【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを抑制可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】鋳型２の内側に設けられた、５００〜１５００μｍの粗大溶融シリカ砂３１をシリカで結合した外層スタッコ層３０を少なくとも１層含む外層シリカ層３と、外層シリカ層３の内側に設けられた、５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂４１をシリカで結合した内層スタッコ層４０を少なくとも１層含む内層シリカ層４と、を備え、内層シリカ層４の最表面の内層スタッコ層４０’が、平均粒径０．１〜０．０１μｍの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有することを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ１を選択する。 （もっと読む）

【課題】より結晶成長に適した温度勾配を形成でき、品質の高い結晶を製造できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】上端に開口３１を有し、下端に底部３２を有するるつぼ３と、るつぼ３を包囲し、るつぼ３の上下方向に沿って第１の位置と第２の位置の間を移動できる加熱装置２とを有しており、加熱装置２が稼動すると、るつぼ３の底部３２の側から開口３１の側に向かう順に、第１の温度域２０１と、第１の温度域２０１よりも温度が高い第２の温度域２０２とがそれぞれ画成され、加熱装置２が前記第１の位置にあるときに、るつぼ３は第２の温度域２０２にあり、加熱装置２が前記第２の位置にあるときに、るつぼ３は第１の温度域２０１にあることを特徴とした結晶成長装置。 （もっと読む）

【課題】予め選択された平均凝集体粒子直径を有する凝集体金属酸化物粒子の分散体を調製する方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物粒子の平均凝集体粒子直径における所望の低下百分率を予め選択する工程、凝集体金属酸化物粒子の分散体に関する分散標準であって（ｉ）該分散体の固体濃度と（ｉｉ）該分散体が高せん断ミキサーにおいて粉砕された場合に起こる凝集体金属酸化物粒子の凝集体粒子直径における低下百分率とを関連付ける分散標準を提供する工程、並びに凝集体金属酸化物粒子の分散体を該標準によって決定された固体濃度の１０％以内の固体濃度で高せん断粉砕装置において調製及び粉砕し、所望の平均凝集体粒子直径を有する凝集体金属酸化物粒子の分散体を提供する工程を含む方法が提供される。さらに、凝集体金属酸化物粒子の平均凝集体粒子直径を低減するための方法及び当該方法によって調製された分散体が提供される。 （もっと読む）

【課題】 外径が小さく且つ単分散性に優れたシリカナノチューブが高度に集積化されたシリカナノチューブ会合体を短時間で簡便に製造する方法を提供すること。
【解決手段】 （Ｉ）ポリオキサゾリンを酸性条件下で加水分解し、ポリエチレンイミンの塩酸塩粉末を得る（ＩＩ）工程（Ｉ）で得た塩酸塩粉末を水中に溶解し水溶液を得る（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）で得た水溶液に塩基性化合物を加え、ポリエチレンイミンの結晶性フィラメントの会合体を得る（ＩＶ）工程（ＩＩＩ）で得た会合体を単離する（Ｖ）工程（ＩＶ）で単離した会合体を水性媒体中に分散し、シリカソースを加え、ポリエチレンイミンの芯とこれを被覆するシリカとからなる複合ナノファイバーの会合体を得る（ＶＩ）工程（Ｖ）で得た会合体を加熱焼成してポリエチレンイミンの芯を除去し、中空構造を発現させる工程を有するシリカナノチューブ会合体の製造方法 （もっと読む）

本発明は、様々なフッ化原料と非晶質シリカ（ＳｉＯ_２）及び硫酸を用いたテトラフルオロシラン（ＳｉＦ_４）の連続式製造方法に関する。本発明によれば、テトラフルオロシランの収率を高めることができ、低コストで環境に優しくテトラフルオロシランを連続製造できる。さらに、反応時に発生するフッ化水素の量を最小化し、装置の腐食を最小化することができ、ＳｉＦ_４と水の混合ガスである反応生成物を、高温でＨ_２ＳＯ_４スクラバーに通過させ、水を除去し、凝結された水とＳｉＦ_４の副反応によるシリカゲル及びヘキサフルオロケイ酸の発生を防止し得ることによって、配管の目詰まりやＳｉＦ_４の収率低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性及び光特性に優れたシリコンナノワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンナノワイヤは、金属ナノクラスターが、シリコンナノ構造体の表面上に形成されてなる点に特徴を有する。金属ナノクラスターは、シリコンナノワイヤの電気的特性及び光学的特性を向上させる役割を果たす。よって、本発明のシリコンナノワイヤは、リチウム電池、太陽電池、バイオセンサー、メモリ素子などの多様な電気素子に有効に使用できる。 （もっと読む）

【課題】熱電変換素子に好適な、優れた熱電変換特性を有するＳｉクラスレート化合物を
用いた熱電変換材料を提供する。
【解決手段】クラスレート化合物Ａ_ａＭ_ｂＱ_ｃＳｉ_{４６−ｂ−ｃ}（元素Ａは、Ｂａ、Ｓｒ
から選択した１成分以上の元素、元素Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選択した１成分以上の
元素、元素Ｑは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選択した１成分以上の元素）を用いた熱電変換材
料であって、Ｄ＝−２ａ＋３ｂ＋ｃで定義されるＤ値が−３以上である。好ましくは、ａ
が７．７以上８．０以下、かつｂが３．４以上３．９以下、かつｃが２．２以上３．６以
下である。また、焼結密度が理論密度の９５％を超える焼結体であること、クラスレート
化合物相の最強ピーク比が８５％以上であることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化が抑制され、狭エネルギーギャップ材料として好適なゲルマニウム多結晶またはシリコンゲルマニウム多結晶を提供すること
【解決手段】不純物として酸素及び炭素を含む多結晶ゲルマニウム、または不純物として酸素及び炭素を含むゲルマニウムを５０原子数％を超える量含有する多結晶シリコンゲルマニウムを製造する。 （もっと読む）

半導体材料の物品の製造方法には、その物品のための目標厚さを選択するステップと次に、鋳型の外部表面上に半導体材料の固体層を形成するために有効な潜没時間だけ溶融半導体材料中に鋳型を潜没させるステップとが関与し、ここで固体層の厚さは目標厚さと実質的に等しい。潜没時間は、鋳型の組成、鋳型の厚さおよび初期鋳型温度を含めた特定の属性を有する鋳型のための固体層厚さと潜没時間の関係のプロットから決定される遷移時間に実質的に等しくなるように選択される。遷移時間ひいては潜没時間は、特定の鋳型のための固体層厚さ対潜没時間の曲線における固体層厚さの最大値に対応する。
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本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
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本発明は、少なくとも１種の無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を含有する組成物を、前記組成物を少なくとも１種の有機アミノ官能化ポリマー吸着剤と接触させ、かつ異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が低下されている組成物を取得することにより、処理する方法、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量の減少のための吸着剤の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】石炭と金属酸化物、二酸化ケイ素及び硫黄化合物を含有するフライアッシュを効率的に分離し、クリーンな処理石炭および二酸化ケイ素の製造方法を提供する。
【解決手段】処理石炭３８及び実質的に純粋な二酸化ケイ素４５を製造する方法は、［１］石炭とフライアッシュとの混合物２３をフッ化水素水溶液と反応させて、フッ化ケイ素と金属フッ化物とを含有する液体流２７及び未反応石炭と硫黄化合物とを含有する固体流２９を生じさせ、［２］硫黄化合物を水に溶解した金属硝酸塩と反応させて硝酸イオン、金属イオン及び硫黄イオンの水溶液を生成し、［３］硝酸イオン、硫黄イオン及び金属イオンの水溶液を固体石炭３８と分離し、［４］この処理石炭３８を水で洗浄し、［５］フッ化ケイ素及び金属フッ化物を金属硝酸塩と水性混合物中で反応させて固体二酸化ケイ素４５を生成し、固体二酸化ケイ素４５を水性混合物から分離する工程を含む。 （もっと読む）

高密度のシリカシェルを有するコアシェルシリカナノ粒子が提供される。ナノ粒子は、例えば、増強されたフォトルミネセンス及び安定性など、改良された特性を有する。また、前記ナノ粒子を製造するための方法もまた、提供される。
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【課題】蛍光波長が保持され、耐久性及び蛍光強度が増大したナノ粒子・多孔体複合ビーズ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ粒子・多孔体複合ビーズは、多孔体ビーズと、前記多孔体ビーズの表面に近い内部の同心球上に放射状に静電気的引力により結合されているナノ粒子とを含み、前記ナノ粒子は、発光ナノ粒子、又は、発光ナノ粒子と異種ナノ粒子との混合物であり、前記異種ナノ粒子は、磁性ナノ粒子、金属ナノ粒子、及び金属酸化物ナノ粒子からなる群から選択されるいずれか１つ又は２つ以上の混合物である。 （もっと読む）

【課題】物理的衝撃に強い光導電層を製造する。
【解決手段】放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成するＢｉ₁₂ＭＯ₂₀粒子（ただし、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ中の少なくとも1種である）からなる光導電層の製造方法であって、Ｂｉ₁₂ＭＯ₂₀粒子の圧粉体２′を成形し、この圧粉体２′に高分子物質５を含浸させ、含浸させた高分子物質を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ拡散現象を最小化してシリコンナノ粒子の粒度及び品質を向上させることができるＩＣＰを用いたシリコンナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンナノ粒子製造装置は、外壁にＩＣＰコイルが巻き取られており、内部にクォーツチューブが挿入されたクォーツリアクタを含み、シリコンナノ粒子形成のためのシランガスなどの１次ガス及びシリコンナノ粒子の表面反応のための水素、ボロン化合物ガスなどの２次ガスがアルゴンガスと共に前記クォーツチューブの内側及び外側に分離供給されるようにする。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化珪素をアルミニウム粒子と反応させてシリコンを製造する方法において、アルミニウムの残留が抑えられた高純度のシリコンを効率的に得ることを課題とする。
【解決手段】本発明は、複数のアルミニウム粒子と複数のシリコン粒子が混合された状態で、一般式ＳｉＨ_nＸ_4-n（式中、Ｘはハロゲンであり、ｎは０〜３の整数を示す。）で表されるハロゲン化珪素と前記アルミニウム粒子とを反応させることを特徴とするシリコンの製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、シリカート溶液からの高純度ＳｉＯ₂の新規の製造方法、特殊な汚染物質スペクトルを有する新規の高純度ＳｉＯ₂並びにその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性および光特性を有するナノワイヤーを提供する。
【解決手段】コア部とシェル部とからなるシリコンリッチ酸化物を含むナノワイヤーであって、コア部は、結晶性または非晶性のシリコンリッチ酸化物を含み、前記シェル部は、シリカを含む。また、ナノワイヤーの縦軸に沿って、コア部は一列に整列した複数の金属（金、ニッケル、鉄、銀、アルミニウムおよびパラジウムからなる群より選択される少なくとも１種の金属）ナノドットを含み、シェル部はシリコン量子ドットを含む。また、シリコン基板上に金属触媒をコーティングする工程、チャンバーまたはマイクロチャンバーを準備する工程、および前記チャンバーまたは前記マイクロチャンバー内に気体を注入しながら加熱して、前記シリコン基板から拡散または気化したナノワイヤー源を用いてナノワイヤーを形成させる工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】凝集しにくい平均粒子径を有するＢｉ₁₂ＸＯ₂₀粉末を製造ロット間および同一製造ロット内の組成ばらつきを抑制して製造する。
【解決手段】Ｂｉ₁₂ＸＯ₂₀粉末（但し、ＸはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む元素である）を、Ｂｉ元素を有する溶液とＸ元素を有する溶液とを用意する工程（Ａ）と、反応容器２１にあらかじめ供給された母液に対して両溶液を添加して混合液を調製する工程（Ｂ）と、混合液の温度を、添加開始時の温度より上昇させる工程（Ｃ）とを有し、工程（Ｂ）において、混合液中のＢｉ元素とＸ元素の双方の物質量が、添加開始時から並行して増加するように両溶液を添加することにより製造する。 （もっと読む）