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Fターム[4G072TT21]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 性質 (2,293) | 不純物量 (306) | U、Th (5)

Fターム[4G072TT21]に分類される特許

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【課題】低ウラン濃度のシリカ粉体が低コストで製造できる製造方法の提供。
【解決手段】ウラン含有量が1ppb以下のケイ石破砕物を高速気体中にて互いに衝突させて粉砕し粉砕物にする粉砕工程と、その粉砕物を火炎中に投入して溶融球状化する溶融球状化工程とを有することを特徴とする。つまり、極力、粉砕装置に接触させることなく粉砕操作ができる方法を採用することで粉砕装置からのウランの混入を防止できる。特に、粉砕工程はエラストマーにてライニングされた粉砕容器中にて行うことで、高速気流に乗ったシリカ粉体が粉砕装置の粉砕容器の壁に衝突し、容器の壁からの混入の可能性を減らすことができる。また、高分子材料からのウラン除去は比較的簡単なので、万が一、高分子材料が混入してもウランの混入が抑制できる上、高分子材料が粉砕物中に混入してもその後の溶融球状化工程において酸化・飛散するので問題になり難い。 (もっと読む)


【課題】原料のケイ石よりも高純度のシリカ原料を製造する方法の提供。
【解決手段】天然ケイ石中における不純物は天然ケイ石の結晶粒界に集中しており、天然ケイ石を結晶粒界が現れる程度に粉砕した後に結晶粒界を酸によって溶解除去することで純度が高いシリカ原料が得られることを発見した。本発明の高純度シリカ原料の製造方法は、結晶粒界に沿ってケイ石原料を粉砕する工程と、フッ酸を含有する酸溶液にて前記粉砕物を洗浄する洗浄工程と、を有することを特徴とする。つまり、ケイ石原料を粉砕することで結晶粒界を露出させた状態として、酸溶液にて結晶粒界を除去することで、不純物を優先的に除去することが可能になり、高純度のシリカ原料を得ることができる。効果的に結晶粒界を露出する目的で、前記粉砕工程の前に、400℃以上に前記ケイ石原料を加熱し冷却液に投入する熱処理工程を有することが望ましい。 (もっと読む)


【課題】ウラン含有量と共にリン含有量についても制御を行い、半導体封止材に適用した場合に、より高い性能が実現できる金属ケイ素粉末を提供すること。
【解決手段】ウラン元素を質量基準で10ppb以下、リン元素を質量基準で100ppm以下、1ppm以上含有することを特徴とする。球状シリカ粉末を製造して半導体封止材に適用する場合に、ウラン含有量を低減して用いるような高い性能が要求される用途であっても高い性能を発揮することが可能になる。具体的にはリンを所定範囲内に制御することで、球状シリカ粉末を製造した場合に、樹脂組成物を構成する有機樹脂材料に対する濡れ性を向上することが可能になると共に、樹脂組成物の電気伝導度を低減することが可能になっている。 (もっと読む)


【課題】半導体封止材に用いられる球状シリカ粉末の原料となる金属ケイ素粉末の提供。
【解決手段】ウラン元素を質量基準で10ppb以下、リン元素を質量基準で500ppm以下、1ppm以上含有し、アルミニウム元素を質量基準で5%以下であって、リン元素との質量比(アルミニウム元素)/(リン元素)が2以上になるように含有することを特徴とする。リンを所定範囲内に制御した上で、アルミニウム元素の含有量を規定することで、球状シリカ粉末を製造した場合に、樹脂組成物を構成する有機樹脂材料に対する濡れ性を向上することが可能になると共に、樹脂組成物の電気伝導度を低減することが可能になっている。ここで、アルミニウム元素の作用としてはリン元素由来のリン酸と反応して水に不溶のリン酸アルミニウムを形成することで、電気伝導度に影響を与えるリン酸の溶出が防止できることに由来するもと考えられる。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージなどに用いられる樹脂組成物に好適な球状シリカ粒子の提供。
【解決手段】一般的に球状シリカ粒子中において、不純物と認識され、できる限り除去することが好ましいと考えられていた、アルミニウム元素などの13族元素が樹脂組成物中において粘度を低下させる作用を発揮するばかりか、半導体パッケージにおける封止材に適用した場合でもこれといった悪影響の発現もない。本発明の球状シリカ粒子は、ウラン元素を質量基準で0.5ppb以下、周期表の13族元素から選択される一種以上の添加元素を質量基準で40ppm以上、410ppm未満含有し、真球度が0.8以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


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