課題】停炉に至るまでの期間を従来よりも長くし、精製シリコンの製造コストの低減および生産性の向上を実現することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】坩堝内の溶融シリコンが第２の所定量ｍとなるまでシリコン凝固塊を引き上げる工程を含む精製サイクルの後に第２の所定量ｍの値を大きくして次の精製サイクルを行なうシリコンの精製方法である。 （もっと読む）

【課題】ボロン含有量を制御することができる球状シリカ粒子の製造方法の提供。
【解決手段】原料シリコン粒子と酸素とを反応させて球状シリカ粒子の製造方法である。ボロン含有量がシリカの質量を基準として下限０ｐｐｍ、上限３０ｐｐｍに含まれる所定範囲に含まれる粗シリコン粒子中に含有するボロン量を制御する。ボロン含有量を小さくすることにより、樹脂との密着性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】顔料内包シリカ系粒子の製造方法および顔料内包シリカ系粒子ならびに該粒子の用途を提供する。
【解決手段】下記の工程（ａ）〜（ｃ）からなることを特徴とする顔料内包シリカ系粒子の製造方法。（ａ）顔料分散珪酸アルカリ水溶液を熱風気流中に噴霧乾燥して顔料内包シリカ系粒子前駆体粒子を調製する工程。（ｂ）顔料内包シリカ系粒子前駆体粒子を酸水溶液に浸漬し、アルカリを除去する工程。（ｃ）乾燥・加熱処理する工程。前記顔料分散珪酸アルカリ水溶液の、ＳｉＯ２／Ｍ２Ｏモル比（但し、Ｍはアルカリ金属を示す。）は１〜５の範囲にあり、ＳｉＯ２濃度（ＣＳ）が１〜３０重量％の範囲にあり、顔料濃度（ＣＤ）とＳｉＯ２濃度（ＣＳ）との比（ＣＤ）／（ＣＳ）が０．００５〜２．３の範囲にあることを特徴とする顔料内包シリカ系粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】人工水晶原石から切り出した水晶片のα値を、赤外線分光光度計を用いずに、水晶片が含有する所定の複数の不純物元素濃度から、予め作成した線量計を用いて推定し、ＪＩＳ Ｃ ６７０４を用いて対応する赤外Ｑ値を評価し等級分けした水晶片を提供する。
【解決手段】人工水晶原石を所定のα値別に複数種類準備し、不純物元素の含有濃度をＸ軸にα値、Ｙ軸に測定された該含有濃度をそれぞれ前記所定の不純物元素毎にプロットして、不純物濃度との相関関係を示す検量線を準備する工程と、測定された前記水晶片に含有される前記所定の複数の所定の不純物濃度を、それぞれ前記検量線と対照して前記水晶片のα値を推定する工程と、前記α値をＪＩＳに規定する等級と対照させて赤外Ｑ値を評価する工程と、から赤外Ｑ値を評価し等級分けしたことを特徴とする水晶片。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型２の内側に設けられた内層シリカ層３と、内層シリカ層３の内側に設けられ、０．２〜４．０μｍの窒化ケイ素粉末４１を７５〜９０重量％含有するとともに残部が１０〜６０００ｐｐｍのナトリウムを含有するシリカ６から構成される混合体素地層４０を少なくとも１層含む窒化ケイ素コーティング層４と、窒化ケイ素コーティング層４の表面に設けられたバリウムコーティング層５と、を備えることを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ１を選択する。 （もっと読む）

【課題】水等の液体と接触しても崩壊しにくく、且つ十分な断熱性能を示す成形体、上記成形体が外被材に収容された被包体、上記成形体の製造方法並びに上記成型体及び／又は被包体を使用した断熱方法を提供する。
【解決手段】シリカを含み、細孔を有しており、細孔径が０．００３μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_{０．００３}に対する、細孔径が０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖの割合Ｒが７０％以上であり、細孔径が０．０５μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_０．０５が０．５ｍＬ／ｇ以上２ｍＬ／ｇ以下であり、３０℃における熱伝導率が０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、成形体。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンから速い速度でボロンを除去する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、水素、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも１種と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによってジェット流を形成しておき、このジェット流にボロンを含有する金属シリコン粉末を供給することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。本発明において、水素と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによって形成されるジェット流の中流に、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも１種を供給することも好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンから速い速度でボロンを除去する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ボロンを含有する金属シリコン多孔質体にプラズマを照射して溶融し、非酸化性雰囲気で冷却することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。前記金属シリコン多孔質体は、充填率が６０％以上であること、金属シリコン粉末を還元性ガス雰囲気下で焼結することによって調製されること、又は金属シリコン粉末を８００℃以上で焼結することによって調製されること、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、シリコンからなる陰極３上に二酸化ケイ素４を載置させた状態で当該二酸化ケイ素４を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】不純物としてＰを含有するシリコンとスラグを加熱してそれぞれを溶融し、シリコンとスラグを溶融状態で接触させてシリコン中のＰをスラグに吸収させ、次いでこれらを冷却・固化し、Ｐを吸収させたスラグをシリコンから分離除去する第一工程を少なくとも１回行った後、得られたシリコンを解砕し、これを無機酸を含む水溶液にて処理する第二工程を行うことによりシリコン中に含まれるＰを除去するシリコンの精製方法であって、スラグの組成が、少なくとも１種の塩基性酸化物を含み、この塩基性酸化物と、中性酸化物、酸性酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、及びアルカリ土類金属ハロゲン化物から選ばれる混合物からなり、かつ酸性酸化物を含む場合は、酸性酸化物の含有量が塩基性酸化物の含有量よりも少ない組成であるシリコンの精製方法。
【効果】従来の精製方法よりも安価に効率よくシリコン中のＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】
ある程度の繰り返し使用を可能とし、るつぼの確保にかかるコストダウンを図るとともに、産業廃棄物の排出を抑え、るつぼの交換頻度の低下に伴う太陽電池用ポリシリコンの製造効率を向上させることが可能なポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法の提供。
【解決手段】
アルミナからなるポリシリコン融解用るつぼであって、ポリシリコン融液と接触する側のるつぼ本体表面に形成され、前記アルミナの融点よりも低温度で融解する低温融解層と、前記低温融解層の層上に窒化シリコンを含むコーティング層とを備えたポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストのシリコンインゴット製造用角形容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための容器であって、少なくとも表層部分がシリカガラスから成り、内部部分がシリカよりも高い融点を有する耐熱性物質から成る平行平板状の多孔質シリカ複合板体が組み合わされて構成された角形容器であるシリコンインゴット製造用角形シリカ複合容器。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及びより良い収率を達成することができる方法を提供する。
【解決手段】高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第２の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた分散性を実現しつつ帯電量の十分な経時安定性を実現し、且つ画像形成装置のクリーニングの作業性を向上することができる疎水性シリカ微粒子を提供する。
【解決手段】本発明の疎水性シリカ微粒子は、シリコーンオイルで疎水化処理された疎水性シリカ微粒子であり、粉末表面に残存する炭素含有量が５．０〜１０ｗｔ％であり、疎水率が９５％以上であって、平均一次粒子経が７〜２５ｎｍ、遊離炭素量が３．０〜５．０ｗｔ％であるもの又は平均一次粒子経が２５〜４０ｎｍ、遊離炭素量が１．０〜３．０ｗｔ％であるもの。 （もっと読む）

【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む洗浄方法および洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．５０以上０．７５以下及び未溶解率が０．２５より大きく０．６０以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属不純物がより少なくかつ緻密なシリカ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】１）アルカリ触媒及び水を含む母液を調製する工程及び
２）ケイ酸アルキルを加水分解して得られた加水分解液を前記母液に添加する工程
を含むコロイダルシリカの製造方法であって、
前記加水分解液を前記母液に添加する添加速度が、４１ｇシリカ／時／ｋｇ母液以下であることを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】ホウ素化合物量を低減した多結晶シリコンの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明においては、トリクロロシラン（ＴＣＳ）タンク２ａと一連の蒸留ユニット４〜６とを接続するトリクロロシラン（ＴＣＳ）ライン２２においてＡｒガスを供給する。蒸留ユニット４〜６は、圧力変換器４ｅ〜６ｅと、蒸留ユニット４〜６からのベントガスを排出する排気ライン２６上に位置づけられた圧力独立制御弁（ＰＩＣ−Ｖ）４ｆ〜６ｆとを有する。Ａｒガスは、ＰＩＣ−Ｖ４ｆ〜６ｆを開放するよう設定された圧力より高い圧力を有するＴＣＳライン２２へと供給される。ベントガスを蒸留ユニット４〜６から連続的に排出しつつ、ＴＣＳは蒸留ユニット４〜６により蒸留される。 （もっと読む）

【課題】粒子径が小さく、流動性に優れ、樹脂への分散性に優れたシリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペ−ストを提供する。
【解決手段】流動性に優れ、樹脂への分散性に優れたシリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペ−ストであって、シリカ系微粒子の平均粒子径が５０〜１０００ｎｍの範囲にあり、該シリカ系微粒子は限外濾過膜処理および／またはイオン交換処理し、ついで乾燥して得られたものである。シリカ系微粒子のアルカリ金属の含有量は２０ｐｐｍ以下であり、ペ−スト注のシリカ系微粒子の含有量は３０〜９０重量％の範囲にある。 （もっと読む）