【課題】廉価にゲッタリング効果を得つつ高品質化を図る。
【解決手段】溶融シリコンを坩堝内の下方から上方に向けて一方向に凝固させることにより生成させた多結晶シリコンインゴットであって、上端部および下端部における酸素濃度が、この上端部とこの下端部との間の中央部における酸素濃度より高い。また、上端部における酸素濃度が下端部における酸素濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】高圧化・高負荷化・高速化された反応系においても、ポップコーンの発生が抑制され、高純度な多結晶シリコン棒を安定的に製造するための技術を提供すること。
【解決手段】本発明では、シリコン芯線上にシリコンを析出させて多結晶シリコン棒を得る多結晶シリコンの製造方法において、析出反応の初期段階（前段工程）では原料ガスを反応炉に大量に供給することにより反応速度を上げることはせず供給する原料ガスの濃度を高濃度とすることにより反応速度を上げ、当該前段工程の後の後段工程では反応炉内に原料ガスを高速で吹き込むことにより生じる高速強制対流の効果を利用してポップコーンの発生確率を低く抑えることとした。これにより、高圧化・高負荷化・高速化された反応系においても、ポップコーンが少なく、かつ、高純度な多結晶シリコン棒を、生産効率を低下させることなく製造することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】熱交換器を通過した後のテトラクロロシランおよび水素の温度に熱変動が生じた場合でも、高い転換効率でトリクロロシランを製造することができるトリクロロシランの製造方法を提供する。
【解決手段】金属シリコンとテトラクロロシランおよび水素を含む混合ガスを反応させてトリクロロシランを製造する方法であって、反応により生じたガスと混合ガスとを熱交換させる熱交換工程と、熱交換した前記混合ガスをその反応温度以下まで金属製ヒーターにより加熱する加熱工程と、加熱工程により加熱された混合ガスを反応可能な温度に発熱させたカーボン製ヒーターに接触させて加熱する事前転化反応工程と、前記事前転化反応工程により加熱された混合ガスと金属シリコンとを反応させてトリクロロシランを含む反応ガスを生成する転化反応工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基材表面に塗布して焼成したときに耐薬液性に優れた多孔質シリカ膜を得ることが可能な前駆体塗布液を提供する。
【解決手段】多孔質シリカ膜の形成に用いられる前駆体塗布液の作製方法であって、官能基を有するアルコキシシランを界面活性剤と共に溶媒に溶解させ、この溶解させたアルコキシシランを触媒存在下で加水分解及び脱水縮合して第１のゾルを得る第１工程と、第１のゾルにテトラアルコキシシランもしくはその重合体を添加し、第１のゾルに含まれる脱水縮合物とテトラアルコキシシランもしくはその重合体を加水分解及び脱水縮合して第２のゾルを得る第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ製造用シリコンインゴットを砥粒として炭化ケイ素又はダイヤモンドを用いた砥粒方式により切削する際に発生する砥粒含有廃シリコンの処理物から高い収率でハロシランを製造する方法を提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素又はダイヤモンドからなる砥粒を含有する廃シリコン処理物を用いる方法であって、砥粒含有廃シリコンスラリーから砥粒を主成分とする固形分を分離することなくハロゲン化水素と反応させるハロシランの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が２０％以上１００％以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】本発明では、高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせずに、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を製造する方法を提供する。また、本発明では、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を提供する。
【解決手段】半導体積層体を製造する本発明の方法は、基材の表面上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結シリコン膜１２０を形成する工程、及び未焼結シリコン膜に光２００を照射して、半導体シリコン膜１３０ａを形成する工程を含み、かつ基材の表面１００ａに対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。本発明の半導体積層体は、この半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、かつ基材の表面に対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法により多結晶シリコンを製造する際のシリコン芯線の効率的な加熱を実現し、シリコン芯線へのダメージを軽減するとともに、カーボンヒータの寿命を延ばし得る技術を提供すること。
【解決手段】水素ガス気密テスト完了後に一旦炉内圧力を所定の値にまで下げ、多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低い炉内圧力下でシリコン芯線を通電加熱する。シリコン芯線１２のバルク温度は、カーボンヒータ１４からの輻射熱量、シリコン芯線１２から雰囲気ガスへの対流伝熱量、シリコン芯線ホルダへの伝導伝熱量、ベルジャ１やベースプレート５への輻射熱量等のバランスによって決まり、入熱量が不変でも出熱量が低下すればシリコン芯線１２のバルク温度は上昇する。本発明においては、シリコン芯線１２の表面から対流により奪われる熱量を抑えるため、初期加熱工程時の炉内圧力を多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低く設定する。 （もっと読む）

【課題】処理剤を用いて溶融シリコン中の不純物を除去する際、系内における処理剤の飛散と溶融シリコンの飛散とを防止でき、処理剤を溶融シリコンに確実に接触させることができ、不純物との反応に効率的に寄与させることが可能な、シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】系内の溶融シリコンの上方から液状の処理剤を添加する、添加工程と、溶融シリコン中の不純物と処理剤とを反応させ、不純物を系外に除去する、除去工程とを有する、シリコンの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池用正極材料として有用であり、新規なリチウムシリケート系材料を提供する。
【解決手段】Li_1.5FeSiO_4.25で表されるリチウムシリケート系化合物。リチウム（Li）と、鉄（Fe）と、シリコン（Si）と、酸素（O）とからなるリチウムシリケート系化合物であり、組成式：Li_1+2δFeSiO_4+δ-C(-0.25≦δ≦0.25、0≦C≦0.5)で表されることを特徴とするリチウムシリケート系化合物。鉄(Fe)が三価に存在できるので、Li₂FeSiO₄に比べて化学的安定性に優れている。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の上に、膜厚みの均一性に優れた凹凸膜が形成されたウエハを提供する。また、結晶基板の上に、膜厚みの均一性に優れた凹凸膜が形成されたウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶基板に凹凸膜が形成された凹凸膜付きウエハであって、該凹凸膜は、最大厚みの平均が０．０５〜５μｍであり、シロキサンオリゴマーを含み、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定による炭素、酸素、ケイ素の各原子数の合計に対するケイ素原子の含有率が５〜３３ａｔｏｍ％であり、残膜厚みの均一性が２５％以下であることを特徴とする凹凸膜付きウエハ。
凹凸形状を表面に有する支持体フィルムの上に、最大厚みの平均が０．０５〜５μｍであり、シロキサンオリゴマーを含み、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定による炭素、酸素、ケイ素の各原子数の合計に対するケイ素原子の含有率が５〜３３ａｔｏｍ％である凹凸膜が積層された転写フィルムから、結晶基板の上に前記凹凸膜を転写することを特徴とする凹凸膜付きウエハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】転化炉の転化反応ガスからホウ素化合物等の不純物を効果的に除去して高純度のトリクロロシランを製造する。
【解決手段】転化炉２内の反応により得られたトリクロロシランを含む転化反応ガスを蒸留してテトラクロロシランを分離した後、該テトラクロロシランを分離した後の混合流体をポリマーに接触させて反応させ、その反応により生じたホウ素化合物を含む反応流体を蒸留することにより、トリクロロシランを分離精製する。 （もっと読む）

【課題】金属イオンを吸着したシリカおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属イオンを吸着したシリカは、過硫酸塩で修飾された金属イオンを吸着したシリカである。この製造方法は、以下のステップを含む。まず、シリカおよび過硫酸塩を含む溶液を提供する。続いて、溶液を加熱して、シリカと過硫酸塩を反応させ、過硫酸塩で修飾されたシリカを得る。それから、溶液中に金属イオン源を加えて、金属イオン源から金属イオンを解離させ、過硫酸塩で修飾されたシリカに金属イオンを吸着させて、金属イオンを吸着したシリカを得る。 （もっと読む）

【課題】微粒子状炭素がシリカ骨格の内部にまで均一に分散した状態にあって優れた電気伝導性を示すシリカ・炭素複合多孔質体と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ・炭素複合多孔質体は、界面活性剤によって水に分散させた微粒子状の炭素と、アルカリ金属ケイ酸塩水溶液と、鉱酸とを混合することにより、アルカリ金属ケイ酸塩と鉱酸との反応生成物であるシリカと微粒子状の炭素が均一に分散した共分散体を作製し、当該共分散体中に含まれるシリカをゲル化させ、共分散体を多孔質化することによって得られる。このシリカ・炭素複合多孔質体は、比表面積が２０−１０００ｍ²／ｇ、細孔容積が０．３−２．０ｍｌ／ｇ、平均細孔径が２−１００ｎｍに調製される。このようなシリカ・炭素複合多孔質体は、微粒子状炭素がシリカ骨格の内部に均一に分散した状態にあり、優れた電気伝導性を示す。 （もっと読む）

【課題】高い固体含量と高いｐＨを有するフュームド金属酸化物の安定な分散体の改良された製造方法の提供。
【解決手段】次の連続段階を含む、液体キャリア中にフュームド金属酸化物の分散体を製造する方法：（a）ｐＨ約８での金属酸化物の水への溶解速度以上の速度で該金属酸化物が溶解するｐＨを有する液体キャリアを用意し、（ｂ）フュームド金属酸化物および金属イオン源の両方につき、該フュームド金属酸化物および該金属イオン源の１アリコート以上と液体キャリアとを、いかなる順序でも、混合して分散体が凝固しないような分散体を形成し、そして（ｃ）任意で、段階（ａ）における液体キャリアのｐＨに分散体のｐＨを調節する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を利用し、高機能材料となる金属シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属シリコンの製造方法は、珪藻土の細孔内部に、炭素物質、難分解性有機塩素化合物又は有機物を混合又は吸収させ、不活性ガス、水素ガス、窒素ガス、空気又は真空雰囲気下で加熱することにより、炭素源と二酸化珪素の接触面積を増大させ、効率よく金属シリコンを製造することができる。また、前記有機物が、使用済珪藻土濾過助剤に充填された有機物である。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法による多結晶シリコンの製造に用いられる反応装置の地絡の発生を防止すること。
【解決手段】前バッチ後に次バッチの多結晶シリコンの析出反応の準備を行うに際し、電極回りが十分に清浄化されているか否かの判断基準となる絶縁抵抗値Ｒ₀を設定し（Ｓ１０１）、電極回りの清掃後に、電極とベースプレートとの間の絶縁抵抗測定を行う（Ｓ１０２）。この絶縁抵抗値Ｒを上記基準値Ｒ₀と比較し、ＲがＲ₀以上である場合（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、電極回りが十分に清浄化されていると判断して次の工程（例えば、次バッチの多結晶シリコンの析出反応工程）に移行する（Ｓ１０４）。一方、ＲがＲ₀を下回る場合（Ｓ１０３：Ｎｏ）、電極回りが十分に清浄化されていないと判断し、炉内（特に、電極とベースプレートの間に設けられた絶縁部材）の清掃および乾燥を行う（Ｓ１０５）。そして、ステップＳ１０２に戻り、以降のステップを実施する。 （もっと読む）

【課題】
シリカ膜の形成において、膜厚が厚くクラックの発生を抑えたシリカ膜の容易な形成方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、シリカ膜の形成において、プレカーサとして条件を制御したシリコンアルコキシドの加水分解・脱水縮重合物にシリカフィラーを０〜５０ｖｏｌ％になるように混合した組成物を用い、プレカーサに紫外線を照射することによって、加熱することなくクラックの発生を抑えたシリカ膜を形成する。 （もっと読む）