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Fターム[4G073BA21]の内容

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【課題】組成や粒径を制御しやすいケイ酸化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】Aa-bbSi1-ccd(AはLi、Na、K、XはZr、Ti、Nb、Ta、Mo、W、ZはP、B、Al、V、G、2<a≦4.4、0≦b<0.9、0≦c≦0.2、dはa、b、c、Xの価数、Zの価数に依存する数)の組成を有するケイ酸A化合物と、Me-ffSi1-ggh(MはFe、Mn、Co、Ni、Mg、Ca、XおよびZは前記と同じ、1<e≦2.2、0≦f<0.5、0≦g≦0.2、hはe、f、g、Mの価数、Xの価数、Zの価数に依存する数)の組成を有するケイ酸M化合物との混合物を加熱し、AijkSi1-mmn(A、M、X、Zは前記と同じ、1.8≦i≦2.2、0.9≦j≦1.1、k≦k≦0.2(i+j+k)、0≦m≦0.2)の組成を有するケイ酸化合物を製造する。 (もっと読む)


【課題】YO2及びX23を含む、BEA骨格構造を有するゼオライト材料を生成するための、有機テンプレート不要の合成プロセスを提供する。
【解決手段】前記プロセスは、(1)種晶、少なくとも1種のYO2供給源及び少なくとも1種のX23供給源を含む混合物を調製する工程;(2)該混合物を結晶化する工程;及び(6)BEA骨格構造を有する前記ゼオライト材料をイオン交換処理に供する工程、を含み、ここで、Yは、四価元素であり、Xは、三価元素であり、該種晶は、BEA骨格構造を有するゼオライト材料含み、工程(6)において、BEA骨格構造を有する前記ゼオライト材料に含まれる少なくとも1つのイオン性の非骨格元素がFe及び/又はCuとイオン交換されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】組成や粒径を制御しやすいケイ酸化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】AabSic-(x+z)xzd1(AはLi、Na、K、MはFe、Mn、Co、Ni、XはZr、Ti、Nb、Ta、Mo、W、Sb、As、ZはP、B、Al、V、S、0.8<a≦2.3、0.8≦b≦1.2、0.9≦c≦1.3、0<x≦0.2、0≦z≦0.3、d1はa、b、c、x、z、Mの価数、Xの価数、およびZの価数に依存し、電気的中性を満たす数)で表される組成を有する溶融物を冷却して得た固化物の粉砕物を加熱して、AabSic-(x+z)xzd(A、M、X、Z、a、b、c、xおよびzは前記と同じ、dはa、b、c、x、z、Mの価数、Xの価数、およびZの価数に依存し、電気的中性を満たす数)で表される組成を有するケイ酸化合物を製造する。 (もっと読む)


【課題】 大きな結晶が得られる層状ケイ酸塩化合物の製造方法の提供。
【解決手段】 SiOとNaOとを含有する混合水溶液を、水熱条件下で反応させる水熱処理工程を含む層状ケイ酸塩化合物の製造方法であって、前記水熱処理工程を実行する前に、前記混合水溶液と、媒体用ボールとを容器内に充填する仕込工程を実行し、前記水熱処理工程において、前記混合水溶液と、媒体用ボールとを充填した容器を水熱条件下に第一所定時間、置いた後、前記媒体用ボールを取り除いて前記混合水溶液を水熱条件下に第二所定時間、置くことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】チタン−シリコン分子ふるいとその製造方法、及びその分子ふるいを用いたシクロヘキサノンオキシムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン−シリコン分子ふるいの製造方法は、チタン源と、シリコン源と、遷移金属源と、テンプレート剤と、水と、を混合する工程と、前記混合物を加熱してゲル混合物を形成する工程と、水熱処理を行う工程と、前記水熱処理を経たゲル混合物を焼成し、チタン−シリコン分子ふるいを得る工程を含む。又、本発明のシクロヘキサノンオキシムの製造方法は、本発明のチタン−シリコン分子ふるいを触媒としてシクロヘキサノンオキシムを製造することで、高い転化率と選択率、並びに過酸化水素の高い使用率が得られる利点を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、均一な細孔径を有し、比表面積、細孔容積が大きい金属酸化物多孔質体、特に結晶性を有する金属酸化物多孔質体を安定的に、しかも細孔径を自由に制御できる製造する方法を提供することにある。
【解決手段】下記工程(a)、(b)及び(c)を含む金属酸化物多孔質体の製造方法。
工程(a):有機ポリマー粒子、有機ポリマー粒子より平均粒径の小さい金属酸化物ナノ粒子及び水系媒体を含有する混合液を調製する。工程(b):前記混合液を乾燥し、有機無機複合体を得る。工程(c):前記有機無機複合体から前記有機ポリマー粒子を除去し、細孔径が細孔壁の金属酸化物の結晶子サイズより大きく、特定の比表面積、空孔率を有する金属酸化物多孔質体を得る。 (もっと読む)


【課題】サイクル特性に優れた非水電解質二次電池を与える正極活物質を提供する。
【解決手段】正極活物質は、LizFe1−x1−ySi(但し、式中、MはZr、Sn、Y、及びAlから選択される少なくとも1種の金属元素であり、xは0.05<x<1であり、yは0.05<y<1である。)で表される組成を有するリチウム含有複合金属酸化物を含み、1>z>0.9〜0.75の範囲および0.25〜0.1>z>0の範囲では上記一般式で表されるリチウム含有複合酸化物からなる単一結晶相であり、0.9〜0.75>z>0.25〜0.1の範囲では、2相の結晶相が共存する。 (もっと読む)


【課題】少なくとも1つの多孔質酸化物材料を含有しかつ固定床中で触媒として使用されるべき十分な機械的安定性を有する成形品を提供する。
【解決手段】次の工程:
(I)少なくとも1つのアルコールおよび水を含有する混合物を、多孔質酸化物材料を含有する混合物またはこの中の2種類以上からなる混合物に添加し、かつ
(II)添加後に工程(I)による混合物を混練し、成形し、乾燥し、かつ焼成することを有する方法によって得ることができる、少なくとも1つの多孔質酸化物材料を含有する。 (もっと読む)


【課題】結晶性ケイ素含有酸化物構造とメソ・マクロ細孔構造を併せ持った材料の、新規な製造技術を提供する。
【解決手段】以下の工程1、工程2、工程3を含む、ミクロ細孔とメソ・マクロ細孔を有する結晶性ケイ素含有酸化物の製造方法:
工程1:エポキシ樹脂、ケイ素アルコキシド及び酸無水物を含有する混合物を反応させてケイ素含有酸化物−エポキシ樹脂複合体を形成する工程、
工程2:得られた複合体をアルカリ性条件下で水熱処理してケイ素含有酸化物を結晶化させる工程、
工程3:工程2で得られた結晶性ケイ素含有酸化物−エポキシ樹脂複合体から有機成分を除去する工程。 (もっと読む)


【課題】抵抗値が低い半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、LiおよびMgを含み、脱水処理され、表面15に酸素が吸着したヘクトライト12を有する半導体材料である。また、LiおよびMgを含むヘクトライト12を脱水処理する工程と、前記ヘクトライト12の表面15に酸素を吸着させる工程と、を含む半導体材料の製造方法である。さらに、上記半導体材料を含む半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】結晶質ゼオライト系固体の製造方法。
【解決手段】少なくとも一つのゼオライト系材料を含有する結晶質固体の製造方法において、この固体が、少なくとも一つの前駆物質化合物から結晶化され、かつ、結晶化の反応流出物は直接的に乾燥工程に供給される。 (もっと読む)


本発明は、炭素が埋込まれている水酸化カルシウム水和物から成る母材を持つ耐高温セラミックハイブリッド材料に関し、炭素が、主として整然とした黒鉛の格子構造を持つ黒鉛粒子(GP)から成り、40%まで重量割合である。母材が樹枝状ゾノトライト(X)及び/又はトバモライトから成り、珪灰石棒細片及び/又は粒状珪酸塩(SK)を含むことができる。黒鉛小片(GP)の寸法は0.01〜3mmである。ハイブリッド材料は特にNE金属の鋳造装置に適している。
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本発明は、CHA骨格構造を有し、(n SiO2):X23モル比(式中、Xは三価の元素である)で、nが少なくとも10である組成を持つゼオライトの製造方法であって、
(i)少なくとも一種のX23供給源(Xは、AlとBとGaと2つ以上の混合物から選ばれる)と、少なくとも一種のSiO2供給源と、少なくとも一種の、テトラメテルアンモニウムヒドロキシド(TMAOH)以外のCHA構造へのテンプレートとして働く有機構造指向剤(SDA)と、テトラメテルアンモニウムヒドロキシド(TMAOH)とを含む水溶液を調製し(ただし、該SDAまたはそれらの混合物は、(i)中の水溶液のSDA:TMAOHモル比が0.01〜5となるような量で用いられる)、
(ii)(i)の水溶液を水熱結晶化する(ただし、(i)の水溶液は、銅を0.005Cu:((n SiO2)+X23)未満の量で含み、nは少なくとも10である)ことを含む方法に関する。
本発明はまた、本プロセスで得られる及び/又は得られたゼオライト材料やCHA骨格構造をもち、(n SiO2):X23モル比(Xは三価の元素であり、nは少なくとも10である)の組成をもち、走査型電子顕微鏡で求めたゼオライト形材料の結晶サイズが1マイクロメータより大きく、チャバザイト骨格の相が純粋で、X線回折で求めた他のゼオライト骨格不純物の量が5%未満であるゼオライト材料に関する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、骨格に金属を導入した新規なBEA型メタロアルミノシリケート、及び簡便且つ工業的に適用可能なその製造方法を提供するものである。
【解決手段】 金属がTi、Fe、Ga、In、Sn、及びZrから選ばれた少なくとも一種であり、金属/Siモル比が0.005〜0.15で且つSi/Alモル比が30〜2500であるBEA型メタロアルミノシリケート、金属がTiでありTi/Siモル比が0.05〜0.15で且つSi/Alモル比が50〜2500である当該メタロアルミノシリケート、金属がSnでありSn/Siモル比が0.005〜0.15で且つSi/Alモル比が100〜2500である当該メタロアルミノシリケート、金属がFeでありFe/Siモル比が0.08〜0.15で且つSi/Alモル比が30〜2500である当該メタロアルミノシリケート、及び、金属がGaでありGa/Siモル比が0.07〜0.15で且つSi/Alモル比が100〜2500である当該メタロアルミノシリケート。 (もっと読む)


15%を超え、55%未満のAl23、20%を超え、45%未満のTiO2、3%を超え、30%未満のSiO2、全体が20%未満の、ZrO2、Ce23およびHfO2から選択される少なくとも1種の酸化物、1%未満のMgO、および全体の合計量が1%を超えるが15%未満の酸化物CaO、Na2O、K2O、SrO、B23およびBaOの化学組成を、酸化物に基づく重量パーセントとして有する溶融粒子。上記粒子を焼結することによって得られるセラミック製品または材料。 (もっと読む)


本発明は、(1)少なくとも一種の層状ケイ酸塩を供給し、(2)上記層状ケイ酸塩を水と次式で表わされる少なくとも一種のケイ素含有化合物:
4-mSi[−(SiR2n−R]m
(式中、少なくとも一つの基Rは脱離基であり、残渣RのいずれもSiを含まず、mが0,1、2,3、あるいは4であり、nが0以上の整数である)と混合することからなるケイ酸塩化合物の製造方法に関する。 (もっと読む)


本発明は、少なくともシリコンと酸素を含む、層構造のシリケートを製造する方法であって、
(1)シリカ及び/又は少なくとも1種のシリカ前駆体、水、ジエチルジメチルアンモニウム化合物、トリエチルメチルアンモニウム化合物、及びジエシルジメチルアンモニウムとトリエチルメチルアンモニウム化合物の混合物から成る群から選ばれる、少なくとも1種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び少なくとも1種の塩基、及び任意に、少なくとも1種の適切な種材料を含む混合物を準備する工程;及び(2)工程(1)に従い得られた混合物を、自己生成の圧力下(熱水条件)下に、120〜160℃の範囲の温度に、5〜10日間加熱し、層構造のシリケートを含む懸濁液を得る工程、を含む方法に関する。 (もっと読む)


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