【課題】ＳｉＣ異物が少なく、高品質かつ大きなサイズの多結晶シリコンインゴットを製造することができる、多結晶シリコンインゴット製造装置を提供すること。
【解決手段】上方開口部を有する坩堝と、前記坩堝の外周に設けられて坩堝内に収容されたシリコン原料を加熱し溶融する加熱部と、前記坩堝と前記加熱部とを相対的に上下方向に移動させる移動機構と、不活性ガス導入孔を有すると共に前記坩堝の上方開口部を開閉可能に覆うカバーと、前記不活性ガス導入孔へ不活性ガスを導入する不活性ガス導入管とを備えたことを特徴とする、多結晶シリコンインゴット製造装置。 （もっと読む）

【課題】冷却ルツボの内面が損耗するのを軽減できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボ７を誘導コイル８内に配置し、誘導コイル８による電磁誘導加熱により、冷却ルツボ７内に投入されたシリコン原料を溶解させて溶融シリコン１３を形成し、冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する方法において、誘導コイル８に供給される交流電流の周波数を、その標準偏差を０．０２５〜０．０５０ｋＨｚ、かつ、その平均値を２５〜３５ｋＨｚにして変動させることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。本発明は、誘導コイルに供給される交流電流の周波数を変動させる際、誘導コイルに供給８される交流電流の周波数に応じ、冷却ルツボ７内に連続投入するシリコン原料の投入速度を調整して変動させるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】坩堝２０と、坩堝２０の側方に位置するヒータと、坩堝２０の底面部と接触して位置する載置台４０とを備える。載置台４０においては、周側部における熱伝導の方が中央部における熱伝導より大きい。 （もっと読む）

【課題】廉価にゲッタリング効果を得つつ高品質化を図る。
【解決手段】溶融シリコンを坩堝内の下方から上方に向けて一方向に凝固させることにより生成させた多結晶シリコンインゴットであって、上端部および下端部における酸素濃度が、この上端部とこの下端部との間の中央部における酸素濃度より高い。また、上端部における酸素濃度が下端部における酸素濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】凝固偏析により金属融液から得られた精製塊中の不純物濃度を簡易にスクリーニングし得る金属精製塊の検査方法、それを含む高純度金属の製造方法およびその用途を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含む金属融液に精製塊支持体を接触させ、次いで凝固偏析により前記精製塊支持体の表面に析出させた前記金属融液の金属精製塊に含まれる不純物濃度により規定される前記金属精製塊の良または不良を、前記金属精製塊外周面の表面状態に基づいて検査することを特徴とする金属精製塊の検査方法により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層２を利用して、複数のシリコン粒子３４が前記核形成促進層２上にシリコン融液３２から核形成するとともに、シリコン融液３２を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。 （もっと読む）

【課題】シリコン原料の初期溶解時において溶融シリコンの差し込みを発生させることなく、多結晶シリコンインゴットの円滑な引き下げを可能とする多結晶シリコンの連続鋳造方法および連続鋳造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料の初期溶解時に、無底冷却ルツボ内のダミーブロックと前記無底冷却ルツボ側壁とで形成される隙間に不燃性部材を装入する。前記不燃性部材を石英ウールとすれば、不燃性部材による溶融シリコン中への汚染を最小限にすることができる。この方法は、前記ダミーブロックと前記無底ルツボとで形成される隙間に、不燃性部材が装入されていることを特徴とする本発明の多結晶シリコンの連続鋳造装置により容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生成する金属Ｓｉの収率を落とさず、かつ作業効率を落とさずに、太陽電池や化学製品などを製造するための原料となる高純度金属Ｓｉを製造可能な高純度金属Ｓｉの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】アーク炉１内に原料７としてのＳｉＯ_２を主成分とするシリコン鉱石並びにＳｉＣ及び炭素系還元剤を含有した還元剤を供給し、ＳｉＯ_２を還元することにより、金属Ｓｉ９を製造する方法であって、この還元剤の全量を１００％とした場合に、前記還元剤中のＳｉＣ量をモル比で２０〜８０％とすると共に、残部を炭素系還元剤とし、且つ、前記還元剤中に含まれるＰおよびＢの合計量を２０質量ｐｐｍ以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部２１が周側部２２より厚い。 （もっと読む）

【課題】停炉に至るまでの期間を従来よりも長くし、精製シリコンの製造コストの低減および生産性の向上を実現することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】坩堝内の溶融シリコンが第２の所定量ｍとなるまでシリコン凝固塊を引き上げる工程を含む精製サイクルの後に第２の所定量ｍの値を大きくして次の精製サイクルを行なうシリコンの精製方法である。 （もっと読む）

【課題】高圧化・高負荷化・高速化された反応系においても、ポップコーンの発生が抑制され、高純度な多結晶シリコン棒を安定的に製造するための技術を提供すること。
【解決手段】本発明では、シリコン芯線上にシリコンを析出させて多結晶シリコン棒を得る多結晶シリコンの製造方法において、析出反応の初期段階（前段工程）では原料ガスを反応炉に大量に供給することにより反応速度を上げることはせず供給する原料ガスの濃度を高濃度とすることにより反応速度を上げ、当該前段工程の後の後段工程では反応炉内に原料ガスを高速で吹き込むことにより生じる高速強制対流の効果を利用してポップコーンの発生確率を低く抑えることとした。これにより、高圧化・高負荷化・高速化された反応系においても、ポップコーンが少なく、かつ、高純度な多結晶シリコン棒を、生産効率を低下させることなく製造することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせずに、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を製造する方法を提供する。また、本発明では、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を提供する。
【解決手段】半導体積層体を製造する本発明の方法は、基材の表面上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結シリコン膜１２０を形成する工程、及び未焼結シリコン膜に光２００を照射して、半導体シリコン膜１３０ａを形成する工程を含み、かつ基材の表面１００ａに対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。本発明の半導体積層体は、この半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、かつ基材の表面に対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ製造用シリコンインゴットを砥粒として炭化ケイ素又はダイヤモンドを用いた砥粒方式により切削する際に発生する砥粒含有廃シリコンの処理物から高い収率でハロシランを製造する方法を提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素又はダイヤモンドからなる砥粒を含有する廃シリコン処理物を用いる方法であって、砥粒含有廃シリコンスラリーから砥粒を主成分とする固形分を分離することなくハロゲン化水素と反応させるハロシランの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法により多結晶シリコンを製造する際のシリコン芯線の効率的な加熱を実現し、シリコン芯線へのダメージを軽減するとともに、カーボンヒータの寿命を延ばし得る技術を提供すること。
【解決手段】水素ガス気密テスト完了後に一旦炉内圧力を所定の値にまで下げ、多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低い炉内圧力下でシリコン芯線を通電加熱する。シリコン芯線１２のバルク温度は、カーボンヒータ１４からの輻射熱量、シリコン芯線１２から雰囲気ガスへの対流伝熱量、シリコン芯線ホルダへの伝導伝熱量、ベルジャ１やベースプレート５への輻射熱量等のバランスによって決まり、入熱量が不変でも出熱量が低下すればシリコン芯線１２のバルク温度は上昇する。本発明においては、シリコン芯線１２の表面から対流により奪われる熱量を抑えるため、初期加熱工程時の炉内圧力を多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低く設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の濃度のポリシリコン溶液を直接製造することができ、ポリシリコンの製造に必要な時間とコストを大幅に短縮することができるソーラーグレードポリシリコンの真空循環精錬装置及びソーラーグレードポリシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】真空脱ガス炉と、循環法真空処理炉とからなる。真空脱ガス炉は、真空室と、シリコン収容部と、希ガス取り込み装置と、からなる。その内、真空室は、第一真空ノズルと、結合孔とを備える。シリコン収容部は、真空室内に設けられるとともに、結合孔の下方に配置される。希ガス取り込み装置は、シリコン収容部に設けられる。循環法真空処理炉は、第二真空ノズルと単一ノズル連通管とからなり、前記単一ノズル連通管は、前記結合孔を介して前記シリコン収容部に差し込まれる。 （もっと読む）

【課題】処理剤を用いて溶融シリコン中の不純物を除去する際、処理剤を溶融シリコンに確実に接触させることができ、不純物との反応に効率的に寄与させることが可能な、シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】系内の溶融シリコンの液面よりも下方に処理剤を押し込む、押込工程と、溶融シリコン中の不純物と処理剤とを反応させ、該不純物を系外に除去する、除去工程とを有する、シリコンの製造方法とする。 （もっと読む）